【課題】 ハイブリッドスキャン方式の装置であって、そのイオンビーム走査領域の全域においてほぼ一様に、イオンビーム照射に伴う基板の帯電を抑制することができるイオン照射装置を提供する。
【解決手段】 リフレクタ電極２４を非磁性体で構成し、プラズマシャワー装置３０とこのリフレクタ電極２４との間に、両者間を結ぶ方向に磁束８０を発生させるガイド用コイル７６を設けた。このガイド用コイル７６は、平面形状が長円形をしており、その中心がリフレクタ電極２４内におけるイオンビーム走査領域３のほぼ中心３ｃ上に位置するように、かつその長軸がイオンビーム走査方向Ｘにほぼ平行になるように配置されている。またこのガイド用コイル７６の長軸長は、リフレクタ電極２４内におけるイオンビーム走査領域３と同程度以上にしている。 （もっと読む）

【目的】 基本的にはＴｉＮ皮膜や（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ皮膜の優れた特徴を生かしつつ、耐酸化性および耐摩耗性を更に改善した硬質皮膜を提供する。
【構成】 ＴｉＮ皮膜または（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ皮膜の表面に、Ｔａ，Ｎｉ，Ｓｉ，白金族元素およびハロゲン元素よりなる群から選ばれる１種以上の元素をイオン注入し、前記皮膜の表層部に前記元素の濃度富化層を形成したものである。 （もっと読む）

【目的】 イオンビームミキシング方法で基板上に成膜する場合、成膜速度、膜質、基板と膜の付着力の改善を目的とする。
【構成】 ミキシングチャンバー１７内のターゲット７にＡｒ⁺ イオンビーム６を入射させてスパッタ原子８を放出せしめ、一方基板１１にはＮ₂ ⁺ イオンビーム９を走査しながら照射すると共に、ミキシングチャンバー１７内には反応ガス１５を導入し、かつ光源１３から光１３ａ（主として紫外線）を基板１１の表面、反応ガス１５及びスパッタ原子８に照射して基板１１上にスパッタ原子８による成膜と同時にミキシングされたミキシング膜１６を成長させるように構成したものである。 （もっと読む）