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国際特許分類[B01L3/04]の内容

国際特許分類[B01L3/04]に分類される特許

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【課題】高純度の材料を、迅速にかつ正確に測定することが要求されている最近の分析技術に鑑み、純度の高い坩堝を使用して坩堝からの不純物の混入を抑制すると共に、高価な坩堝材料である高純度ジルコニウムの耐久性を高め、ジルコニウム坩堝の使用回数を増加させることができる分析試料の融解用ジルコニウム坩堝を提供することを課題とする。
【解決手段】分析試料の前処理に用いる融解用ジルコニウム坩堝であって、ガス成分を除く純度が3N以上であり、かつガス成分である炭素が100質量ppm以下であることを特徴とする前記ジルコニウム坩堝。 (もっと読む)


【課題】高純度の材料を、迅速にかつ正確に測定することが要求されている最近の分析技術に鑑み、純度の高いるつぼを使用してるつぼからの不純物の混入を抑制すると共に、高価なるつぼ材料である高純度ニッケルの耐久性を高め、ニッケルるつぼの使用回数を増加させることができる分析試料の融解用ニッケルるつぼを提供することを課題とする。
【解決手段】分析試料の前処理に用いる融解用ニッケルるつぼであって、ガス成分を除く純度が4N以上であり、かつガス成分である炭素が100質量ppm以下であることを特徴とする前記ニッケルるつぼ。 (もっと読む)


【課題】半導体結晶の元素の精製、複合化および成長、例えば、高温でシリコン等を溶解する分子線エピタキ法(MBE)において用いる一体もの、複数片のるつぼを提供する。
【解決手段】るつぼは、るつぼを作り上げる複数片を固定して接合する外側の被覆層を有する。本発明は、返り勾配を有する熱分解窒化ホウ素からなる構造を含む一体ものを製造する方法も提供し、前記方法により黒鉛マンドレルの複雑な張出し構造の必要がないようにする、または高温で焼成することにより黒鉛マンドレルの取り外しの必要がないようにする。 (もっと読む)


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