【課題】周辺の回路構成を複雑にすることなく、繰り返しのデータの書き込みの際の劣化を低減することが可能な、不揮発性スイッチとして用いる半導体装置を提供する。
【解決手段】電源電圧が停止しても導通状態に関するデータの保持を、チャネル形成領域に酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタに接続されたデータ保持部で行う構成とする。そしてデータ保持部は、ダーリントン接続された電界効果トランジスタ及びバイポーラトランジスタを有する電流増幅回路における、電界効果トランジスタのゲートに接続することでデータ保持部の電荷をリークすることなく、導通状態を制御する。 （もっと読む）

【課題】電離放射線に長期間にわたって露出された後に回路内に発生する電荷によって生じる損傷に対する耐性を有する論理回路を提供する。
【解決手段】耐放射線型インバータは、入力端子と出力端子の間に第１及び第２電気経路を含む。第１電気経路内に第１ＰＦＥＴが配設され、且つ、第２電気経路内にＢＪＴ（Bipolar Junction Transistor）が配設される。第１ＰＦＥＴは、入力端子における低レベル信号を出力端子における高レベル信号に変換するように構成され、且つ、ＢＪＴは、入力端子における高レベル信号を出力端子における低レベル信号に変換するように構成される。第２ＰＦＥＴは、過剰な電流をＢＪＴから抜き取る経路を提供するように構成される。又、耐放射線型インバータは、第２電気経路内に配置された電流制限ＰＦＥＴをも含む。 （もっと読む）