【課題】 入力電圧レベルに関わらず、ソースフォロアトランジスタの閾値電圧を一定に保つことができるソースフォロア増幅器を提供すること。
【解決手段】 入力ＭＯＳＦＥＴの基板ノードと出力ノードとの間を、入力電位に関わらず、非零の一定電圧に保つ手段を有するソースフォロア増幅器において、上記手段は、入力ＭＯＳＦＥＴの出力ノードと第１の参照電圧源との間に設けられた第１のスイッチ素子と、該入力ＭＯＳＦＥＴの基板ノードと第２の参照電圧源との間に設けられた第２のスイッチ素子と、該入力ＭＯＳＦＥＴの基板ノードと出力ノードとの間に設けられた容量素子であって、入力ＭＯＳＦＥＴの動作時間の内の、校正時間には該第１及び第２のスイッチ素子を短絡し、使用時間には該第１及び第２のスイッチ素子を開放することを特徴とするソースフォロア増幅器。 （もっと読む）

【課題】増幅回路後段にて、直列に接続された高周波スイッチでのスイッチング動作により、増幅回路で負荷変動を生じ、増幅回路と高周波スイッチとが直接接続されることにより、帯域内マッチングが不整合によることで利得の低下を引き起こす。
【解決手段】高周波信号を入力する為の入力端子Ｐ１と増幅回路１０と接続され、その増幅回路１０の出力にて配線分配し、その後段で直列に接続された抵抗１１、１２と、その抵抗１１、１２と後段の高周波スイッチ１６、１７との間にはＲＣフィルタ１３が並列接続され、抵抗１４とコンデンサ１５で構成される。高周波スイッチ１６、１７のゲートには、高周波信号を入力するための入力端子Ｐ２、Ｐ３が接続される。また、高周波スイッチ１６、１７とその後段にて並列でコンデンサ１８、１９が接続されており、スイッチトキャパシタ回路を形成して、出力端子Ｐ４とＰ５に接続される。 （もっと読む）

【課題】省電力で線形性の高いトランスコンダクタを提供すること。
【解決手段】第１のゲート、第２のゲート、ソース、およびドレインをそれぞれ有し、それぞれの該第１のゲートと該第２のゲートとは独立に制御され得、該第１のゲート両者間に差動電圧入力が供給され得、該ソース両者が接続され、該第２のゲート両者に第１の制御電圧が共通に与えられ得、該ドレイン両者が差動電流出力端子である第１、第２のトランジスタと、該第１、第２のトランジスタと同様の接続を有し、上記差動電圧入力から上記差動電流出力端子への極性が逆になるように、そのドレイン両者のそれぞれが前記第１、第２のトランジスタのドレイン両者のそれぞれに接続された第３、第４のトランジスタと、第１、第２のトランジスタのソース両者および第３、第４のトランジスタのソース両者に接続された電流源とを具備する。 （もっと読む）

能動分散信号分割装置（１００、２００、３００）は、費用効果のある拡張性をもたらすアーキテクチャを有し、例えば出力信号について独立した周波数選択を含む改善された機能を提供する。実施例に従って、この装置（１００、２００、３００）は、入力源と複数の出力点とを含む。電界効果トランジスタ（Ｑ１）を含む信号分岐器は、入力信号源と複数の出力点との間で接続される。電界効果トランジスタ（Ｑ１）に接続された出力点のうちの一つはフィルタ（１０）を含む。
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【課題】ＳＮＲ劣化など他の性能を犠牲にすることなく省電力化が可能な差動増幅回路およびこれを用いたサンプルホールド回路を提供すること。
【解決手段】第１のゲート、第２のゲート、ソース、およびドレインをそれぞれ有し、それぞれの該第１のゲートと該第２のゲートとは独立に制御され得、該第１のゲート両者間に差動入力が供給され得、該ソース両者が第１の基準電位に共通接続された第１、第２のトランジスタと、第１、第２のトランジスタのドレインの側それぞれに接続された第１、第２の負荷回路と、第１、第２のトランジスタそれぞれのドレイン側両者間での同相電圧を検出する検出回路と、この同相電圧を第２の基準電位と比較して増幅し出力信号を第１、第２のトランジスタの第２のゲート両者に共通に供給する比較・増幅回路とを具備する。 （もっと読む）

【課題】増幅に伴って発生する相互変調歪信号を容易に抑制できる増幅回路を提供する。
【解決手段】
第１増幅器１０２側の経路では、入力信号を第１増幅器１０２によってＡ級増幅し、α倍に増幅する。この結果、電力αＦの入力信号成分Ｆ_１及びＦ_２と、電力Ｆ_ｋ１の相互変調歪信号成分（２Ｆ_１−Ｆ_２）及び（２Ｆ_２−Ｆ_１）が発生する。第２増幅器１０３側の経路では、入力信号を第２増幅器１０３によってＡＢ級増幅し、β倍（α＞β）に増幅する。その結果、電力βＦの入力信号成分Ｆ_１及びＦ_２と、電力Ｆ_ｋ２の歪信号成分（２Ｆ_１−Ｆ_２）及び（２Ｆ_２−Ｆ_１）が発生する。最終的に、正相で電力αＦの入力信号成分Ｆ_１、Ｆ_２、電力Ｆ_ｋ１の相互変調歪信号成分（２Ｆ_１−Ｆ_２）、及び（２Ｆ_２−Ｆ_１）と、逆相で電力βＦの入力信号成分Ｆ_１、Ｆ_２、電力Ｆ_ｋ２の歪信号成分（２Ｆ_１−Ｆ_２）、及び（２Ｆ_２−Ｆ_１）とが、合成器１０４によって合成される。 （もっと読む）

【課題】 ＧＳＭシステム（非線形動作）とＥＤＧＥシステム（線形動作）を同一回路内で共存できる高周波電力増幅モジュール及び無線通信装置の提供。
【解決手段】 多段増幅構成の高周波電力増幅モジュールであって、外部端子は入力端子，出力端子，コントロール端子，第１基準電位Ｖdd，第２基準電位Ｖss（グランド）及びモード切替端子とし、１段目半導体増幅素子をデュアルゲートＦＥＴで構成し、ドレイン寄りの第１ゲートＧ_１には抵抗を介してコントロール端子からの信号を印加し、第２ゲートＧ_２には入力端子から供給される高周波信号を印加するとともにコントロール端子からの信号電圧をバイアス回路で分圧した電位を印加し、モード切替端子からの信号によってモード切替え用トランジスタをＯＮ，ＯＦＦする。ＯＮ時ＧＳＭ用増幅系（非線形動作：最大出力３６ｄＢｍ）とし、ＯＦＦ時ＥＤＧＥ用（線形動作：最大出力２９ｄＢｍ）とする。 （もっと読む）

【課題】高電力レベルの高周波信号が入力されても低消費電力状態の維持を可能とする。
【解決手段】カスコード接続された第１及び第２のＦＥＴ１，２により増幅経路１０１においてカスコードアンプが構成され、また、第４のＦＥＴ４を中心としてバイパス経路１０２が構成される一方、第１のＦＥＴ１のドレインＤ１と第２のＦＥＴ２のソースＳ２の接続点には、第３のＦＥＴ３のドレインＤ３が接続されると共に、この第３のＦＥＴ３のソースＳ３は接地されており、高電力レベルの高周波信号が入力された際には、第１及び第２のＦＥＴ１，２を非動作状態とする一方、第３のＦＥＴ３を導通状態とすることで、第１及び第２のＦＥＴ１，２の段間を低インピーダンスにして、段間に掛かる入力信号の振幅を低減し、低消費電力状態の維持を可能としたものである。 （もっと読む）