【課題】チップをワイドバンドギャップ半導体によって構成した場合でも、該チップで発生する熱によって耐熱温度の低い部品が熱的な損傷を受けないような構成の電力変換装置を得る。
【解決手段】ＳｉＣ半導体からなるチップ（21）の熱を放熱するためのヒートシンク（23）に該チップ（21）の熱を伝えるための銅基板（22）を、耐熱性接着剤からなる断熱部材（24）を介して、プリント基板（25,25）に接着固定する。該銅基板（22）とプリント基板（25,25）との間には、上記チップ（21）等からの熱放射を抑えるための遮熱板（26）を設ける。 （もっと読む）

【課題】バッテリを逆接続した場合の故障を確実に防止することができるとともに信頼性を確保することができる車両用発電機を提供すること。
【解決手段】車両用発電機１は、界磁巻線４、固定子巻線２、３を有する固定子、複数の整流器モジュール５Ｘ、５Ｙ、５Ｚ、６Ｕ、６Ｖ、６Ｗ、発電制御装置７を備える。複数の整流器モジュール５Ｘ等のそれぞれは、ハイサイド側のＭＯＳトランジスタ５０と、ローサイド側のＭＯＳトランジスタ５１と、保護用のＭＯＳトランジスタ５２と、これらの各ＭＯＳトランジスタをオンオフする制御回路５４とを備える。ＭＯＳトランジスタ５０、５１、５２と制御回路５４とが一体の構造体として、各整流器モジュール５Ｘ等が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ゲート駆動回路を接続する配線処理のために費やす手間を省くことができるゲート駆動基板及び電力変換装置を提供する。
【解決手段】ゲート駆動基板１２は、電力変換装置を構成し、電力変換装置の電力変換回路にゲート信号を与える。ゲート駆動基板１２は、配線網８が形成されたプリント板１２ａと、ゲート信号を発生する複数のゲート駆動回路とを備えている。複数のゲート駆動回路は、プリント板１２ａに実装され、配線網８に接続されている。 （もっと読む）

【課題】
３レベル構成の電力変換装置の内側半導体スイッチング素子と外側半導体スイッチング素子の寿命をほぼ等しくすることにより、メンテナンス頻度を下げるようにする。
【解決手段】
３レベル構成の電力変換装置において、内側ＩＧＢＴと外側ＩＧＢＴの「界面温度」の温度をほぼ等しくするために、内側半導体スイッチング素子よりも外側半導体スイッチング素子の冷却フィンの熱抵抗が大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】周辺部品とともにインバータ回路を容易に密閉化できるようにする。
【解決手段】スイッチング素子（130）を備えて、商用交流電源から供給された交流電力を所定の電圧及び周波数の交流電力に電力変換を行う電力変換装置（100）において、スイッチング素子（130）を高温動作可能に構成する。そして、キャリア成分の除去に使用される小容量コンデンサ（150）を高温動作可能に構成する。 （もっと読む）

【課題】放熱性を向上させ、整流素子の熱疲労寿命の低下を防止することができる整流装置を提供すること。
【解決手段】放熱フィン５３に形成された取付孔５６に半導体装置としての整流素子５５が圧入される整流装置であって、整流素子５５は、半導体チップと、半導体チップが底面に半田付けされる凹部を有し、円筒状の外周面５０２がローレット形状を有するディスク部５００とを備え、円筒状の外周面５０２は、打ち込み開始側の外径Ｄ１が反打ち込み側の外径Ｄ２よりも小である。 （もっと読む）

【課題】 整流回路と平滑回路との接続間隔を短くでき、さらには、製造効率やメンテナンス性の優れた整流平滑回路の実装構造およびその組立方法を提供する。
【解決手段】 整流回路が実装される整流回路基板と、平滑回路が実装される平滑回路基板とを、所定の間隔を有して対向させ、接続端子によって、機械的に固定し、整流回路と整流回路とを電気的に接続する。また、ブリッジダイオードの接続端子が略直角にフォーミングされて整流回路基板と平行に実装され、そのブリッジダイオードに対して放熱板が取り付けられ、その放熱板を筐体の底面に取り付ける。 （もっと読む）

【課題】コンデンサの内部温度を精度良く検出することにより、過剰な熱的マージンを不要にして小型化を図ることができる電力変換装置を提供する。
【解決手段】コンデンサ１１と、コンデンサ１１の各電極端子２０，２１にそれぞれ接続する直流端子２２，２３を有する電力変換回路１２と、コンデンサ１１の筐体１１ａの異なる部分に配置した、温度を感知する２個の感温素子１８，１９と、２個の感温素子１８，１９からの各出力信号が入力する演算回路１３と、入力した演算回路１３からの各出力信号が閾値を超えた場合、電力変換回路１２の出力を減少させ又は停止する制御回路１４とを有する。コンデンサ１１は、アルミ電解コンデンサ又はフィルムコンデンサである。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子にワイドバンドギャップ半導体を用いても装置全体のコストアップを抑えられるような電力変換装置を得る。
【解決手段】主スイッチング素子（13）をＳｉＣ半導体からなるチップによって構成する。そして、そのチップサイズは、オン電圧降下が従来のＳｉ半導体からなるチップと同等以上になるようなサイズにする。これにより、チップの小型化を図ることができ、装置全体の小型化及びコストの低減を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】小型化、部品点数及び組立工数の低減が可能で、併せて分解性も良く、放熱効果の良好なＡＣ／ＤＣ変換モジュール基板を提供する。
【解決手段】１次側コイル１０と２次側コイル２０とを有するトランスＴ１と、２次側コイル２０の誘起電圧を整流する整流素子とを備え、さらに２次側コイル２０が複数のコイル導体部を有し、各コイル導体部の端部が金属基板４０上に絶縁層を介して形成された導体パターンにはんだ付けされており、１次側コイル１０が前記複数のコイル導体部間に挿入された構成である。 （もっと読む）

パワーコンバータのアーキテクチャは、フルブリッジコンバータをインターリーブすることで、高電流印加時の熱管理問題を緩和でき、例えば、パーツ数およびコストを削減しながら、出力能力を倍にし得る。例えば、３位相インバータの１位相は、２つの変圧器間で分かち合われる。これら２つの変圧器は、２つの整流手段を有する整流器のような整流器に出力を提供し、４つの高電圧インバータレグよりも、むしろ、３つの高電圧インバータレグを有する２つのフルブリッジＤＣ／ＤＣコンバータを提供する。
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電力変換器は、多層変圧基板を備える少なくとも１つの平面状の変圧器（Ｔ１，Ｔ２）、および／または、多層インダクタ基板を備える少なくとも１つの平面状のインダクタを、１つ以上の多層スイッチ基板を介することにより、放熱板に物理的および熱的に接続された多数の電力半導体スイッチ（Ｓ７〜Ｓ１０）と一体化させる。本発明の電力変換器は、電源と負荷との間の電力を整流、インバーティング、および／または、変換するのに適しており、高電力の動作が可能であって、熱磁気的な問題を軽減することが可能な電力変換器である。
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