【課題】強度及び導電率の両者が改善された水素含有チタン銅を提供する。
【解決手段】Ｔｉ：１．０〜５．０質量％を含有し、ＨをＴｉに対する原子比で０．５〜４．０含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物から成るチタン銅であって、ＴｉとＣｕの金属間化合物からなる析出物のうち、粒径５μｍ以上のものがなく、且つ粒径０．１μｍ以上５μｍ未満のものが１×１０⁷個ｍｍ²未満であり、１Ｐａの減圧下にて材料温度３５０℃で２４時間加熱した場合のＨの放出量が１０ｐｐｍ以下であるチタン銅。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ電解めっき下地膜の緻密性を向上させることができ、あるいは貴金属膜が薄くても耐食性を向上させることができる電気接点を提供する。
【解決手段】表面にＮｉ下地膜４および貴金属膜５がめっきされた電気接点１において、Ｎｉ下地膜４の下に、Ｎｉを含む微結晶めっき膜３を形成する。Ｎｉ下地膜４は、Ｎｉを含む微結晶めっき膜３の上にエピタキシャル成長することにより、微細な結晶を有する緻密膜となり、母材の拡散を抑えつつ膜厚が低減できる。電気接点のＮｉ下地膜４の上にＮｉを含む微結晶めっき膜３を形成する。この微結晶めっき膜３上にめっき形成される貴金属膜５は、微細な結晶を有する緻密膜であり、貴金属膜の膜厚を低減できる。 （もっと読む）

【課題】すずめっきの耐熱剥離性を改善したＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金すずめっき条を提供する。
【解決手段】１．０〜４．５質量％のＮｉ及び０．２〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物より構成される銅基合金を母材とするすずめっき条において、めっき層と母材との境界面におけるＳ濃度及びＣ濃度を０．０５質量％以下に調整する。母材は、更にＳｎ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ａｌ及びＡｇの群から選ばれた少なくとも一種を合計で０．００５〜３．０質量％の範囲で含有することができる。 （もっと読む）

【課題】すずめっきの耐熱剥離性を改善したＣｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系合金すずめっき条を提供する。
【解決手段】２〜１２質量％のＺｎ、０．１〜１．０質量％Ｓｎを含有し、Ｓｎの質量％濃度（［％Ｓｎ］）とＺｎの質量％濃度（［％Ｚｎ］）との関係が、
０．６≦［％Ｓｎ］＋０．１６［％Ｚｎ］≦２．０
の範囲に調整された銅合金条において、めっき層と母材との境界面におけるＣ濃度を０．１質量％以下に調整する。 （もっと読む）