【課題】出力特性の平坦度が良好な広帯域増幅器を提供する。
【解決手段】第１中心周波数有する第１増幅ユニットと、第１増幅ユニットに並列に配置され、第１中心周波数よりも高い第２中心周波数を有する第２増幅ユニットと、第１増幅ユニットの入力と第２増幅ユニットの入力に接続された電力分配器と、第１増幅ユニットの出力と第２増幅ユニットの出力に接続された電力合成器とを備える広帯域増幅器。 （もっと読む）

【課題】小型化及び利得等の高周波性能の向上を図ることができる半導体装置として、実用的な高周波増幅器を実現する。
【解決手段】トランジスタ１０１の入力端に配線層１０３がコプレーナ線路で接続されており、配線層１０３には、開放端を有する配線層１０４が二つの方向に分岐されて終端され、配線層１０３上の位置から、高周波信号が入出力される。 （もっと読む）

無線アプリケーション用の５Ｗを超える電力で動作する高出力半導体素子（４００）は、高出力半導体素子の活性領域（４０４）を含む半導体基板（４０２）と、高出力半導体素子の活性領域にコンタクトを提供する、半導体基板上に形成された接触領域（４０８）と、半導体基板の一部を覆うように形成された誘電体層（４１２）と、高出力半導体素子に外部接続部を提供するリード線（５００、５０２）と、高出力半導体素子の活性領域とリード線との間の半導体基板上に形成されたインピーダンス整合回路網（５１０、５１２）であって、インピーダンス整合回路網は、誘電体層上に形成された複数の導体線（４１４）であって、活性領域の接触領域に高出力接続部を提供する、接触領域に結合された複数の導体線を含み、該複数の導体線はインピーダンス整合のための所定のインダクタンスを有する、インピーダンス整合回路網とを備える。
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【課題】ＭＭＩＣ用のインピーダンス整合を、比較的少ない占有面積で実現するとともに、インピーダンスマッチング調整のためのスイッチのオン抵抗による信号の減衰を最小限にとどめる。
【解決手段】 ＭＥＭＳスイッチ１をオンにしてオープンスタブ１７の長さをＭＥＭＳスイッチ１と調整用ランド９の長さを足した分長くすることによりＦＥＴ２５の入力におけるインピーダンス整合のための調整を行う。オープンスタブ１８〜２４についても同様の調整を行。ＭＥＭＳスイッチ１〜８をオンにしてオープンスタブ長を長くして特性が悪化した場合は、ＭＥＭＳスイッチをオフにして元の状態に戻す。８つのＭＥＭＳスイッチのオン／オフにより２５６通りの調整が可能になる。ＭＥＭＳスイッチ１〜８は、インピーダンスの高いオープンスタブ先端近くに位置しているため、スイッチのオン抵抗による信号の減衰はほとんどない。 （もっと読む）

【課題】 増幅素子の製造時における特性のばらつきを補償して所望の増幅特性を有し、かつ小型化・高集積化を図ることのできる高周波増幅器を得る。
【解決手段】 入力インピーダンス整合用に設けた先端短絡スタブ２のゲートバイアス印加端子側６と接地との間に可変容量素子７を接続し、この可変容量素子７の容量値をゲートバイアス電圧値を調整することによって変化させ、先端短絡スタブ２の電気長を等価的に変化させる。そして、高周波増幅器の入力側のインピーダンスを所定の値に整合させ、所望の増幅特性を得る。 （もっと読む）

【課題】従来は高誘電率基板またはMOS-Cで整合を取っていたが、高誘電率基板やMOS-Cは回路損失が大きい。また、部品点数が多く、ダイボンディングやワイヤボンディングの組立工程が多い。さらに、各素子間を金ワイヤによってワイヤボンディングするためワイヤ長がばらつき、整合回路内蔵高出力半導体トランジスタの特性がばらつく問題があった。
【解決手段】本発明は、半導体トランジスタ素子が接合され、整合回路が備えられた多層基板の、ＲＦ信号入力端子と半導体トランジスタ素子の入力電極の間、または半導体トランジスタ素子の出力電極とＲＦ信号出力端子の間に半導体トランジスタの整合素子として多層キャパシタを備え、この多層キャパシタの入出力端子の少なくとも一方が多層基板の中層に設けられているものである。 （もっと読む）