【課題】熱処理工程、例えば封着工程で良好に軟化するとともに、軟化後に十分に結晶が析出し、しかも結晶析出後の熱処理工程、例えば真空排気工程で再軟化し難いビスマス系ガラス組成物を得ること。
【解決手段】本発明のビスマス系ガラス組成物は、ガラス組成として、質量％で、Ｂｉ₂Ｏ₃ ６０〜８４％、Ｂ₂Ｏ₃ ５．４〜１５％、ＺｎＯ １０〜２７％、ＣｕＯ ０〜７％、Ｆｅ₂Ｏ₃ ０〜５％、ＢａＯ＋ＳｒＯ＋ＭｇＯ＋ＣａＯ ０〜１０％、ＳｉＯ₂＋Ａｌ₂Ｏ₃ ０〜５％含有し、且つ実質的にＰｂＯを含有しないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ビスマス系ガラス粉末と耐火性フィラー粉末を含有する封着材料において、５３０℃以下の温度で良好に流動するとともに、４５０〜５００℃の真空排気工程で変形し難い封着材料を得ることにより、ＰＤＰ等の特性および製造効率を向上させることを技術的課題とする。
【解決手段】本発明の封着材料は、ビスマス系ガラス粉末と耐火性フィラー粉末を含有する封着材料において、ビスマス系ガラス粉末は、ガラス組成として、下記酸化物換算の質量％表示で、Ｂｉ₂Ｏ₃ ６２〜８１．４％、Ｂ₂Ｏ₃ ２〜１２％、Ａｌ₂Ｏ₃ ０〜５％、ＺｎＯ １〜１５％未満、ＢａＯ ０〜１０％、ＣｕＯ ０〜５％、Ｆｅ₂Ｏ₃ ０〜３％、ＣｅＯ₂ ０〜５％、Ｓｂ₂Ｏ₃ ０〜５％含有し、且つ耐火性フィラー粉末として、リン酸ジルコニウムを２．１〜４５体積％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、近年の環境的要請を満たしつつ、熱膨張係数が小さく、しかも６００℃以下の温度で良好に流動する封着用ガラス組成物を得ることを技術的課題とする。
【解決手段】本発明の封着用ガラス組成物は、ガラス組成として、質量％で、Ｂｉ₂Ｏ₃ ６０〜７７％未満、Ｂ₂Ｏ₃ ５〜２０％、ＺｎＯ ３〜１５％、ＳｉＯ₂ １〜７％（但し、１％は含まない）含有し、且つ３０〜３００℃の温度範囲における熱膨張係数が１００×１０^-7／℃以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマディスプレイ装置の前面基板の強度を高くする電極付きガラス基板の製造方法の提供。
【解決手段】ガラス基板上に形成されている電極を、質量百分率表示で、Ｂ_２Ｏ_３が３０〜５０％、ＳｉＯ_２が２１〜２５％、ＺｎＯが１０〜３５％、Ｌｉ_２ＯおよびＮａ_２Ｏのいずれか一方または両方とＫ_２Ｏとが合計で７〜１４％、Ａｌ_２Ｏ_３が０〜１０％、ＺｒＯ_２が０〜１０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが０〜５％、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏのモル分率ｌ、ｎ、ｋについてｌが０．０２５以下、ｌ＋ｎ＋ｋが０．０７〜０．１３である無鉛ガラスによって電極を被覆する。 （もっと読む）

【課題】プラズマディスプレイ装置の前面基板の強度を低下させることなく反りを抑制できる電極付きガラス基板の製造方法の提供。
【解決手段】ガラス基板上に形成されている電極を、質量百分率表示で、Ｂ_２Ｏ_３が３０〜５０％、ＳｉＯ_２が２５％超３５％以下、ＺｎＯが１０〜２５％、Ｌｉ_２ＯおよびＮａ_２Ｏのいずれか一方または両方とＫ_２Ｏとが合計で７〜１９％、Ａｌ_２Ｏ_３が０〜５％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯが０〜５％、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏのモル分率をｌ、ｎ、ｋについてｌが０．０２５以下、ｌ＋ｎ＋ｋが０．０７〜０．１７である無鉛ガラスによって電極を被覆する。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−ＺｎＯ−Ｂｉ₂Ｏ₃系非鉛ガラス粉末を含む誘電体材料であっても、コストパフォーマンスに優れ、６００℃以下の温度で焼成することができ、焼成時に、電極との反応による変色が起こり難く、しかも、ガラス粉末とセラミック粉末が反応し難く、緻密な焼成膜が得られ、安定した耐電圧を有する誘電体層を形成することが可能なプラズマディスプレイパネル用誘電体材料及びそれを用いて形成されてなる誘電体層及を提供することである。
【解決手段】 本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料は、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−ＺｎＯ−Ｂｉ₂Ｏ₃系ガラス粉末を含むプラズマディスプレイパネル用誘電体材料であって、該ガラス粉末が、実質的にＰｂＯを含まず、モル百分率で、Ｂｉ₂Ｏ₃ ０．１〜１０％、Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏ ２〜２０％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０〜４％含有するガラスからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子との熱膨張率の差が小さく、ガラス転移点が低く抑えられたガラスによって被覆されたガラス被覆発光素子及びガラス被覆発光装置を提供する。
【解決手段】ガラス被覆発光素子は、酸化物基準のモル％表示で、Ｐ_２Ｏ_５ ２７〜３５％、ＺｎＯ ２５〜４５％、ＳｎＯ ２５〜４０％、Ｂ_２Ｏ_３及びＣａＯから選ばれる少なくとも１種０．１〜１０％から本質的になり、結晶化ピーク温度とガラス転移温度との差が１５０℃以上である。 （もっと読む）

【課題】荷重センサに代表される電子材料基板開発において、低温で熔融できて耐水性の高い絶縁性被膜ガラス材料が望まれている。
【解決手段】 重量％でＳｉＯ_２を３〜２３、Ｂ_２Ｏ_３を１〜７、ＺｎＯを１〜７、ＢａＯを０〜１０、Ｂｉ_２Ｏ_３を６０〜８８、Ａｌ_２Ｏ_３を０．１〜５含むことを特徴とする無鉛絶縁性被膜材料。また、上記のガラスの粉末とセラミックス粉末のフィラーからなることを特徴とする無鉛絶縁性皮膜材料。
軟化点が３５０℃以上４８０℃以下、３０〜３００℃における平均熱膨張係数が（８５〜１３０）×１０^−７／℃である特徴も有す。 （もっと読む）

【課題】荷重センサに代表される電子材料基板開発において、低温で熔融できて耐水性の高い絶縁性被膜ガラス材料が望まれている。
【解決手段】 重量％でＳｉＯ_２を１〜５、Ｂ_２Ｏ_３を１０〜２５、ＺｎＯを４〜９、ＰｂＯを６５〜８２含むことを特徴とする絶縁性被膜ガラス材料。また、上記のガラスの粉末とセラミックス粉末のフィラーからなることを特徴とする絶縁性被膜材料。
軟化点が３５０℃以上４８０℃以下、３０〜３００℃における平均熱膨張係数が（８５〜１３０）×１０^−７／℃である特徴も有す。 （もっと読む）

【課題】６００℃以下のはんだ付け温度にて加工することができ、６×１０-6／Ｋ〜１１×１０-6／Ｋの熱膨張率を有し、容易に溶融することができ、はんだ付けプロセスの間に結晶化しない低融点ソルダーガラスを提供する。
【解決手段】酸化物に基づく重量％で１〜２重量％未満のＳｉＯ₂、５〜１０重量％のＢ₂Ｏ₃、４．５〜１２重量％のＺｎＯ、７９〜８８重量％のＢｉ₂Ｏ₃、０．６〜２重量％のＡｌ₂Ｏ₃を含み、ＳｉＯ₂／Ａｌ₂Ｏ₃が＜２であり、１１．５×１０^-6Ｋ^-1未満の線熱膨張率α_(20-300)および３８０℃未満の転移温度Ｔｇを有する無鉛ガラスフリットとする。 （もっと読む）