【課題】ターンオン時間のばらつきが小さな半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ノードＮ１，Ｎ２間に直列接続された高耐圧、高ＧｍのトランジスタＱ１および低耐圧、低ＧｍのトランジスタＱ２と、トランジスタＱ２に並列接続された低耐圧、高ＧｍのトランジスタＱ３とを含む。トランジスタＱ２をオンさせるとトランジスタＱ１がオンし、さらにトランジスタＱ３をオンさせるとノードＮ１，Ｎ２間が導通状態になる。したがって、低耐圧のトランジスタＱ２をオンさせて高耐圧のトランジスタＱ１をオンさせるので、ターンオン時間のばらつきが小さくなる。 （もっと読む）

【課題】端子の電源ショート時にも電圧駆動素子およびシャント抵抗を保護する。
【解決手段】一端が端子Ｔ１に接続され、他端がシャント抵抗Ｒｓを介して接地された電圧駆動素子１０と、シャント抵抗Ｒｓの電圧を検出する検出回路２０と、検出回路２０からの電圧検出信号で電圧駆動素子１０をＯＮ／ＯＦＦ制御する駆動回路３０とを備える電源ショート保護回路において、電圧駆動素子１０と並列にシャント抵抗Ｒｓに比べて大きな抵抗値の抵抗素子Ｒ１を接続することにより、電圧駆動素子１０のＯＦＦ時にもシャント抵抗Ｒｓに電流を流して電圧を検出回路２０で検出し、端子Ｔ１が電源ショートしているときには電圧駆動素子１０をＯＮさせないように駆動回路３０を制御する。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳＦＥＴの半導体リレー装置において、低容量、高耐圧の特性を兼ね備え、かつ負荷との双方向の接続を可能とする。
【解決手段】高耐圧用出力ＭＯＳＦＥＴと低耐圧用出力ＭＯＳＦＥＴを１対とする２組の出力部４ａ、４ｂを、各低耐圧用出力ＭＯＳＦＥＴ４２、４３の共通のソース端子に関して互いに対称に構成することにより、各高耐圧用出力ＭＯＳＦＥＴ４１、４４の各ドレインを外部端子４５ａ、４５ｂとする。これにより、外部端子４５ａ、４５ｂの双方向より高電圧を印加可能とし、安全性、利便性を向上すると共に、複数の低容量の低耐圧用出力ＭＯＳＦＥＴ４２、４３の直列接続により、外部端子間を低容量化し、高周波特性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 過電圧を抑制しながら、小型化、低コスト化を達成することができる電圧駆動型半導体スイッチング素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】 オン状態またはオフ状態のＩＧＢＴ３のゲート３ｇに、それぞれ所定のオフ用電圧値Ｖｏｆｆまたはオン用電圧値Ｖｏｎをゲート回路７から入力することによってオン、オフ制御を行うようにしたＩＧＢＴ３の駆動方法で、一方の状態から他方の状態へ切り替える時、ゲート回路７からゲート３ｇに、先ず、オン用電圧値Ｖｏｎまたはオフ用電圧値Ｖｏｆｆの一方の電圧値からオン用電圧値Ｖｏｎとオフ用電圧値Ｖｏｆｆの間の所定中間電圧値まで所定の時間をかけて漸次変化するよう電圧値を入力し、その後、他方の電圧値を入力することによりオン、オフ制御を行う。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子からなる開閉回路を備えた電子遮断装置において、地絡事故や短絡事故が発生したとき、短時間で給電路を遮断すること。
【解決手段】 主開閉回路２２のＩＧＢＴ１，２は、逆方向に直列に接続し、両ＩＧＢＴのゲートは、共通に接続してある。またＩＧＢＴ１，２には、夫々ダイオードＤ１，Ｄ２を逆極性になるように接続してある。ＩＧＢＴ１，２は、主制御回路２４からゲートＧへゲート電圧が送られている間導通し、ゲート電圧が停止すると非導通になる。変流器ＣＴ１は、地絡電流を検出し、変流器ＣＴ２は、短絡電流を検出する。主制御回路２４は、変流器ＣＴ１，２の検出電流を設定値と比較して、設定値を超えると、ＩＧＢＴ１，２のゲートＧへ送出しているゲート電圧を停止する。そのとき主開閉回路２２は、給電路を遮断する。 （もっと読む）

【課題】サステイン電圧より小さい値の電圧をスキャン電極とサステイン電極に印加して放電を保持することができるプラズマディスプレイ装置及び駆動方法を提供する。
【解決手段】スキャン電極Ｙに陽（＋）の電圧と陰（−）の電圧とを交互に印加し、スキャン電極Ｙに印加される電圧の極性と反対の電圧をサステイン電極Ｚに交互に印加する。
スキャン電極及びサステイン電極を含むプラズマディスプレイパネルと、サステイン期間に前記スキャン電極に陽（＋）の第１の電圧と陰（−）の第２の電圧が交互に印加される時毎に、前記サステイン電極に陰（−）の第４の電圧と陽（＋）の第３の電圧を交互に印加する電極駆動部とを含むプラズマディスプレイ装置。 （もっと読む）