【課題】シャントの寄生キャパシタンス成分を相殺することができ、高域周波数帯における特性劣化を抑圧することができる高周波多段能動回路を得る。
【解決手段】高周波多段能動回路の段間インピーダンス整合回路２０として、誘電体基板２１上において一対の長さ１／４波長未満のくし型の導体電極パターンを対向して形成されるインターデジタルキャパシタを含み、かつこのインターデジタルキャパシタのくし型電極２３ａ、２３ｂの要部に誘導性スタブを接続し、かつこの誘導性スタブを介して能動デバイス１０、３０へのバイアス電圧を印加した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、整合条件を変更するための制御回路を必要とせずに、複数の周波数帯で利用可能となる簡素な構成の高周波増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】パッケージ基板と、該パッケージ基板の表面に設置された増幅能動素子と、該増幅能動素子と接続されて高周波信号を伝送する伝送線路とを有する。そして、一端が該伝送線路にシャント接続されたＳＭＤ部品と、該ＳＭＤ部品の他端と接続され一部が該パッケージ基板の裏面に露出するＳＭＤ部品用端子と、該伝送線路のうち該増幅能動素子と接続された部分と反対側の端部と接続され、一部が該パッケージ基板の裏面に露出する外部端子とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】マルチバンド対応のインピーダンス整合回路を低損失で実現する。
【解決手段】
信号経路上に直列に接続される、第１整合部と、第１直列整合手段と第１並列整合手段とからなる第２整合部と、第２直列整合手段とスイッチと第２並列整合手段とからなる第３整合部とにより構成され、第１の周波数では第１整合部を適宜設計することにより、第２の周波数では各直列・並列整合手段を適宜設計することにより整合対象のインピーダンスに整合される。第１並列整合手段は第１の周波数にて信号経路から切り離されるように設計され、第２整合部と第３整合部は、第２の周波数にて第２整合部と第３整合部との接続点から回路素子側を見たインピーダンスと整合対象のインピーダンスとの変換比が、第１整合部と第２整合部との接続点から回路素子側を見たインピーダンスと整合対象のインピーダンスとの変換比より小さくなるように設計される。 （もっと読む）

【課題】良好な周波数特性を得ることができるバイアス回路を提供する。
【解決手段】信号が入力される信号線路入力端子１２から能動素子１０の入力端子に至る入力線路１１と、能動素子の出力端子から信号を出力する信号線路出力端子２２に至る出力線路２１とを備えた回路に設けられ、能動素子に直流電力を供給する基板上に形成されたバイアス回路において、直流電力が供給される給電線路２７ａと、出力線路と給電線路とを接続する曲げ加工された架橋形の金属構造体２０と、給電線路と金属構造体との接続点と接地との間に設けられた容量素子２６を備えている。 （もっと読む）

【課題】周波数依存性が極力少ないＲＦ接地回路を有し、かつ、チップ面積を増加させることのない電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅用バイポーラトランジスタ１へベースバイアス電流をエミッタフォロワにより供給する第２のバイポーラトランジスタ２のベースとアースとの間には、第１及び第２のダイオード５，６が、各々のアノードが第２のバイポーラトランジスタ２のベース側に位置するように直列接続されると共に、当該ベースには、エミッタ接地された第３のバイポーラトランジスタ３のコレクタが接続される一方、第３のバイポーラトランジスタ３のベースは、第１及び第２のダイオード５，６の段間に接続されており、第３のバイポーラトランジスタ３により周波数依存性が極めて小さなＲＦ接地効果が得られるようになっている。 （もっと読む）