本発明は、超伝導体の前駆体を構成する金属要素からなる組立体(1、35、71)に関するものである。組立体は、完成した超伝導体において超伝導フィラメントとなる少なくとも１つの導体要素(5、41、73)と、導体要素をドーピングするためのドーピング源を提供する少なくとも１つのドーピング要素(7、43、75)とを含む。また本発明は、超伝導体の製造に適した方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】以下のパラメータを調整することによって、分配隔壁サブエレメント・デザインにおいて、４．２Ｋの温度および１２Ｔの磁界で内部スズ・ワイヤに、３０００Ａ／ｍｍ^２までの範囲の臨界電流密度を達成する。
【解決手段】ブロンズ内の重量％Ｓｎ、原子Ｎｂ：Ｓｎ、局所面積比、反応可能な隔壁、フィラメント厚に対する隔壁厚、例えばＴｉまたはＴａ等のドーパントのＮｂ_３Ｓｎへの添加、そして、その後の熱反応過程で最大フィラメント径を調整するための再スタッキングおよびワイヤ絞りのデザイン。 （もっと読む）