【課題】高周波においても、V．S．W．Rの劣化がなく、入手性の良い負温度係数温度可変抵抗器を用いて所望の特性が容易に得られるようにする。
【解決手段】伝送線路１に直列に、略λ／４の長さの線路からなる２つの第１遅延回路１４が接続され、これら第１遅延回路１４の両端に、略λ／４の長さの線路からなる第２遅延回路１５が接続され、この第２遅延回路１５と接地との間に、負温度係数のサーミスタ１６及び固定抵抗器５からなる温度可変抵抗体１７が接続される。即ち、第１遅延回路１４と１対の第２遅延回路１５と１対の温度可変抵抗体１７にて構成したπ型回路が２組配置され、また４個の同一の負温度係数のサーミスタ１６が使用される。これによれば、サーミスタ１６により生じるリアクタンス成分がπ型回路によって相殺され、V.S.W.Rが良好な値に維持される。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ安価な構成で、入力されるＲＦ信号に任意の温度特性を付与して出力できる温度補償回路を得ること。
【解決手段】誘電率εｒ１、線路長Ｌ１のＲＦ線路１１と誘電率εｒ２、線路長Ｌ２のＲＦ線路１２とに等分配された２つのＲＦ信号は、対応する誘電率の温度特性に対応した温度変化を示す通過位相θ１，θ２を有して通過するので、通過位相差θ１−θ２を有して合成回路１４に入力する。そのため、合成回路１４では、２つのＲＦ線路１１，１２からのＲＦ信号を合成する際に、通過位相差θ１−θ２の温度変化に対応して変化する合成損を生ずるので、合成回路１４からＲＦ増幅器２へ出力されるＲＦ信号に、合成回路１４にて生じた温度変化に対応した合成損の分だけの減衰量を付与することができる。 （もっと読む）

【課題】熱による共振周波数の変化を従来よりも抑制する共振器を提供する。
【解決手段】周壁に他の導波管が結合可能な結合孔１９が設けられた円筒形の導波管１０と、導波管１０の両底面にそれぞれ設けられる固定板１１、１２と、一方の固定板１２に接続される調整板１７と、他方の固定板１１から所定の距離を開けて設けられており、導波管１０の軸方向に可動になっている可動板１３と、を備えた共振器１である。環境温度が変化すると、導波管１０の直径Ｄが変動するとともに可動板１３と調整板１７との間隔である共振軸長Ｌが変動する。導波管１０の直径Ｄの変動による共振周波数の変化と共振軸長Ｌの変動による共振周波数の変化とが相殺し合うように構成されている。 （もっと読む）

【課題】回路規模が大きくならず、また半導体素子を使用せずに受動素子のみにて構成し、低コスト化を図ることができるようにする。
【解決手段】入出力端子１，２間に配置した分布定数主線路３と接地導体４又は接地とみなし得る点との間に、主線路３における使用周波数の略１／４波長の奇数倍の間隔（３ａ）を以って、サーミスタ６及び抵抗７からなる抵抗体８を３個、並列に接続する。これにより、並列型減衰器が構成され、この減衰器によれば、上記抵抗体８の抵抗値（Ｒａ，Ｒｂ）は、温度が上がると上昇し、この結果、減衰量が小さくなり、逆に温度が下がると抵抗値は低下し、減衰量が大きくなる特性が得られる。 （もっと読む）