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Fターム[5J056DD14]の内容

論理回路 (30,215) | 構成要素(素子) (5,667) | トランジスタ(UJT、IGBT他) (4,294) | FET (1,892) | GaAsFET、ショットキーFET (7)

Fターム[5J056DD14]に分類される特許

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【課題】安定した高速動作を実現しつつ、製造工程も簡素化することが可能な論理回路を提供すること。
【解決手段】この論理回路1は、バイアス電源とグラウンドとの間で直列に接続され、それぞれのゲート端子に入力電圧が印加される第1及び第2のFET2A,2Bを備える論理回路であって、第1及び第2のFET2A,2BのうちのFET2Aは、ゲート端子が接続されるゲート電極膜17と、半導体材料からなるチャネル層12と、ゲート電極膜17とチャネル層12との間に配置され、電荷を蓄積及び放出する電荷蓄積構造を含む電荷蓄積層16と、を有する。 (もっと読む)


【課題】デプレション型の単極性のトランジスタでも動作可能な論理回路を提供することを課題とする。
【解決手段】ソースフォロワ回路と、該ソースフォロワ回路の出力部が入力部に接続され、具備するトランジスタのすべてが単極性の論理回路と、を有し、ソースフォロワ回路に接続されている低電位側の配線の電位は、該トランジスタのすべてが単極性の論理回路に接続されている低電位側の配線よりも低くして論理回路を構成する。このようにすることで、デプレション型の単極性のトランジスタでも動作可能な論理回路を提供することができる。 (もっと読む)


電流制限差動入力段は、入力信号(IN)を電流制限トランジスタ又はダイオード構成(E6,E7)によって生成される基準電圧(Vref)と比較する。電流制限器は、Dモードフィードバックトランジスタ(D2;D3)であって、ゲート・ソース接合を有し、ゲート・ソース電圧が負の閾値電圧よりも大きな負の場合にはソースとドレインの間を導通せず、そうでなければソースとドレインの間を導通するDモードフィードバックトランジスタ(D2;D3)と、Dモードフィードバックトランジスタのソースを、電圧降下を生じさせる構成要素(E4,E5;E8,E9)を介してDモードフィードバックトランジスタのゲートに接続するフィードバック接続ライン(13;23)とを備える。
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本回路は、ゲート・ソース接合を有するEモードトランジスタ(E3)と、ゲート・ソース接合を有するDモードトランジスタ(D)と、Dモードトランジスタのソース(4)とEモードトランジスタのドレイン(2)との間に電圧降下を生じさせる構成要素(E1、E2)と、Eモードトランジスタのドレイン(2)とDモードトランジスタのゲート(6)との間の接続ラインとを備える。Eモードトランジスタのゲート(3)は入力信号(IN)用に設けられ、Eモードトランジスタのドレイン(2)は出力信号(OUT)用に設けられる。本回路は、低電流を流すのみでGaAsテクノロジーにおける論理回路を動作させることができる。
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本回路は、ゲート・ソース接合を有するEモードトランジスタ(E3,E4,E5)と、ゲート・ソース接合を有するDモードトランジスタ(D)と、Dモードトランジスタのソース(4)と信号出力(OUT)端として設けられるEモードトランジスタのドレイン(2)との間に電圧降下(E1,E2)を生じさせる構成要素と、Eモードトランジスタのドレイン(2)とDモードトランジスタのゲート(6)との間の接続ラインと、Eモードトランジスタのゲート(3,24,27)の信号入力(IN)端とを備える。Eモードトランジスタは、NAND及び/又はNOR論理回路として動作するように配置される。本回路は、低い電流を流すのみで、GaAsテクノロジーにおける論理回路を動作させることができる。
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【課題】チップ面積を増大させることなく、かつ入力端子への流入電流がより少ないレベル変換回路を提供する。
【解決手段】ゲート接地回路101の出力をソースフォロア回路102の入力にカスケード接続し、ソースフォロア回路102のソース端子には、レベルシフト回路103とソースフォロア負荷抵抗104を接続する。ソースフォロア回路102は、ハイインピーダンス入力であるため、小さなソースフォロア負荷抵抗を用いても入力端子111への流入電流を小さくすることができ、かつ小さなチップ面積を実現できる。 (もっと読む)


【課題】 高周波スイッチSWの前段に接続される素子の出力インピーダンスとの最適化を簡便に行え、高周波スイッチSWから発生する高調波を抑制できる高周波スイッチ回路を提供する。
【解決手段】 高周波スイッチSWの送信波入力側端子Pbは、直接第1端子P1に接続されると共に移相器PS2、PS3、PS4を介してそれぞれ第2端子P2、第3端子P3、第4端子P4に分岐され、
各端子P1〜P4での移相量が360度を等間隔に分割するように各移相器PS2〜PS4のインダクタンス及びキャパシタンスが好適に選定されている。
これにより高周波スイッチSWの送信波入力側に接続されるローパスフィルタLPF等のとの接続点の条件(インピーダンス)に良好な入力側端子を選択可能にしている。 (もっと読む)


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