【課題】形状に優れたレジストパターンを得ることができる化合物、樹脂、レジスト組成物等を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂と、酸発生剤とを含有するレジスト組成物。
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【課題】高感度、良好なパターン形状、良好なラフネス特性、及び良好な疎密特性を達成可能とする感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いた感活性光線性又は感放射線性樹脂膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】活性光線又は放射線の照射により分解して酸を生成する基を含有する繰り返し単位（Ａ）と、酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解度が増大する基を含有する繰り返し単位（Ｂ）とを含んだ樹脂（Ｐ）と、下記一般式（１）により表される化合物（Ｑ）とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。（一般式（１）中の各符号は、特許請求の範囲及び明細書に記載の意味を表す。）
【化１】
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【課題】高反射基板や段差基板に対するリソグラフィ工程において、良好なパターン形状を得ることができる感放射線性組成物を提供する。
【解決手段】感放射線性組成物において、ヒドロキシスチレン由来の構造単位（ＨＳ１）と、下記式（ａ−１）で表される基を有する構造単位（ａ１）とを含有し、かつ酸の作用により解離して酸性官能基を生じる酸解離性基を実質的に有していない重合体［Ａ１］と、ヒドロキシスチレン由来の構造単位（ＨＳ２）を含有し、かつ前記酸解離性基を有する重合体［Ａ２］と、を含むものとする。
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【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性の高分子化合物、（Ｂ）酸発生剤、（Ｃ）塩基性成分として窒素を含有する化合物を含有し、上記（Ａ）成分の高分子化合物が、架橋剤の存在下又は不存在下で、上記酸発生剤から発生する酸触媒によりアルカリ不溶性となる電子線用又はＥＵＶ用化学増幅ネガ型レジスト組成物であって、上記（Ａ）成分かつ（Ｃ）成分が塩基性ポリマー（ＰＢ）を含むことを特徴とする電子線用又はＥＵＶ用化学増幅ネガ型レジスト組成物。
【効果】超微細パターンを要求されるレジストパターンの形成において、上記化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いることで、塩基の拡散を均一にでき、ラインエッジラフネスの改善、更には酸の基板界面の失活が抑制でき、アンダーカットの度合いが小さい電子線用又はＥＵＶ用化学増幅ネガ型レジスト組成物の提供。 （もっと読む）

【課題】優れた解像度を有するパターンを形成することができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構成単位を有する樹脂と、式（Ｄ’）で表される化合物とを含有するレジスト組成物。［Ｑ^１及びＱ^２はフッ素原子又はＣ₁〜Ｃ₆ペルフルオロアルキル基を表す。ＵはＣ_１〜Ｃ_２０２価の炭化水素基を表し、該炭化水素基の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−等で置き換わっていてもよい。Ｘ^１は−Ｏ−ＣＯ−等を表す。Ａ^＋は有機対イオンを表す。Ｒ’^１〜Ｒ’^４は置換基を有していてもよいＣ₁〜Ｃ₂₀アルキル基、置換基を有していてもよいＣ₃〜Ｃ₃₀飽和環状炭化水素基又は置換基を有していてもよいＣ₂〜Ｃ₂₀アルケニル基を表す。Ａ’^１は置換基を有していてもよいＣ₁〜Ｃ₃₆炭化水素基を表し、該炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。］
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【課題】優れた解像度を有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、
酸発生剤と、式（Ｉ’）で表される化合物とを含有するレジスト組成物。［式（Ｉ’）中、Ｒ’^１、Ｒ’^２、Ｒ’^３及びＲ’^４は、それぞれ独立に、Ｃ₁〜Ｃ₈アルキル基を表す。Ａ’^１は、置換基を有していてもよい２価のＣ_３〜Ｃ_３６飽和環状炭化水素基又は置換基を有していてもよい２価のＣ_６〜Ｃ_２０芳香族炭化水素基を表し、該飽和環状炭化水素基及び該芳香族炭化水素基はヘテロ原子を含んでいてもよい。］
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【課題】アシル基によって保護されたフェノール性水酸基を有する単位構造を有する単位構造を含むポリマーの脱保護反応において、より短時間に、他の部分構造を保存したまま脱アシル化を行うことができ、かつポリマーとして取出した際、反応に係わるポリマー以外の物質による汚染を高度に抑制可能な保護ポリマーの脱保護方法を提供する。
【解決手段】アシル基により保護されたフェノール性水酸基を有する単位構造を少なくとも含む保護ポリマーと、ＣｌｏｇＰの値が１．００以下である第１級または第２級アミン化合物から選ばれる脱保護試薬（但し、第２級アミン化合物はアミノ基の窒素原子に結合する二つの炭素原子がいずれも第３級ではない）とを、有機溶剤に溶解して脱保護するステップを少なくとも含む、保護ポリマーの脱保護方法が提供できる。上記第１級または第２級アミン化合物は、好ましくは ＨＮＲ^１_２−ｎＲ^２_ｎ （１） で示される。 （もっと読む）

【課題】優れた解像度を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】炭素数１８以上のアニオンを有する酸発生剤と、式（Ｂ）で表される構造単位を有する樹脂とを含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１は、水素原子、ハロゲン原子又はハロゲン原子を有してもよいアルキル基；Ｒ^２は、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、水酸基含有アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アラルキル基、グリシジルオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基；ｗは０〜４の整数、ｗが２〜４の整数である場合、複数のＲ^２は同じであっても異なってもよい。］ （もっと読む）

【課題】良好な形状及び良好なラインエッジラフネスを示す化学増幅ポジ型レジスト組成物。
【解決手段】酸解離性炭酸エステル基を有するベンゼンスルホン酸のトリスルホニウム塩型光酸発生剤と、ヒドロキシスチレン及びフェノキシ置換または無置換のアルコキシアルキル型の酸解離性基を含むヒドロキシスチレン単位を含む共重合体樹脂とを含む化学増幅ポジ型のレジスト組成物。光酸発生剤として、特に、２−アルキルー２−アダマンチル炭酸エステル置換ベンゼンスルホン酸のトリフェニルスルホニウム塩が望ましい。 （もっと読む）

【課題】感度、解像力、パターン形状、ラインウィズスラフネス、ブリッジマージン、倒れマージン、残膜率に優れるレジストパターン形成方法、それに用いる現像液及びネガ型化学増幅型レジスト組成物、並びに該パターン形成方法により形成されるレジストパターンの提供。
【解決手段】架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅型レジスト組成物を用いて膜を形成する工程（１）、該膜を露光する工程（２）、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程（４）をこの順番で有することを特徴とする、レジストパターンの形成方法、それに用いる現像液及びネガ型化学増幅型レジスト組成物、並びに該パターン形成方法により形成されるレジストパターン。 （もっと読む）