【課題】コストの低減を図りつつ、かつ、精度よく基準電流を生成することが可能な半導体装置、光ディスク装置及び半導体装置のテスト方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、基準電流を生成する電流生成回路と、記生成された基準電流をテスタ３００へ出力する外部端子Ｔ１と、基準電流の電流値を制御するための電流制御データを、外部端子Ｔ１から出力された基準電流に応じてテスタ３００により設定される外部端子Ｔ２と、テスタ３００により設定された電流制御データにしたがって、電流生成回路により生成される基準電流が所定値となるように調整する電流制御部１４と、を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】過電流保護値に適切な負の温度特性を持たせる。
【解決手段】過電流保護回路１８は、抵抗値の異なる抵抗Ａ１、Ａ２を含む抵抗部Ａと、抵抗Ａ１、Ａ２に現れる電圧Ｖ１、Ｖ２を比較して過電流保護信号Ｓ１を生成する比較部Ｂと、抵抗Ａ１、Ａ２にスイッチ素子１２の降下電圧（ＳＷ−ＰＧＮＤ）を印加する入力部Ｃと、電流値の等しい電流Ｉ１、Ｉ２を生成して抵抗Ａ１、Ａ２に供給する電流生成部Ｄとを有し、電流生成部Ｄは、抵抗Ａ１、Ａ２と同一の温度特性を有しており、温度特性のフラットな基準電圧ＢＧから基準電流Ｉｘを生成する抵抗Ｄ１０と；スイッチ素子１２と同一の温度特性を有しており、基準電流Ｉｘから基準電圧Ｖｘを生成する抵抗Ｄ７と；負の温度特性を有しており、基準電圧Ｖｘから基準電流Ｉｙを生成する抵抗Ｄ８と；基準電流Ｉｙから電流Ｉ１、Ｉ２を生成するカレントミラー（Ｄ１〜Ｄ４）と；を含む。 （もっと読む）

【課題】電源電位が接地電位に対して変動するハイサイド回路又はローサイド回路において、電源電位の変動の影響を回避し、安定した基準電圧を出力することができる基準電圧回路及び半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明は、Ｐ型半導体基板２０上のＮウェル層２１内に形成したハイサイド回路中において、Ｎウェル層２１をコレクタとし、Ｎウェル層２１内に形成したＰ領域２３をベースとし、ベースの上層に形成したＮ領域２４をエミッタとし、ハイサイド回路素子２２を構成する基板を、コレクタとしてのＮウェル層２１とで共通化した。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さくて遅延が少なく且つ特性に与える素子バラツキの影響が小さいDC-DCコンバータの異常電流防止回路を提供する。
【解決手段】電流検出抵抗12を流れる電流を所定の基準電流と比較して過電流の有無を判定する電流コンパレータ30を備える。検出抵抗12の電圧は通常時(正常時)には負電圧であるが異常時に逆電流が生じた場合には正電圧が現れるようになる。電流コンパレータ30は検出抵抗12の電圧を監視し、検出抵抗12の電圧が負電圧の間はハイ出力をラッチ10を介してＡＮＤ回路20に送ってPWM比較器9の出力信号がローサイド側スイッチ素子14,19に伝わるようにし、検出抵抗12の電圧が正電圧になると電流コンパレータ30の出力電圧はローになり、ローサイド側スイッチ素子14,19を強制的にOFFにする。 （もっと読む）

【課題】出力電圧における温度補償をする際の抵抗のばらつきの影響を低減する。
【解決手段】基準電圧（Ｖｒｅｆ）を生成して出力端から出力するバンドギャップリファレンス回路（１）と、基準電圧の分割電圧（ノードＡの電圧）とダイオード（３６）の順方向電圧との差電圧に応じて差電圧を電流に変換する電圧電流変換回路（３に相当）と、を備え、電圧電流変換回路は、変換された電流（１９）を出力端にフィードバックする。 （もっと読む）

【課題】バイパス容量の容量値を大きくすることなく、供給電流の変動を抑制する。
【解決手段】負荷の状態に応じて予め設定したピースワイズリニア信号に基づき、負荷が重負荷のとき所定の電流値、軽負荷のとき零となり、重負荷と軽負荷との間で切り替わるとき前記所定の電流値と零との間で線形に変化する電流Ｉｍ１２を入力電圧Ｖｉｎから生成する。また、前記ピースワイズリニア信号に基づき、負荷が前記重負荷のとき零、前記軽負荷であるとき前記所定の電流値となり、重負荷と軽負荷との間で切り替わるとき零と前記所定の電流値との間で線形に変化する電流Ｉｍ１３を出力電圧Ｖｏｕｔから生成する。前記電流Ｉｍ１２と前記電流Ｉｍ１３との和を供給電流Ｉｓｕｐ１とし、これを制御回路Ｃｔｒｌ１に供給する。 （もっと読む）

【課題】プロセス変動によるバラつき要因が少ない基準電圧回路の提供。
【解決手段】第１のＭＯＳトランジスタと、ゲート端子が第１のＭＯＳトランジスタのゲート端子に接続され、第１のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値より高いしきい値の絶対値とＫ値を有する第２のＭＯＳトランジスタと、第１のＭＯＳトランジスタと第２のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値の差に基づく電流を流すカレントミラー回路と、カレントミラー回路の電流を流す第３のＭＯＳトランジスタと、第３のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値より高いしきい値の絶対値とＫ値を有し、カレントミラー回路の電流を流す第４のＭＯＳトランジスタを備え、第３のＭＯＳトランジスタと第４のＭＯＳトランジスタのしきい値の絶対値とＫ値の差に基づく定電圧を基準電圧として出力する、構成とした。 （もっと読む）

【課題】低消費電流で低電圧な定電圧を安定して得られる定電圧回路を提供すること。
【解決手段】定電圧回路Ａは、閾値電圧が極小でゲート長が特大のＭＯＳトランジスタＮ１を用いて低電流を作り出し、基準電圧Ｖ_REFを発生するＭＯＳトランジスタＮ２、これと対を成してカレントミラー回路を構成する各ＭＯＳトランジスタＮ３、Ｎ４、Ｎ７、及びその他の各ＭＯＳトランジスタＮ５、Ｎ６の何れについても低閾値電圧タイプとし、且つＭＯＳトランジスタＮ２、Ｎ３、Ｎ４、Ｎ７のゲート長ＬをＭＯＳトランジスタＰ１、Ｐ２のゲート長Ｌよりも増大させている。これにより、各ＭＯＳトランジスタＮ２〜Ｎ７のドレイン電極−ソース電極間の電圧Ｖｄｓが０．１Ｖ以上の飽和領域で動作する電圧値を保ち、所望の低い基準電圧Ｖ_REFを発生でき、カレントミラー回路を構成する際に正常動作が可能となり、定電圧出力端子４から低消費電流で低電圧な定電圧が得られる。 （もっと読む）

【課題】温度依存性が少ない低電圧（１．２５Ｖ以下）の定電圧を発生する、基準電圧回路を提供すること。
【解決手段】二つのＰＮ接合を有し、いずれかのＰＮ接合に基づいた電圧Ｖｋと、二つのＰＮ接合の電圧の差に基づいた電流Ｉｋと、を出力するバンドギャップ電圧発生回路と、電圧Ｖｋを分圧する分圧回路と、を備え、分圧回路は入力する電流Ｉｋにより分圧電圧を補正して、基準電圧として出力する、構成とした。 （もっと読む）

【課題】電源電圧が一時的に低下した場合であっても、その後電源電圧が上昇すれば基準電圧を素早く出力できるようにした電圧生成回路、および、リセット信号を素早く出力できるようにしたパワーオンリセット回路を提供する。
【解決手段】トランジスタＭＰ５およびＭＰ６が第１電源線Ｎ１およびノードＮ６間に直列接続されている。トランジスタＭＰ５が起動電流Ｉｓをセンシングし、トランジスタＭＰ６が基準電流Ｉｐをセンシングする。電源電圧ＶＤＤが低下したとしても、両トランジスタＭＰ５およびＭＰ６には閾値電圧以上となる電圧がゲートソース間に与えられる虞がなくなり、充電回路８には充電電流Ｉｏが充電されにくくなる。したがって、電源電圧ＶＤＤが再復帰して電源電圧が上昇したときには、トランジスタＭＰ４が起動電流ＩｓをノードＮ５に素早く供給でき、電流生成回路６は基準電流Ｉｐを素早く生成できる。 （もっと読む）

【課題】電源の立ち上がりが遅くても安定に動作する半導体集積回路を提供する。
【解決手段】ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＭＰ１のソース電極Ｓを電源に接続し、そのドレイン電極ＤにデプレッショントランジスタＮＤ１のドレイン電極Ｄを接続する。さらに、デプレッショントランジスタＮＤ１のソース電極Ｓを、抵抗Ｒ１を介して電位ＶＳＳとするとともに、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタとデプレッショントランジスタ双方のゲート電極Ｇを電位ＶＳＳとした電源起動回路部１１を設ける。そして、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタＭＰ１のドレイン電極ＤとデプレッショントランジスタＮＤ１のドレイン電極Ｄの相互接続点を定電流回路部１２及びスタートアップ回路部１４の電源ノードとして、定電流回路部１２及びスタートアップ回路部１４に動作電源を供給する構成とする。 （もっと読む）

【課題】低電圧までの広い電圧範囲で動作可能で、バイアス電流の温度係数を設定可能なバイアス回路及び増幅回路を提供する。
【解決手段】電流生成回路と、電圧生成回路と、を備えたことを特徴とするバイアス回路が提供される。前記電流生成回路は、接合部の面積の異なる２つのＰＮ接合の順方向電圧の電圧差に基づいて第１の電流を生成し、前記２つのＰＮ接合のうちの接合部の面積の小さいＰＮ接合の順方向電圧に基づいて前記第１の電流の温度係数と異なる極性の温度係数を有する第２の電流を生成する。前記電圧生成回路は、前記第１の電流と前記第２の電流とを合成した電流から基準電圧を生成する。 （もっと読む）

【課題】より簡単な構成で、出力トランジスタを確実にオフ状態に維持できるトランジスタ駆動回路を提供する。
【解決手段】ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ５とコイル２との共通接続点；出力端子ＯＵＴとグランドとの間にフライホイールダイオード３を接続する。ＦＥＴ５のゲートには、ＮＰＮトランジスタ６及びＰＮＰトランジスタ７のプッシュプル回路により制御信号を出力し、トランジスタ７のベースとグランドとの間にＮＰＮトランジスタ１１を接続し、トランジスタ１１のベースとグランドとの間にＮチャネルＭＯＳＦＥＴ１４を接続して、ＦＥＴ１４にＰＷＭ信号を入力する。ダイオード１３は、ＦＥＴ１４がオフ状態になるとトランジスタ１１のベースにベース電流を供給し、ダイオード１５をダイオード１３のアノードとトランジスタ６及び７のベースとの間に接続する。ＮＰＮトランジスタ２２をＦＥＴ５のゲートと出力端子との間に接続し、トランジスタ２２をＰＷＭ信号に応じてＦＥＴ５がオフする際にオンさせる。 （もっと読む）

【課題】カレントミラー回路によって、複数の回路を電流駆動させる場合に、各回路の動作に対するばらつきを低減することができる電源回路を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１、２、３と、スイッチング素子であるスイッチ６〜９とで電源回路を構成している。ＦＥＴ１、２、３でカレントミラー回路を構成している。スイッチ６、７、８、９によって選択回路５０が構成される。選択回路５０は、スイッチ６〜９の切り替えにより、ミラー電流Ｉｂ２をオペアンプ４又はオペアンプ５のいずれかに供給し、さらに、ミラー電流Ｉｂ１をオペアンプ４又はオペアンプ５のいずれかに供給する。すなわち、ミラー電流Ｉｂ１とミラー電流Ｉｂ２とを入れ替えて交互に、オペアンプ４、５にそれぞれ供給する。 （もっと読む）

【課題】安定に動作する半導体集積回路を提供する。
【解決手段】ラッチ回路部１０５は、ダイオード接続されたトランジスタＭ７と、そのトランジスタＭ７からの電流が流入する静電容量素子Ｃ１との接続点であるノードＮ４の電位上昇に応じて、定電流回路部１２へ起動電流を供給するトランジスタＭ５を駆動制御する。ラッチ回路部１０５内のインバータＴ１に入力されたノードＮ４の電位が論理“Ｈ”と認識され、インバータＴ１の出力が論理“Ｌ”となって、ラッチ回路部１０５内のトランジスタＭ８が導通状態になることで、トランジスタＭ５の非導通状態が維持され、ノードＮ４の電位が電源電圧に保持される。 （もっと読む）

【課題】発光素子の駆動装置に与える基準電圧として、温度特性が良好で、電源電圧の変動に対して変動の少ない基準電圧を生成する。
【解決手段】基準電圧Ｖｒｅｆを発生する基準電圧発生回路１００において、バイポーラトランジスタのベース・エミッタ間電圧の負の温度係数に依存して生じる負の温度係数を持った第１カレントミラー回路１２０と、前記負の温度係数に依存して生じる正の温度係数を持った第２カレントミラー回路１４０とを備えている。そして、電流減算回路１５０により、第１カレントミラー回路１１０の出力電流から、第２カレントミラー回路１４０の出力電流を減じた電流を作成し、これと比例する基準電圧Ｖｒｅｆを出力する。 （もっと読む）

【課題】出力トランジスタのリーク電流抑制と低消費電流化とのトレードオフや、内部電源電圧生成ブロックの小型化と低消費電流化とのトレードオフなどがある。
【解決手段】基準電流生成回路Ｘ１０は、デプレッション型トランジスタＮ１を用いて基準電圧Ｖ１を生成する基準電圧生成部Ｘ１１と、基準電圧Ｖ１から基準電流Ｉ２ａ及びＩ２ｂを生成する電圧／電流変換部Ｘ１２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】動作の信頼性の向上を図る。
【解決手段】定電流源回路は、複数のＰＭＯＳトランジスタを含む第１カレントミラー回路１１、複数のＮＭＯＳトランジスタを含む第２カレントミラー回路１２を備え、正の温度特性を有する第１電流を発生する第１電流発生回路１０と、前記複数のＮＭＯＳトランジスタの閾値電圧に依存し、負の温度特性を有する第１電圧が入力され、前記第１電圧と等しい第２電圧を出力するフィードバック回路２１を備え、前記第２電圧に基づいて負の温度特性を有する第２電流を発生する第２電流発生回路２０と、前記第１電流と前記第２電流とを加算することで、任意の温度特性を有する定電流を発生する電流合成回路３０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】負荷回路の温度依存性を低減することができる電流源回路及びその調整方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様である電流源回路１００は、出力端子３、端子５、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭｎ、抵抗Ｒ１及び選択回路１を有する。ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭｎは、出力端子３及び端子５間に並列に接続され、ゲートに定電圧Ｖｉが印加され、それぞれ異なるディメンジョンを有する。抵抗Ｒ１は、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭｎと端子５との間に接続される。選択回路１は、抵抗Ｒ１と出力端子３との間でＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭｎと直列に接続され、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭｎと直列に接続され、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＮＭ１〜ＮＭｎいずれかに選択的に出力電流を出力させる。 （もっと読む）