【目的】 優れた電気的特性を有し、かつ再現性の良い均一な薄膜を気相成長法によって容易に成膜することができる薄膜の製造方法の提供。
【構成】 まず、恒温槽３内にあって、トリス−ジピバロイルメタナトイリジウムが１ｇ充填された原料容器２（SUS316製、 100℃の恒温に保持）に、不活性キャリアーガス４（アルゴンガス）を、フローメーター５を経て流量を 200ml／min に調節して導入し、このガス４に上記有機金属錯体１を同伴、昇華させる。次いで、このガスを熱分解炉６内に設けられ内部に基板９を載置した石英反応管７（ヒーター８によって 500℃に加熱保持されている）に導入させ、基板９上への金属薄膜の成膜を行う（１時間）。 （もっと読む）