【課題】本発明は、不純物の混入が抑制されており純度の高いピセン化合物を簡便に製造することができる方法と、当該方法で製造されたピセン化合物から得られる高品質の結晶体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るピセン化合物の製造方法は、特定の増感剤の存在下、ジナフチルエタン化合物に光を照射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を発現し且つ耐酸化性に優れる有機半導体材料の製造方法を提供する。また、高い移動度を有する有機半導体薄膜、及び、電子特性の優れた有機半導体素子を提供する。
【解決手段】
ポリアセンキノンをフッ素化剤と反応させることにより、含フッ素ポリアセンとし、さらにこの含フッ素ポリアセンを脱フッ素化，脱水素化，又は脱フッ化水素化して、下記の化学式（Ｉ）で表されるような構造を有するポリアセン化合物を製造する。
【化１】


ただし、化学式（Ｉ）中の複数のＸのうち一部はフッ素原子であり、他部は水素原子である。また、ｋは１以上５以下の整数である。 （もっと読む）

【課題】
アセン誘導体に一度導入した置換基を、積極的に、効率よく、しかも合成ステップ数が多くならずに、選択的に外す手法の提供。
【解決手段】
下記式（３）で示される環化合物と、還元剤とを反応させ、次いで、求電子剤または求核剤と反応させることにより、前記環化合物中の脱離基Ｐ¹及びＰ²を脱離させることにより、上記課題を解決する。
【化１】


［式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ａ¹及びＡ²は、それぞれ、同一又は異なって、炭化水素基等を表す。Ｐ¹及びＰ²は脱離基を示す。Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞれ、同一または異なって、ハロゲン原子等を示す。ｍは０以上の整数であり、ｎは１以上の整数である。］
（もっと読む）