【課題】ＦＦ−ＭＯＤ法においても容易にピンの材料を添加することができ、金属錯体を熱分解する処理やピン化合物を生成させるための熱処理を必要とせず、ピンの粒子サイズを好適に制御することができる原料溶液を提供する。
【解決手段】塗布熱分解法を用いて基板上に磁束ピン止め点が導入されたＲＥ１２３系の酸化物超電導体を形成するための酸化物超電導体形成用の原料溶液であって、酸化物超電導体を形成するための有機金属化合物を溶解した溶液に、ピン止め点を形成するためのナノ粒子を所定量分散させている酸化物超電導体形成用の原料溶液。ナノ粒子の粒径は、５〜１００ｎｍである。有機金属化合物は、フッ素を含まない有機金属化合物である。 （もっと読む）

本発明は、スペイン特許第２２５９９１９号にこれまで説明されている解決手段を出発点として利用して、１０％の最大のフッ素含有量を有している有機金属の前駆物質の溶液を得ることに言及する。この変更は、超伝導の分解層の熱処理（熱分解）、および結晶の成長を一段階において実施可能にする。さらに、低いフッ素含有量は毒性および腐食のリスクを低下させる。 （もっと読む）

【課題】金属基板を構成する元素の超電導層への拡散や中間層のクラックの発生を防止し、かつ超電導層の配向性を向上させる。
【解決手段】半値幅（ＦＷＨＭ：Δφ）６．５度のＮｉ基合金基板１上に、第１中間層として膜厚１５〜１００ｎｍのＣｅ−Ｇｄ−Ｏ系酸化物層２（Ｃｅ：Ｇｄ＝４０：６０〜７０：３０のモル比）及び第２中間層として膜厚１００ｎｍのＣｅ−Ｚｒ−Ｏ系酸化物層３（Ｃｅ：Ｚｒ＝５０：５０のモル比）をＭＯＤ法により形成し、さらにその上にＲＦスパッタ法により第３中間層としてＣｅＯ_２酸化物層４を膜厚１５０nmに成膜した。この３層構造の中間層の上に、ＹＢＣＯ超電導層５をＴＦＡ−ＭＯＤ法により膜厚は１μｍに成膜した。
以上のテープ状酸化物超電導体の第１乃至第３中間層のΔφは、それぞれ（６．０〜６．５）度、（６．０〜６．６）度及び（６．０〜６．６）度、ＹＢＣＯ超電導層５の液体窒素中におけるＪｃは１．８〜２．２ＭＡ／ｃｍ^２の値を示した。 （もっと読む）