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Fターム[5J098AC21]の内容

能動素子を用いた回路網 (5,588) | 回路特性を可変するための構成 (1,170) | 可変要素 (423) | 可変電圧源 (13)

Fターム[5J098AC21]に分類される特許

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【課題】アクティブインダクタを提供する。
【解決手段】ソース、ドレイン、及びゲートを含むpMOSトランジスタであって、前記pMOSトランジスタの前記ソースが電源Vddと接続し、抵抗Rの一端が前記pMOSトランジスタの前記ゲートに接続し、前記抵抗Rの他端が前記pMOSトランジスタの前記ドレインに接続している回路において、電源からの直流バイアスの略フルレンジに対して、インダクテイブインピーダンスを生成し、インダクタの特性を有する。 (もっと読む)


【課題】電源ノイズにより遅延時間が影響を受けにくい遅延回路及び遅延回路を用いた電圧制御発振回路を提供する。
【解決手段】第1及び第2の電源端子と一対の差動信号入力端子と一対の差動信号出力端子とを備え、一対の差動信号入力端子から入力した信号を遅延させて一対の差動信号出力端子から出力する遅延部と、電流制御端子により制御された電源電流を遅延部の第1の電源端子と第2の電源端子との間に流すように制御する電流制御部と、第1及び第2の電源端子の電圧が一定の電圧になるように制御する電圧制御部と、を備える。 (もっと読む)


【課題】抵抗を広い範囲で変化させることができる可変抵抗制御回路及び可変抵抗器を提供すること
【解決手段】本発明にかかる可変抵抗制御回路は、電源10と、電源10よりも低い電位を有する電源11との間に設けられ、電源10と接続される抵抗21と、電源10と、電源11との間に設けられ、前記抵抗21と直列に接続されるMOSトランジスタ31と、電源10と、電源11との間に設けられ、前記MOSトランジスタ31と直列に接続されるMOSトランジスタ32と、抵抗21とMOSトランジスタ31との節点における電圧と、制御電圧とに基づいて、MOSトランジスタ32にゲート電圧を出力するオペアンプ41とを備え、オペアンプ41は、ゲート電圧に基づいて抵抗値が制御される外部の可変抵抗に対してゲート電圧を出力するものである。 (もっと読む)


プログラム可能電流の送信連続時間フィルタ(TX−CTF)システムは無線周波数(RF)送信機に含まれ得る。TX−CTFの入力はベースバンド送信信号を受信することができ、TX−CTFの出力はアップコンバージョンミキサに供給されて、送信用のRFに変換され得る。TX−CTFは、フィルタパラメータをともに規定する増幅回路および受動回路を含む。TX−CTFはさらに、プログラム可能バイアス電流を増幅回路に供給するプログラム可能電流回路を含む。TX−CTFシステムはまた、1つ以上の送信機制御信号を受信し、これに応じて、TX−CTFに供給されるバイアス電流を制御する信号を生成する制御論理を含む。
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【課題】バンドパスフィルタの中心周波数の調整を不要とすることで、煩雑な調整工程を省略することができる受信素子を提供する。
【解決手段】受信素子3は、受信信号の搬送波近傍の周波数帯域を通過させる中心周波数を有し、前記中心周波数が調整可能なバンドパスフィルタ(BPF)部3bと、BPF部3bからの出力信号を復調する復調回路部3cと、受信信号が入力され、中心周波数が遮断周波数に設定されたハイパスフィルタ(HPF)部3duおよびローパスフィルタ(LPF)部3dwと、HPF部3duおよびLPF部3dwのそれぞれの出力信号の電圧レベルを比較する比較回路部3dyと、比較回路部3dyで比較した結果、HPF部3duからの出力信号の電圧レベルが高ければ中心周波数を上昇させ、LPF部3dwからの出力信号の電圧レベルが高ければ中心周波数を低減させるようBPF部3bを調整するバイアス回路部3dzとを備えている。 (もっと読む)


チューナブルインピーダンス回路は、コンデンサC1、C2、インダクタL1及び、インダクタL1と磁気的に結合するインダクタL2を備える。可変な位相と振幅を持つ、制御回路13からの制御電流Icontrolは、インダクタL2に流れる。インダクタL1のインピーダンスは、制御電流Icontrolの位相と振幅を変化させることによって、変化される。出力インピーダンスは、インピーダンス回路12aの有効インダクタンスと有効クオリティファクタを、RF PA11の出力電流IRFに対する制御電流Icontrolの位相と振幅によって、最適に設定することによって、最適なレベルに設定される。 (もっと読む)


【課題】消費電力を低減し、かつ生成する遅延時間の誤差を縮小し得る遅延回路を提供する。
【解決手段】単位遅延時間のほぼ2倍の遅延時間を生成する複数の第一の遅延ユニットY1〜Y16と、単位遅延時間を生成する第二の遅延ユニットX1と、第一の遅延ユニットを直列に接続し、終段の第一の遅延ユニットY16に第二の遅延ユニットX1を接続することと、初段の第一の遅延ユニットY1に外部入力信号Dinを入力するとともに、各第一の遅延ユニットと第二の遅延ユニットには外部入力信号Dinを入力することと、第一の遅延ユニット及び第二の遅延ユニットは、前段の遅延ユニットの出力信号と外部入力信号のいずれかを遅延させて出力するスイッチ回路を備えることと、終段の第一の遅延ユニットY16の出力信号と第二の遅延ユニットX1の出力信号のいずれかを選択するセレクタ2とを備えた。 (もっと読む)


【課題】シングル入力によるコモンモードノイズの影響を低減し、差動入力タイプの機器の使用を実現する。
【解決手段】シングル入力信号を入力とする外部入力端子と、シングル入力信号を反転入力端子への入力とする第1の演算増幅器と、第1の演算増幅器の出力端子と反転入力端子間に設けられた第1の帰還回路と、第1の基準電圧源から出力される第1の基準電圧信号を分圧して第1の演算増幅器の非反転入力端子に出力する第1の分圧回路と、第1の演算増幅器の出力信号を反転入力端子への入力とする第2の演算増幅器と、第2の演算増幅器の出力端子と反転入力端子間に設けられた第2の帰還回路と、第2の基準電圧源から出力される第2の基準電圧信号を分圧して第2の演算増幅器の非反転入力端子に出力する第2の分圧回路と、第1の演算増幅器の出力端子と接続された第1の外部出力端子と第2の演算増幅器の出力端子と接続された第2の外部出力端子とを具備する。 (もっと読む)


【課題】ジャイレータのソースやゲートの電位の収束性を向上させ、かつ、Qの温度補償が可能なCMOSアクティブインダクタを提供する。
【解決手段】 本発明のCMOSアクティブインダクタは、一方の差動増幅回路M、Mの各ゲートと他方の差動増幅回路M、Mの各ドレインとを極性反転したジャイレータ410と、インダクタンス値を定める参照電流を制御する参照電流源412と、参照電流のカレントミラーにより、ジャイレータの各ソースにバイアス電流を供給する第1電流源回路414と、基準電圧を生成する基準電圧源422と、ジャイレータの各ソースの同相電位を基準電圧と比較する比較器424と、比較器の出力をフィードバックした電流のカレントミラーによりジャイレータの各ドレインにバイアス電流を供給する第2電流源回路426と、を備えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ダミーフィルタの次数とメインフィルタの次数とが異なっていても、メインフィルタの周波数特性を所望の特性に調整することができるようにする。
【解決手段】ダミーフィルタ2の制御電圧Vcdを出力する第1のオペアンプ5とメインフィルタ1との間にインタフェース回路6として第2のオペアンプ7を配置し、第2のオペアンプ7の基準電圧Vrを最適化することにより、ダミーフィルタ2を用いて得られた制御電圧Vcdがインタフェース回路6によってメインフィルタ1に最適な制御電圧Vcmに変換されるようにして、メインフィルタ1の周波数特性を所望の特性に調整するのに必要な最適な制御電圧Vcmを得ることができようにする。 (もっと読む)


【課題】 可変MOS抵抗と基準MOS抵抗のドレイン・ソース電圧を同じにしなくとも可変抵抗としての動作を好適に実現する。
【解決手段】 基準MOS抵抗において発生する電圧が基準電圧と一定となるように制御されたゲート電圧Vp11を基準に、可変MOS抵抗のゲート電圧Vp12を制御する。基準MOS抵抗のドレイン〜ソース間には、同抵抗の抵抗体R11及びR12が直列接続された抵抗が並列接続され、直列接続された抵抗の中点から基準MOS抵抗のドレイン・ソース電圧Vdsの1/2を検出する。基準MOS抵抗のゲート電圧Vp11からVds/2を減じた電圧を可変抵抗のゲート電圧Vp12とする。 (もっと読む)


【課題】差動制御電圧に動作不能電圧域がなく、これを電圧制御遅延回路や電圧制御発振回路等に使用する場合には、これらの安定動作を確保することができるようにした可変遅延回路を提供する。
【解決手段】ドレインをトランジスタT3のドレインに接続し、ソースをトランジスタT3のソースに接続し、ゲートを反転制御電圧入力端子5に接続したトランジスタT12を設ける。好適には、更に、正帰還用の差動回路11のトランジスタT4〜T6の相互コンダクタンスを初段の差動回路16のトランジスタT1〜T3より小さくする。 (もっと読む)


【課題】温度ドリフトに対して周波数安定性を有するFBARデバイスを提供する。
【解決手段】圧電薄膜共振器(FBAR)は、上部電極および下部電極の間に配設された圧電膜を有する。温度センサは、FBARにおいて温度が原因で生じる周波数ドリフトを決定するべく温度を検出する。電圧制御器は、温度センサに接続され、温度が原因で生じる周波数ドリフトを補正するべく、電圧により周波数ドリフトを逆方向に生じさせるように、FBARに直流(DC)バイアス電圧を供給する。 (もっと読む)


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