【課題】外部から印加された電圧のノイズを減少させて電圧を安定化させる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明は、電圧ノイズを減少させて電圧を安定化させる半導体集積回路において、第１電流が流れる第１内部回路と、第２電流が流れる第２内部回路と、前記第１電流のうちの一部と前記第２電流のうちの一部は第１接地パッドに流れ、残りの前記第１電流と残りの前記第２電流は第２接地パッドに流れるように構成された電圧安定化部とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】出力回路のＳＳＮ（Ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ Ｎｏｉｓｅ）の振動ノイズの低減を可能とする半導体装置の提供。
【解決手段】第１及び第２の電源線と、前記第１の電源線ＶＤＤＱと前記第２の電源線ＶＳＳＱとの間に配置された出力回路１２と、前記第１の電源線と前記第２の電源線との間に配置されたノイズキャンセル回路１３とを備え、前記ノイズキャンセル回路１３は、前記出力回路の前記出力ノードの論理レベルへの切り替え時に発生する所定の周期で指数関数的に減衰振動する電源ノイズに対して、前記電源に、前記振動から半周期分遅れ、前記振動と逆向きに減衰振動する電源ノイズを発生し、互いに打ち消し合わせる。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路のチップ面積とコストの増加や、電気的特性の問題を招くことなく、出力バッファ回路の出力電圧のリンギングを抑制する。
【解決手段】半導体集積回路２００は、電源線１０、電源抵抗１１、接地線１２、接地抵抗１３、出力バッファ回路１４，１５，１６、電源端子ＰＶｄｄ、接地端子ＰＶｓｓ、出力端子ＰＯ１，ＰＯ２，ＰＯ３、及びリード端子１７，１８を含んで構成される。電源抵抗１１は、電源線１０と出力バッファ回路１４の電源電位入力端との接続点Ｎ１と電源端子ＰＶｄｄとの間に接続されている。接地抵抗１３は、接地線１２と出力バッファ回路１４の接地電位入力端との接続点Ｎ４と接地端子ＰＶｓｓとの間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】従来技術において、制御回路に発生する電源ノイズを出力バッファに影響させないようにするには、出力バッファと制御回路の電源ラインを別々に設ける方法があった。しかし、この方法には、電源・グランドピン数の増加、給電ラインインダクタンスの増加といった問題があった。
【解決手段】本発明では、上記課題である（１）電源・グランドピン数増加と（２）給電ラインインダクタンスの増加を生じることなく、制御回路で問題となるノイズが出力バッファに回り込まないような技術を提供する。具体的な手法は、（Ａ）制御回路用のオンチップバイパスキャパシタンスを設け、AC的に制御回路と出力バッファの給電経路を切り分ける方法、と（Ｂ）給電経路の電気パラメータノイズの振動モードが過減衰になるような設計（抵抗の挿入）をする方法がある。 （もっと読む）

【課題】パワースイッチをオンとする際に発生する電源ノイズが許容値を超えないようにし、かつ、内部回路に与える電源電圧の立ち上がり時間を短縮することができるようにした半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】信号処理回路１５に対する電源投入時に、パワースイッチをなすＮＭＯＳトランジスタ２１−１〜２１−４、２２−１〜２２−４のうち、まず、ＮＭＯＳトランジスタ２１−１〜２１−４をオンとする。その後、信号処理回路１５が出力端子２０−１に出力する出力信号ＯＵＴの電圧変化を検出し、電源ノイズがピーク値に達したことが検出されると、ＮＭＯＳトランジスタ２２−１〜２２−４をオンとする。 （もっと読む）

【課題】外部から印加された電圧のノイズを減少させて電圧を安定化させる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】本発明は、電圧ノイズを減少させて電圧を安定化させる半導体集積回路において、第１電圧パッド１、第２電圧パッド３、及び前記第１電圧パッド１と前記第２電圧パッド３との間に接続された電圧安定化部１００を含み、前記第１電圧パッド１は、第１内部回路１０に接続され、前記第２電圧パッド３は、第２内部回路２０に接続されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ロジック回路の高速動作に伴う電源変動を抑制する。
【解決手段】第一配線と第二配線との間に第一線間電圧が与えられ、該第一配線と第三配線との間に該第一線間電圧以上の第二線間電圧が与えられ、該第三配線と該第一配線との間に設けられた第一容量値を有する容量素子と、該容量素子と該第三配線との間に設けられ該第三配線から該容量素子へ流れる電流を制限する電流制限部と、該第二配線と該容量素子との間に接続した第一スイッチ素子と、該第一線間電圧に応じて該第一スイッチ素子を制御する電圧検出部とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線のための面積増加なしに各トランジスタの入力信号の強度及び位相を均一にできる並列接続トランジスタを提供する。
【解決手段】並列接続トランジスタ５０は、信号入力端子６０に接続される伝送線路７０、７２と、伝送線路７０及び７２に沿って一列に配列されたトランジスタ８４−１〜８４−８及び８８−１〜８８−８と、伝送線路７０、７２に沿って一列に配列され、伝送線路７０、７２に一端が接続され、トランジスタ８４−１〜８４−８及び８８−１〜８８−８の対応する１つのベース端子に他端が接続された複数の容量素子８２−１〜８２−８及び８６−１〜８６−８とを含み、容量素子８２−１〜８２−８及び８６−１〜８６−８の容量値は、信号入力端子６０からの伝送線路の線路長が大きいほど、小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内部のクロストークによる基準信号への影響を無くすようにした基準信号供給装置を提供する。
【解決手段】ＩＣパッケージ１と基準信号発生部３との間を、ＩＣパッケージ１の特性インピーダンスに比して低い特性インピーダンスの伝送線路２により接続してＩＣパッケージ１から基準信号発生部３側を見た場合に、見かけ上の電気長が無限大になるようにし、かつＩＣパッケージ１で発生したクロストークによる信号をＩＣパッケージ１内に送り返すようにして、ＩＣパッケージ１内でクロストークによる信号の相殺ループを形成するようにし、また伝送線路２を通過した高周波成分つまり交流成分の信号を伝送線路２と直列に接続した抵抗Ｒにて吸収するようにしている。 （もっと読む）

【課題】 動作速度を犠牲にせず、半導体集積回路の出力信号のリンギングを低減する。
【解決手段】 リンギング低減回路４０ＮＡは、出力信号線１２０および低電位電源線１１２間のＮチャネルトランジスタ４０１と、コンパレータ４１０とを有する。コンパレータ４１０は、出力信号ＯＵＴを高電位電源線１１１のレベルＰＶＤＤＩと比較し、出力信号ＯＵＴがレベルＰＶＤＤＩを越えるオーバシュートが発生しているとき、Ｎチャネルトランジスタ４０１をＯＮ状態とし、オーバシュートを低減する。リンギング低減回路４０ＰＡは、同様の原理により、出力信号ＯＵＴのアンダシュートを低減する。 （もっと読む）

【課題】波形品質の劣化、電源バウンス、及び電磁波放射を抑制して、高速動作を実現すると共に、使用ピンの数の増大及び回路規模の拡大を抑制することができるようにする。
【解決手段】バス回路１０は、伝送線路１２と、伝送線路１２の送信端に接続されたオープンドレインのＰＭＯＳ素子からなる駆動スイッチング回路１４と、一端が伝送線路１２の受信端に接続された終端抵抗１６と、インダクタンス成分を有する接続回路２０を介して、終端抵抗１６の他端に接続され、終端電位となっている電源２２と、終端抵抗１６の一端に接続され、かつ、信号を受信するためのレシーバ素子１８とを備える。バス回路１０は、ドレインが、終端抵抗１６を迂回するように接続回路２０を介して電源２２に接続され、ソースが接地されているＮＭＯＳ素子からなる迂回スイッチング回路２４を備え、迂回スイッチング回路２４のゲートは伝送線路１２の受信端に接続されている。 （もっと読む）

【課題】各モジュール間の電流消費の基を減少させ、損失の低減を図る。
【解決手段】回路であって、第１及び第２基準電位の間に直列に接続された２^ｎ個のモジュール３０，３４を備え、２^ｎ−１個のノード５２は２^ｎ個のモジュール３０，３４の隣接する複数のモジュールの間に配置され、それぞれの２^ｎ−１個の２：１ＤＣ／ＤＣコンバータ１００は、２^ｎ−１個のノードのうちのそれぞれ１つと連通し、モジュール間の電流の不一致を制御する。 （もっと読む）