国際特許分類[C03C8/16]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | ガラス;鉱物またはスラグウール (20,277) | ガラス,うわ薬またはガラス質ほうろうの化学組成;ガラスの表面処理;ガラス,鉱物またはスラグからの繊維またはフィラメントの表面処理;ガラスのガラスまたは他物質への接着 (12,070) | ほうろう;うわ薬;非フリット添加物をもつフリット組成物である溶融封止剤組成物 (1,088) | 非フリット添加物をもつガラスフリット混合物,例.乳白剤,着色剤,ミル添加物 (388) | ビヒクルまたは懸濁化剤をもつもの,例.スリップ (140)
国際特許分類[C03C8/16]に分類される特許
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焼成用感光性組成物及びそれを用いたディスプレイ部材
【課題】フラットパネルディスプレイの各種部材や蛍光発光管などに用いられるフォトリソグラフィー処方による微細パターン加工を可能とする焼成用感光性組成物を提供する。また、焼成時に無機成分の焼結に伴う収縮を抑制し、より焼成前に近い状態の微細なパターンを得ることができる焼成用感光性組成物を提供する。
【解決手段】(A)感光性有機成分と、(B)ビスマス系ガラス粉末を有する無機成分と、(C)金属ジケテネート、金属アルコキサイド、アルキル金属、金属カルボン酸塩から選ばれる少なくとも1種の金属キレート化合物を有する焼成用感光性組成物であり、(C)の金属キレート化合物が組成物に含まれる固形分全体に対して0.01重量%以上5重量%未満含まれる焼成用感光性組成物。
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半導体封止材料及びそれを用いて封止してなる半導体素子
【課題】低温で封止することができ、高い透過率と優れた耐候性を有し、しかも、半導体と反応し難い非鉛系ガラスからなる半導体封止材料及びそれを用いて封止してなる半導体素子を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体封止材料は、半導体を封止するための封止材料であって、厚さ1mm、波長588nmにおける内部透過率が80%以上であり、且つ、400℃以下の軟化点を有するSnO−P2O5−B2O3系ガラスからなることを特徴とする。また、本発明の半導体素子は、上記封止材料を用いて半導体を封止してなることを特徴とする。
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無鉛低融点ガラス
【課題】銀反応による黄変が抑制され、かつ可視光透過率の高い無鉛低融点ガラスを提供する。
【解決手段】重量%でSiO2を25〜40、B2O3を35〜55、ZnOを5〜12、R2O(Li2O+Na2O+K2O)を10〜18、BaOを0.1〜3、ZrO2を0.1〜7、CuOを0.1〜2含み、更にB2O3/ZnOの重量比が3以上7以下であることを特徴とするSiO2−B2O3−ZnO−R2O−BaO−ZrO2−CuO系無鉛低融点ガラスである。30℃〜300℃における熱膨張係数が(65〜95)×10−7/℃、軟化点が500℃以上630℃以下である特徴を有す。
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無鉛低融点ガラス
【課題】銀反応による黄変が抑制され、かつ可視光透過率の高い無鉛低融点ガラスを提供する。
【解決手段】 重量%でSiO2を0〜7、B2O3を13〜36、ZnOを5〜9.9、Bi2O3を20〜63、BaOを3〜27、R2O(Li2O+Na2O+K2O)を0〜10、RO(MgO+CaO+SrO)を0〜10、Al2O3を0〜8、CuOを0〜2、La2O3を0〜3、CeO2を0〜2、CoOを0〜1、MnO2を0〜1、TiO2を0〜5含むことを特徴とするB2O3−ZnO−BaO−Bi2O3系無鉛低融点ガラス。 重量%で、B2O3/ZnOの比が、1以上であることを特徴とする無鉛低融点ガラス。30℃〜300℃における熱膨張係数が(65〜95)×10−7/℃、軟化点が500℃以上600℃以下である特徴を有す。
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無鉛ガラス組成物
【課題】600℃以下の低い軟化点を有する無鉛ガラス組成物において、ビスマスの使用量を抑制しつつ光透過率を向上させる。
【解決手段】酸化物換算の質量%で、SiO2が5〜30%、B2O3が30〜60%、Al2O3が1〜25%、Li2O、Na2O及びK2Oの何れか1種以上が合計5〜20%、MgO及びCaOの何れか1種以上が合計0.1〜15%、SrO及びBaOの何れか1種以上が合計0.1〜20%、しかも、MgO、CaO、SrO及びBaOの合計が0.2〜25%で、ZnOが0〜15%となる組成である無鉛ガラス組成物。
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無鉛絶縁ガラス組成物および無鉛絶縁ガラスペースト
【課題】 低温で焼成可能で、且つアルミニウム膜との反応性の低い絶縁体膜を形成し得る無鉛絶縁ガラス組成物および無鉛絶縁ガラスペーストを提供する。
【解決手段】 絶縁体層を構成する低融点ガラスは、例えば、B2O3を20〜50(mol%)の範囲内、SiO2を15〜30(mol%)の範囲内、ZnOを5〜40(mol%)の範囲内、CaO、SrO、BaOを合計で5〜15(mol%)の範囲内、Li2O、Na2O、K2Oを合計で10〜25(mol%)の範囲内、Al2O3、ZrO2、TiO2を合計で3〜20(mol%)の範囲内から成る無鉛ガラスであるため、陽極配線がアルミニウム膜で構成される場合にも、ガラスと陽極配線との反応が好適に抑制される。また、ガラス転移点が510(℃)程度、軟化点が580(℃)程度以下と、何れも低いことから、例えば600(℃)程度以下の低温で焼成が可能である。
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ペースト組成物及びプラズマディスプレィパネル
【課題】従来と同じ塗工方法を用いて塗布することが可能であり、かつ、薄膜状の誘電体層を形成することが可能なペースト組成物を提供する。
【解決手段】(A)質量平均分子量が150000〜300000であり、ガラス転移点が30℃〜100℃のアクリル系重合体を含有するバインダー樹脂、(B)単環式モノテルペン若しくはその水添化合物の少なくともいずれか1種を含有する溶剤、及び(C)無機粉末、を含有した。
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誘電体組成物、誘電体ペースト組成物、およびそれを用いて得られる誘電体
【課題】有害な鉛やクロムを含ないで、ソーダライムガラス基板上のアルミニウム蒸着電極と反応して発泡せずに緻密な焼成膜を得ることができる誘電体組成物、誘電体ペースト組成物、およびそれを用いて得られる誘電体を提供する。
【解決手段】無鉛ガラス粉末(A)と黒色顔料粉末(B)とを含む誘電体組成物であって、黒色顔料粉末(B)が、コバルト、銅およびクロムを実質的に含有しない金属酸化物であることを特徴とする誘電体組成物;この誘電体組成物に、樹脂と溶剤からなる有機ビヒクル(C)が配合されてなる誘電体ペースト組成物;および誘電体ペースト組成物を、表示装置のAl電極上に塗布した後、焼成して形成される誘電体によって提供する。
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ガラスペースト組成物、およびそれを用いた表示装置用隔壁
【課題】有害な鉛やビスマスを含まず、かつPDPなどのデバイスの製造工程でソーダライムガラス上に緻密で耐水性を有する焼成膜を得ることができるガラスペースト組成物、およびそれを用いた表示装置用隔壁を提案する。
【解決手段】ガラス粉末(A)70〜98質量%と、無機酸化物粉末(B)2〜30質量%からなる粉末混合物に、ビヒクル(C)を混合してなるガラスペースト組成物であって、ガラス粉末(A)は、鉛およびビスマスを実質的に含有せずに、酸化物換算でB2O3を15〜18mol%、SiO2を30〜35mol%、ZnOを25〜35mol%、アルカリ金属酸化物R2O(式中、Rは、K、Na、またはLiから選ばれるアルカリ金属元素)を5〜15mol%含み、無機酸化物粉末(B)は、アルミナ、シリカ、フォルステライト、ジルコニア、ジルコン、酸化チタン、または耐熱無機顔料から選ばれる1種以上である。
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誘電体、誘電体を具備するディスプレイ、および前記誘電体を製造するための方法
【課題】ディスプレイデバイスで使用される誘電体を提供すること。
【解決手段】誘電体は、感光性組成物からなる下側誘電体層と、上記下側誘電体層の上に形成された感光性組成物からなる上側誘電体層とを有し、あるパターン露光において使用される光に対する上記上側誘電体層の透過率は、前記パターン露光において使用される光に対する上記下側誘電体層の透過率よりも低い。
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