【課題】非線形的な電荷転送動作およびＦＥＴドレイン電圧Ｖ_５の変化という２つの誤差要因による影響が大幅に低減されている電荷転送回路を提供する。
【解決手段】入力電荷を保持する入力電荷保持素子５１と、出力電荷を保持する出力電荷保持素子５３と、入力端子５４、出力端子５５およびゲート端子５７を有する電荷転送素子５２であって、入力端子５４は、入力電荷保持素子５１からの電荷を受け取るように連結されおり、出力端子５５は、ゲート端子５７に印加される電荷転送制御信号によって制御されて出力電荷保持素子５３に電荷を提供するように、連結されている、電荷転送素子５２と、入力電荷保持素子５１に連結されている入力端子、および、電荷転送素子５２のゲート端子５７に連結されている出力端子を有し、電荷転送制御信号を提供する増幅器５６，５８とを備える。 （もっと読む）

【課題】通過周波数を変化させても通過帯域の周波数幅と通過域利得が変化しないよう改良された同調回路を提供することを主要な目的とする。
【解決手段】本発明の同調回路は可変利得減衰器１３を備え、上記可変利得減衰器１３の入出力端子をインダクタ１４で帰還をかけ、上記可変利得減衰器１３の利得を変えることで、見かけ上インダクタ値を変え、それによって、同調周波数を設定することを特徴とする。上記した構成を用いて同調回路を構成した場合、通過周波数を広く設定しても、通過帯域の周波数幅と、通過域利得が変化しない同調回路が構成できる。 （もっと読む）

【課題】全体のレイアウト面積を抑制でき、アナログ回路を正しく動作させることができるバイアス電圧供給回路を提供する。
【解決手段】バイアス電圧供給回路１００は、アナログ回路ＡＣの信号ラインＳＬ１にバイアス電圧Ｖｂを印加するバイアス電圧供給回路であって、基準電圧ライン２０と、抵抗生成部１３０と、抵抗変化抑制部１４０とを備える。基準電圧ライン２０には、第１基準電圧Ｖｂが供給されている。抵抗生成部１３０は、信号ラインＳＬ１と基準電圧ライン２０とに接続されている。抵抗生成部１３０は、トランジスタを用いて抵抗を生成する。抵抗変化抑制部１４０は、抵抗生成部１３０の抵抗Ｒ１３０の値の変化を抑制する。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）内に集積可能であり、かつ簡便な構成の可変減衰器を提供する。
【解決手段】可変減衰器１００は、間を空けて対向して配置されている伝送線路１０３、１０４と、接地されている接地電極１１２と、伝送線路１０３、１０４の対向する各端部および接地電極１１２に接続されている抵抗体１１０と、対向する各端部および接地電極１１２の間における抵抗体１１０の一部分と接している制御電極１７３とを備える。 （もっと読む）

【課題】
抵抗値の変動を低減することができる半導体回路及び抵抗値制御方法を提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる半導体回路は、Ｐｃｈトランジスタ１１が設けられた終端抵抗回路１０と、Ｐｃｈトランジスタ１１のゲート端子に制御信号２７を出力し、終端抵抗回路１０の抵抗値を制御する制御回路２０とを備えた半導体回路であって、制御回路２０がＰｃｈトランジスタ１１の抵抗値を変化させる特定のパラメータに対してＰｃｈトランジスタ１１と同じ方向に抵抗値が変化するＰｃｈトランジスタ２１と、Ｐｃｈトランジスタ２１よりも抵抗値の変動の小さい抵抗２３とを備え、Ｐｃｈトランジスタ２１と抵抗２３との間の電圧に基づいて制御信号２７を出力するものである。 （もっと読む）

【課題】 ＰＩＮダイオード回路１に制御電圧補償回路を接続し、制御電圧Ｖｃの変化に対する高周波抵抗Ｒｆの変化の関係をほぼ直線状にして高周波抵抗Ｒｆの調整がし易い可変抵抗回路を提供する。
【解決手段】 制御電圧ＶｃによりＰＩＮダイオード８、９の高周波抵抗Ｒｆが調整されるＰＩＮダイオード回路１、制御電圧Ｖｃの一方に、レベルシフト回路２でレベルシフトし、ツェナダイオード回路３でツェナダイオード特性を用いて非線形特性を与える第１手段、制御電圧Ｖｃの他方に、重み付け回路４で電圧オフセットを与える第２手段、第１手段及び第２手段の各出力電圧を加算する加算回路５を備え、加算回路５の出力をＰＩＮダイオード回路１に加える際に、レベルシフト回路２のシフト電圧、ツェナダイオード回路３のツェナ特性、重み付け回路４の電圧オフセットを選択調整し、ＰＩＮダイオード回路１の高周波抵抗Ｒｆの値を制御電圧Ｖｃの変化に対してほぼ直線状に変化するように設定した。 （もっと読む）

【課題】 可変ＭＯＳ抵抗と基準ＭＯＳ抵抗のドレイン・ソース電圧を同じにしなくとも可変抵抗としての動作を好適に実現する。
【解決手段】 基準ＭＯＳ抵抗において発生する電圧が基準電圧と一定となるように制御されたゲート電圧Ｖ_p11を基準に、可変ＭＯＳ抵抗のゲート電圧Ｖ_p12を制御する。基準ＭＯＳ抵抗のドレイン〜ソース間には、同抵抗の抵抗体Ｒ₁₁及びＲ₁₂が直列接続された抵抗が並列接続され、直列接続された抵抗の中点から基準ＭＯＳ抵抗のドレイン・ソース電圧Ｖ_dsの１／２を検出する。基準ＭＯＳ抵抗のゲート電圧Ｖ_p11からＶ_ds／２を減じた電圧を可変抵抗のゲート電圧Ｖ_p12とする。 （もっと読む）

【課題】 減衰量の変化範囲においても歪みの発生が少ない可変減衰回路を提供する。
【解決手段】 入力端子１１と出力端子１２との間に縦続接続して介挿された二つのスイッチ素子１３、１４と、スイッチ素子１３、１４の出力端子１２側の一端をグランドにシャントする充電コンデンサ１５、１６とを備え、スイッチ素子１３、１４にそれぞれ放電抵抗１７、１８を並列接続し、スイッチ素子１３、１４を減衰量に対応した繰り返し周波数でオン／オフすることで信号を断続し、オン時に信号の電圧を充電コンデンサ１５、１６に充電し、オフ時に放電抵抗１７、１８で放電した。 （もっと読む）

【課題】温度ドリフトが存在せず、外部からの抵抗値の調整が不要である抵抗素子を得ること。
【解決手段】この発明は、基準抵抗２からの電流とＭＯＳトランジスタ３からの電流とを積分する積分器９からなるマスター回路１１と、ＭＯＳトランジスタ５からなるスレーブ回路１２とを備えている。ＭＯＳトランジスタ３およびＭＯＳトランジスタ５の各ゲートに積分器９の出力をそれぞれ印加させ、ＭＯＳトランジスタ３とＭＯＳトランジスタ５が同様または同じ比率の抵抗素子として動作させるようになっている。 （もっと読む）

【課題】 回路構成が簡単で、減衰対象とする信号周波数領域の上限周波数が数ギガヘルツ（ＧＨｚ）程度であっても信号減衰量の最大値を大きくすることが可能な可変減衰回路１を提供する。
【解決手段】 ベース接地接続されたトランジスタ２と、トランジスタ２のコレクタと交流接地点間に接続された数オーム程度の微小抵抗値のコレクタ負荷抵抗３と、信号減衰度を調整するベースに接続されたバイアス調整抵抗６とを有し、トランジスタ２のエミッタに入力信号が供給され、コレクタから減衰された出力信号が導出される。
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