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国際特許分類[C04B35/468]の内容

国際特許分類[C04B35/468]に分類される特許

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金属箔上で誘電体を作る方法が開示され、本方法から得られる金属箔上の誘電体を含んだ大面積コンデンサを作る方法が開示されている。誘電体の前駆体層及びベースメタル箔は、還元性ガスも含む湿潤雰囲気中で、350〜650℃の範囲内の予備焼成温度において予備焼成される。予備焼成された誘電体の前駆体層及びベースメタル箔はその後、誘電体を生成するために約10-6気圧未満の酸素分圧を有する雰囲気中で、700〜1200℃の範囲内の焼成温度において焼成される。本開示方法に従って作られるコンデンサの面積は10mm2を超え得る。そしてプリント配線板内に埋め込まれ得る複数の個々のコンデンサユニットを作製するために細分され得る。誘電体は、典型的には結晶質のチタン酸バリウム、又は結晶質のチタン酸バリウム・ストロンチウムを含む。
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【課題】比較的穏やかな温度及び圧力条件の下で焼結する。
【解決手段】(i)間質腔を有し、少なくとも第1の反応物質を含んで構成された多孔性マトリックスを準備するステップと、(ii)前記多孔性マトリックスと少なくとも第2の反応物質を運ぶ溶浸媒体とを接触させるステップと、(iii)前記溶浸媒体を前記少なくとも第1の反応物質と前記少なくとも第2の反応物質との間の反応を促進する条件下で前記多孔性マトリックスの間質腔の少なくとも一部分に浸み込ませ、少なくとも第1の生成物を作り出すステップと、(iv)チタン酸バリウムを含まない前記少なくとも第1の生成物が生じて、前記多孔性マトリックスの前記間質腔の少なくとも一部分を満たすことを可能とし、それによって少なくとも単一体を製造するステップと、を含んで構成された多孔性マトリックスから単一体を製造する方法を提供する。 (もっと読む)


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