コーティングされるべき基板(１１６)上に照射するイオン源(１３２)或いは(２１８)が、ＭＯＣＶＤ、ＰＶＤ或いは超伝導体素材の調整のためのその他の処理を強化するのに用いられる。
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酸化物膜を成長させるための方法であって、中間酸化物材料の膜（１２０）の表面上に反応ガス混合物（６０，７０）を入射することと、膜（１２０）の表面に隣接する領域（８０）から生成ガスの少なくとも一部を除去することとを含む。反応ガス混合物（６０，７０）は、膜（１２０）の表面に対して少なくとも約５度の角度で膜（１２０）の表面に入射し、膜は、最大約７００トル（９１ｋＰａ）の全圧力を有するリアクタ（１００）の一部（１５０，１６０，１７０）内に位置している。酸化物は、バッファ材料および超電導体材料からなるグループから選択される。
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ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法であって、この方法は、
ａ）Ｘ−Ｂａ−Ｌ−Ｏ又はＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｌ−Ｏ材料をＸ−１−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料と混合するステップと、
ｂ）この混合物を結晶化するステップとを含み、
ただし、１各Ｘは希土類（ＩＩＩＢ族）元素、イットリウム、希土類元素の組み合わせ又はイットリウムと希土類元素との組み合わせから個別に選択され、各ＬはＵ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ及びＳｎから選択される、ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法。本発明はさらに、本発明の方法によって製造されるドープされた材料を提供する。
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