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国際特許分類[C08G8/02]の内容

国際特許分類[C08G8/02]に分類される特許

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【課題】未反応のレゾルシンの残留量を少ないレゾルシンとアセトンとの縮合物の製造方法を提供する。
【解決手段】レゾルシンとアセトンとを酸の存在下で反応させる工程と、前記反応により副生した水を酸の存在下で除去する工程と、を含むレゾルシンとアセトンとの縮合物の製造方法。レゾルシンとアセトンとを酸の存在下で反応させる工程と、前記反応により副生した水を酸の存在下で除去する工程と、水を除去した後の混合物と塩基とを混合する工程と、を含む製造方法であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】埋め込み特性、優れたエッチング耐性を有し、高い耐熱性、耐溶媒性を有し、ベーク中のアウトガスの発生を抑制でき、エッチング中によれが生じないレジスト下層膜を形成できる高分子化合物の提供。
【解決手段】一般式(1)で表されるナフタレン誘導体。
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【課題】ゴム製品の加工容易性を改善できる補強剤として利用可能な化合物を開発すること。
【解決手段】レゾルシンとアセトンとの縮合物であって、検出器が示差屈折率検出器であるゲル浸透クロマトグラフィーで分析したときに、全ピークの合計面積に対する第一溶出ピークの面積比が20〜50%である縮合物、該縮合物とゴム成分と充填剤と硫黄成分とを含むゴム組成物、ゴム組成物で被覆されたスチールコードを含んでなることを特徴とするタイヤ用ベルト等のタイヤ用部材、および該ゴム組成物を加工して製造されてなるタイヤ。 (もっと読む)


【課題】例えばKrF、ArF等のエキシマレーザーなどの短波長の露光光の反射率が低く、酸素プラズマ等のリアクティブイオンによるエッチングに対するエッチング耐性にも優れる下層膜を形成するための下地材、及び該下地材を用いた多層レジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】第1の発明は、基板とホトレジスト層との間に下層膜を形成するための下地材であって、オキソシクロアルキル基を2つ以上有する化合物(a)と、フェノール類(f)との重縮合反応によって得られる樹脂(A1)を含有することを特徴とする下地材。 (もっと読む)


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