【課題】出力電流の変動の少ないカレントミラー回路を提供する。
【解決手段】ゲート電極同士が接続された第１および第２ＭＯＳトランジスタ１１、１２と、ソース電極が第１ＭＯＳトランジスタ１１のドレイント電極に接続され、ドレイン電極が第１および第２ＭＯＳトランジスタ１１、１２ゲート電極に接続されて電流入力端子１５に接続された第３ＭＯＳトランジスタ１３と、ゲート電極が第３ＭＯＳトランジスタ１３のゲート電極に接続され、ソース電極が第２ＭＯＳトランジスタ１２のドレイン電極に接続され、ドレイン電極が電流出力端子１６となる第４ＭＯＳトランジスタ１４と、第３および第４ＭＯＳトランジスタ１３、１４のゲート電極にバイアス電圧を与えるためのバイアス回路１７と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】高精度の定電圧を発生することができる定電圧発生回路を提供する。
【解決手段】本発明に係る定電圧発生回路１は、一対の不揮発メモリＦＭ１・ＦＭ２と、平衡状態において各不揮発メモリＦＭ１・ＦＭ２に互いに等しい電流を流す一対のトランジスタＭＰ１・ＭＰ２と、トランジスタＭＰ１・ＭＰ２の出力電圧を入力とするオペアンプＡＭＰ２と、オペアンプＡＭＰ２の出力電圧Ｖｏｕｔの変化を検知して不揮発メモリＦＭ１・ＦＭ２に流れる電流が平衡するように制御する抵抗Ｒ１・Ｒ２と、各不揮発メモリＦＭ１・ＦＭ２の閾値電圧を制御する不揮発メモリ制御回路１３と、を備え、不揮発メモリ制御回路１３が不揮発メモリＦＭ１・ＦＭ２の浮動ゲートに保持される電荷量を変化させるときに、不揮発メモリ制御回路１３とオペアンプＡＭＰ２とを電気的に遮断するスイッチ回路ＳＷと、を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチトキャパシタ型のバンドギャップ回路において、容量の占有面積を増やすことなく、熱電圧に乗じる係数をより細かく設定すること。
【解決手段】第１のスイッチトキャパシタ回路２のオペアンプ回路ＯＰ３の入力端子と、第２のスイッチトキャパシタ回路３のオペアンプ回路ＯＰ４の出力端子を、結合容量Ｃ７により結合する。結合容量Ｃ７の容量値は第１のスイッチトキャパシタ回路２のフィードバック容量Ｃ６の容量値よりも小さい。各スイッチトキャパシタ回路２，３の各入力容量Ｃ５，Ｃ８および各フィードバック容量Ｃ６，Ｃ９と、結合容量Ｃ７の各容量値により決まる係数を熱電圧に乗じて得た、絶対温度に比例するＰＴＡＴ電圧を、電圧発生回路１で発生した、温度の上昇にともなって電圧値が減少する負の温度依存性を有するｐｎ接合の順方向電圧に加算することによって、温度に依存しない基準電圧を発生させる。 （もっと読む）

【課題】 低電源電圧で動作可能な、高ＰＳＲＲ、低ノイズ、低ばらつきのバンドギャップ回路を提供すること。
【解決手段】 フィードバック制御用増幅器３１とＰＭＯＳトランジスタ３２，３５を備え、エミッタ面積の異なる２つのバイポーラトランジスタ３３，３４を有し、エミッタ面積の小さい側のバイポーラトランジスタ３３のベース・エミッタ間に抵抗Ｒ_１，Ｒ_２，Ｒ_Ｐを備え、エミッタ面積の大きい側のバイポーラトランジスタ３４のベース・コレクタ間に抵抗Ｒ_Ｐを備えるとともに、ベース・エミッタ間に抵抗Ｒ_１、Ｒ_２を備えてバンドギャップ回路を構成する。 （もっと読む）