【課題】シリカ粒子の保存安定性が高く、金属膜や絶縁膜に欠陥を引き起こすことなくバリアメタル膜に対する高研磨速度を実現し、かつ、ウエハの金属汚染の少ない化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）２個以上のカルボキシル基を有する有機酸と、を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、前記（Ａ）シリカ粒子は、下記の化学的性質を有することを特徴とする。ＩＣＰ発光分析法またはＩＣＰ質量分析法による元素分析およびイオンクロマト法によるアンモニウムイオンの定量分析から測定されるナトリウム、カリウムおよびアンモニウムイオンの含有量が、ナトリウムの含有量：５〜５００ｐｐｍ、カリウムおよびアンモニウムイオンから選択される少なくとも１種の含有量：１００〜２００００ｐｐｍの関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の未研磨部の発生を防ぎ、良好な鏡面を得ることができ、研磨歩留や生産性を大幅に向上させることができる研磨装置を提供する。
【解決手段】定盤２上に研磨布４を貼り付けて研磨面３を形成する一方、研磨用貼付プレート６に複数の半導体基板５を貼り付け、研磨布４と研磨用貼付プレート６との間に半導体基板５を挟むように定盤２と研磨用貼付プレート６とを重ね、研磨布４上に研磨液１３を順次供給すると共に、研磨布４側に研磨用貼付プレート６を押圧しながら定盤２又は研磨用貼付プレート６を研磨面３と直交する軸回りに回転又は研磨面３と平行に移動させて半導体基板５の表面を研磨する半導体基板５の研磨装置１において、研磨布４に空気１４を噴射するエアー噴射部９を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】研削パッドの寿命及びブラシドレッサーの寿命を延長する研削パッドのコンディショニング装置及びコンディショニング方法を提供することを課題とする。
【解決手段】表裏面の各々にドレッサーの取付け面を備える平板状の台座と、研削パッド６のコンディショニング時は台座１を載置して水平回転し、ドレッサーの交換時は昇降を行うベース４と、台座１の外部に設けられたフリップユニット５とを備え、ドレッサーの交換時に、フリップユニット５にて台座１を保持し、ベース４を降下させ、台座１の表裏を反転させることで表裏面に各々取り付けられたブラシドレッサー２及びダイヤモンドドレッサー３を交換することを特徴とする研削パッド６のコンディショニング装置を用い、コンディショニングを行う際、ブラシドレッサー２とダイヤモンドドレッサー３を所定の割合で交換する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の作製において、窒化ケイ素を含む層を有する被研磨体に対する化学的機械的研磨に用いることができ、窒化ケイ素を含む層の研磨速度が迅速であり、且つ、ポリシリコン等のケイ素系化合物を含む層の研磨を選択的に抑制しうる研磨液、及びそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路を作製する際の平坦化工程において、窒化ケイ素を含む第１層と、ポリシリコン等のケイ素系化合物を含む第２層と、を少なくとも有して構成される被研磨体の化学的機械的研磨に用いられ、（ａ）コロイダルシリカと、（ｂ）分子構造中に少なくとも１つのスルホン酸基またはホスホン酸基を有し、窒化ケイ素に対する研磨促進剤として機能する有機酸と、（ｃ）水と、を含有し、ｐＨが２．５〜５．０である窒化ケイ素用研磨液。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板に銅または銅合金を含む配線層が設けられた回路基板を形成するために好適に用いられる化学機械研磨用水系分散体であって、銅または銅合金を研磨する速度が高く、段差解消性に優れ、かつ、得られる回路基板の平坦性が良好な化学機械研磨用水系分散体を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる化学機械研磨用水系分散体は、樹脂基板に銅または銅合金を含む配線層が設けられた回路基板を形成するために用いる化学機械研磨用水系分散体であって、（Ａ）有機酸と、（Ｂ）含窒素複素環化合物と、（Ｃ）酸化剤と、（Ｄ１）一次粒子径が２０〜７０ｎｍである第１の砥粒と、（Ｄ２）一次粒子径が８０〜１５０ｎｍである第２の砥粒と、を含み、前記化学機械研磨用水系分散体に対する前記（Ａ）有機酸の濃度は、３〜１５質量％であり、前記（Ｄ１）第１の砥粒の粒子数Ｎ１と前記（Ｄ２）第２の砥粒の粒子数Ｎ２の比（Ｎ１／Ｎ２）は、３〜５０であり、ｐＨの値は、１〜５である。 （もっと読む）

化学的機械的研磨機は、研磨パッドを支持する研磨プラテンと、各々が研磨パッドに接触させた状態で基板を保持する第１および第２の基板キャリアと、第１および第２の可動スラリーディスペンサーとを含む。可動スラリーディスペンサーは、（ｉ）旋回端および遠位端を含むアームと、（ｉｉ）遠位端上の少なくとも１つのスラリー分配ノズルと、（ｉｉｉ）研磨プラテン全体にスラリーを分配するために遠位端でスラリー分配ノズルを振るために旋回端を中心にアームを回転させるディスペンサー駆動部とを含む。一変形例では、可動スラリーディスペンサーは、１つまたは複数のヒンジ継ぎ手で連結される複数の区分と、旋回端および遠位端と、遠位端にまたは遠位端の近くに位置する少なくとも１つのスラリー分配ノズルとを有するヒンジ連結アームを含む。
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【課題】低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減すると共に、銅膜、バリアメタル膜およびＴＥＯＳ膜等の層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立させ、かつ、ディッシング、エロージョン、スクラッチないしファング等の表面欠陥の発生を抑制できる化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）シリカ粒子と、（Ｂ）２個以上のカルボキシル基を有する有機酸と、を含有する化学機械研磨用水系分散体であって、前記（Ａ）シリカ粒子は、下記の化学的性質を有することを特徴とする。
ＢＥＴ法を用いて測定される比表面積および滴定により測定されるシラノール基量から算出されるシラノール基密度は、１．０〜３．０個／ｎｍ^２である。 （もっと読む）

【課題】 被研磨膜表面の欠陥を抑制するとともに、被研磨膜厚を制御可能な平坦化方法を提供し、かかる平坦化方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子２が形成された半導体基板上１に層間絶縁膜３を成膜する。このとき、成膜された層間絶縁膜３の表面には、周囲より高さ位置が高い凸部４と、凸部４よりも高さ位置の低い非凸部５が存在する。前記層間絶縁膜３に対し、まず、砥粒、高分子添加剤、及び水を含む研磨原料を所定の第１混合比で混合して生成された非プレストニアン特性を有する第１研磨剤を用いて前記被研磨膜の表面に対して第１研磨処理を行う。そしてこの第１研磨処理がオートストップ状態に移行した後、前記研磨原料を前記第１混合比とは異なる第２混合比で混合することで、前記第１研磨剤よりも高分子添加剤の濃度を低下させた第２研磨剤を用いて前記被研磨膜の表面に対して研磨処理を行う第２研磨処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ法による研磨中に被研磨膜の凸部が折れて異物となることを抑制でき、かつ製造コストが増加することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、基板１００に被研磨膜２００を形成する工程と、研磨パッド３１０を第１の速度で被研磨膜２００に対して相対的に回転させることにより被研磨膜２００をＣＭＰ法で研磨する工程とを備える。被研磨膜２００を形成する工程において、被研磨膜２００には凸部２２０が形成される。そして、被研磨膜２００を形成する工程と、被研磨膜２００を研磨する工程の間に、予備研磨工程を有する。予備研磨工程では、研磨パッド３１０を第１の速度より遅い第２の速度で被研磨膜２００に対して相対的に移動させてＣＭＰ法による研磨を行う。これにより、凸部２２０の少なくとも先端部が除去されるか、又は凸部２２０が丸められる。 （もっと読む）

【課題】高い除去速度を有する、銅、絶縁体、バリヤ及びタングステンウェーハなどの半導体基材を研磨する研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッドは、硬化剤とイソシアネート末端ポリテトラメチレンエーテルグリコールとの、ＮＣＯに対するＮＨ₂の化学量論比が８０〜９７％であるポリウレタン反応生成物であるポリマーマトリックスと中空ポリマー粒子を含む。イソシアネート末端ポリテトラメチレンエーテルグリコールは８．７５〜９．０５重量％の未反応ＮＣＯ範囲を有し、中空ポリマー粒子は、２〜５０μmの平均直径と研磨パッドの成分の重量％bと密度bとして


（式中、密度aは６０g/lに等しく、密度bは５g/l〜５００g/lであり、重量％aは、３．２５〜４．２５重量％である）を有する。研磨パッドは、３０〜６０容量％の気孔率を有し、ポリマーマトリックス内のセル構造が、セル構造を包囲する連続ネットワークを形成している。 （もっと読む）