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Fターム[5J500AA14]の内容

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Fターム[5J500AA14]に分類される特許

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【課題】高い周波数までの二次歪成分を除去し、出力電流信号の線形性を向上させることができ、二次歪耐性(IIP2)を向上させることができる広帯域増幅器を実現する。
【解決手段】第1及び第2のMOSトランジスタQ1,Q2による差動対が発生する二次歪成分電流と逆極性の電流信号を差動対の負荷電流源となる第3及び第4のMOSトランジスタQ3,Q4によって発生し、逆極性の二次歪電流を相互に打ち消し合うように作用させて線形性を向上させ、更に、第1及び第2のMOSトランジスタQ1,Q2の入力へのバイアスを設定する第1のバイアス回路を第1及び第2のMOSトランジスタのドレイン電流が流れるように、且つ、該ドレイン電流をゲート電圧で二回微分した成分の絶対値が極小となるようなバイアス値を得るようにし、且つ、第3及び第4のMOSトランジスタQ3,Q4のサイズを二次歪み成分が主成分である電流を生成するように設定する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ブートストラップダイオードを備える半導体装置の省エネルギー化ができる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】トーテムポール接続された高圧側パワーデバイスと低圧側パワーデバイスの駆動を制御する半導体装置であって、回路負荷を有し、該高圧側パワーデバイスを制御する高圧側駆動回路と、該低圧側パワーデバイスを制御する低圧側駆動回路と、該低圧側駆動回路と接続され該低圧側駆動回路の電源電位であるVCC電位を該低圧側駆動回路に与えるVCC端子と、アノードが該VCC端子と接続されカソードが該高圧側駆動回路と接続され、該高圧側駆動回路の電源電位であるVB電位の充電に用いられるブートストラップダイオードと、該VB電位が該VCC電位よりも小さくなる前に該回路負荷を遮断する手段とを備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】出力信号が不安定になる可能性があった。
【解決手段】第1、第2の電源間に直列接続される第1、第2のトランジスタを備えた出力部と、入力パルス信号に応じて、前記第1のトランジスタがオン状態となるとき、前記第1の電源端子と前記第1のトランジスタの制御端子を導通させオン状態に駆動させる第1の駆動部と、一端が第1のノードとの間に接続されるインダクタと、前記第1のスイッチング素子の少なくともオフ後にオン状態となることで、前記第1のノードと前記第1のトランジスタの制御端子を導通し、前記第1の所定の期間後に前記第1のノードに供給される前記インダクタの逆起電力を、前記第1のトランジスタの制御端子に伝達する第2のスイッチング素子と、を有する出力駆動回路。 (もっと読む)


【課題】従来の出力駆動回路では、出力電圧が不安定になることがあった。
【解決手段】本発明は、出力段電源電圧をドレインに印加されソースが第1のノードと接続されるハイサイドトランジスタと、接地電圧をソースに印加されドレインが第1のノードと接続されるロウサイドトランジスタを備えるトーテムポール型の出力部と、第1のノードに一端を接続され、ハイサイドトランジスタのオフ時の充電電荷を、オン時にゲートに供給する容量素子を備えるブートストラップ部を有する出力駆動回路であって、駆動回路電源電圧とハイサイドトランジスタのゲート間に接続され、ハイサイドトランジスタをオンする場合に導通状態となる第1のトランジスタと、容量素子の他端とハイサイドトランジスタのゲート間に接続され、ハイサイドトランジスタをオンする場合に導通状態となる第2のトランジスタを有する出力駆動回路である。 (もっと読む)


【課題】MOSトランジスタの温度特性に起因する出力電圧の変動を低減することが可能なソースフォロワ回路を低コストに提供する。
【解決手段】第1実施形態のソースフォロワ回路10は、各トランジスタMN2,MP4を組み合わせて両者の温度特性を相補させたカレントミラー回路である出力回路12の前段に、出力回路12の温度特性を補正するための温度特性補正回路11が接続されている。そして、温度特性補正回路11を構成する各抵抗R1,R2の抵抗比を0.5に設定することにより、ソースフォロワ回路10の出力電圧VOUTの温度特性を平坦化させ、温度特性に起因する出力電圧VOUTの変動を無くすことができる。また、温度特性補正回路11は簡単な構成であるため低コストに実現できる。 (もっと読む)


【課題】ドライブ能力の向上と共に、消費電流の低減を図る。
【解決手段】出力段を構成する第2及び第3のトランジスタ2,3のベース電流をそれぞれ補償するため第1及び第2のベース電流補償回路31,32が設けられ、第2及び第3のトランジスタ2,3のベース電流が十分確保されることによるドライブ能力の向上が図られると共に、第1の定電流源21の出力電流と第1のトランジスタ1へ流れる電流をそれぞれ減らすことができ、それに伴う低電流化が可能となっている。 (もっと読む)


【課題】 線形の入出力電圧特性と高入力インピーダンスとを持ち、簡単な構成のアナログバッファ回路を提供する。
【解決手段】 第1のPMOS11,NMOS12及び第2のPMOS13を、VDDとGNDとの間に、この順で直列に接続する。全てのMOS11〜13のゲートに入力端子を共通接続し、NMOS12と第2のPMOS13の接続点に出力端子を接続する。所定範囲の入力電圧Vinが入力端子に与えら得ると、入力電圧に等しい出力電圧Voutが得られる。 (もっと読む)


【課題】出力電圧を発生させる増幅回路を備える集積回路装置を提供する。
【解決手段】バイアス制御回路(215,216)は、制御信号(SW)の状態に基づいてその出力からバイアス制御電圧(VB1,VB2)または出力電圧(VOUT+,VOUT−)を選択的に発生させる。出力ステージドライバー回路(213)は、バイアス制御回路の出力から発生した電圧に応答して動作する。 (もっと読む)


本発明は低消費電力型の電圧増幅器に関する。本増幅器は、トランジスタ(M1)、トランジスタ(M1)のドレインに電力を供給する第一の電流源(I1)、トランジスタ(M1)のソースを充電する第二の電流源(I0)を備え、第一の電流源(I1)の出力電流と第二の電流源(I0)の出力電流の値はほぼ同じである。更に、本増幅器は、トランジスタ(M1)のドレインに接続する第一のキャパシタ(C1)、及びトランジスタ(M1)のソースに接続する第二のキャパシタ(C0)を備える。電流源(I1)と第一の電界効果トランジスタ(M1)の間に、第一の電界効果トランジスタの形式と逆形式の追加的電界効果トランジスタ(M3)が挿入される。本発明は、X線又はγ線検出器の電圧増幅に特に適している。 (もっと読む)


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