国際特許分類[C23C16/18]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般 (43,865) | ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着 (14,497) | 金属質材料の析出に特徴のあるもの (514) | 金属有機質化合物からのもの (274)
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アルミニウムのみの析出 (13)
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酸化ルテニウム膜の成膜方法
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金属薄膜の成膜方法および金属薄膜成膜用原料
【課題】基板温度の低温下を達成しつつ、成膜速度が向上された金属薄膜の成膜方法および金属薄膜成膜用原料を提供する。
【解決手段】アミジナート配位子を有する金属薄膜原料9と、窒素原子および水素原子を有する反応ガス23と、を用いて、前記金属薄膜原料と前記反応ガスを交互または同時に基板6表面に供給することにより、低不純物の金属薄膜を成膜する金属薄膜の成膜方法を提供する。また、窒素原子および水素原子を有する反応ガスとともに用いられることで金属薄膜を成膜する金属薄膜成膜用原料であって、アミジナート配位子を有する金属薄膜成膜用原料。
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金属薄膜材料および金属薄膜の成膜方法
【課題】金属薄膜を成膜する際に、金属薄膜材料の蒸気圧を向上させて、単位時間当たりの有機金属の供給量を増大させるとともに、配管へ吸着した原料を効率よくパージする金属薄膜材料および金属薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】コバルトに金属原子が環状炭化水素を含み、炭素、窒素、水素ならびに金属元素のみからなり、酸素を含まない構造であることを特徴とする金属薄膜材料を提供する。また、そのような金属薄膜材料の蒸気を基板表面に搬送し、窒素を含有する反応性ガスを、前記金属薄膜材料の蒸気と同時または順次に基板表面に供給することを特徴とする金属薄膜の成膜方法を提供する。
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液体原料の気化方法
【課題】反応室内に原料ガスと還元ガスとを夫々導入し、反応室に設置した基板表面に気相からの析出により成膜する際に液体原料を気化して反応室内に導入する原料ガスとする液体原料の気化方法において、気化室の所定温度下での気化効率を効果的に向上させることができ、その上、反応室内での原料ガスの分圧を高くできるようにする。
【解決手段】気化室22に通じる原料供給路32、42を介して、液体原料を供給すると共に、気化室を臨む原料供給路の導入口周辺からキャリアガスを噴射することで、液体原料を気化室内に噴霧し、この噴霧された液体原料を、所定温度に加熱された気化室内での熱交換により気化し、この気化された原料ガスを当該気化室に開設した排出口から排出する。原料供給路内で液体原料に所定流量で還元ガスを混合して気液混合状態とし、この状態で前記導入口から気化室に噴射する。
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有機白金化合物からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
【課題】CVD化合物に対する要求特性を好バランスで具備し、蒸気圧が高く、低温での成膜が可能であり、更に、立体構造への成膜も可能な有機白金化合物を提供する。
【解決手段】化学蒸着法により白金薄膜又は白金化合物薄膜を製造するための有機白金化合物において、次式で示される、2価の白金にシクロオクタジエン及びアルキルアニオンが配位した有機白金化合物である。ここで、R1とR2とが、プロピルとメチル、プロピルとエチル、又はエチルとメチルの組合せのいずれかのものが特に好ましい。
(R1、R2はアルキル基であり、R1とR2とは相違する。また、R1、R2の炭素数は合計で3〜5である。)
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金属/金属窒化物基板上に貴金属を選択的に堆積させるための方法
【課題】Ruの選択成長と非選択成長を適用した半導体デバイスの相互接続配線の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマ増強原子層堆積チャンバ内に基板を準備し、基板は、露出した第1材料を有する第1領域と、露出した第2材料を有する第2領域とを含み、第1材料は金属窒化物又は窒化可能な金属を含み、第2材料は窒化不可能な金属又はシリコン酸化物を含むようにし、(a)第1ステップとして貴金属前駆体をチャンバに供給して、貴金属前駆体をキャリアガスの存在下で基板に接触させ、続いて貴金属前駆体をパージするステップ、アンモニア及びキャリアガスをチャンバに供給しつつ基板をプラズマに曝露するステップを繰り返し実施することにより、第1領域でなく第2領域上で貴金属層を選択的に堆積させ、次に(b)基板をアンモニア及びキャリアガスプラズマに曝露するステップと、貴金属前駆体を基板に接触させるステップで非選択的に堆積させる。
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ALD/CVDプロセスにおけるGST膜のためのアンチモン前駆体
【課題】原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法であって、シリルアンチモン前駆体が該合金膜のためのアンチモン源として用いられる方法が提供される。新規のシリルアンチモン化合物もまた開示される。
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ニッケル膜の成膜方法
【課題】CVDにより不純物の少ないニッケル膜を高スループットで成膜することができるニッケル膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、成膜原料として、分子構造中に窒素−炭素結合をもつ配位子を有し、配位子中の窒素がニッケルに配位した構造を有するニッケル含有化合物を用い、還元ガスとして、アンモニア、ヒドラジン、およびこれらの誘導体から選択された少なくとも1種を用いたCVDにより初期ニッケル膜を成膜する第1工程と、初期ニッケル膜の上に、成膜原料として、分子構造中に窒素−炭素結合をもつ配位子を有し、配位子中の窒素がニッケルに配位した構造を有するニッケル含有化合物を用い、還元ガスとして水素ガスを用いたCVDにより主ニッケル膜を成膜する第2工程とを有する。
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銅膜作製方法
【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層としてチタン膜を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で100℃以上200℃未満の温度で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で100℃以上200℃未満の温度で熱処理を行う。
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ハフニウム系薄膜形成方法およびハフニウム系薄膜形成材料
【課題】常温で液体であり、そして安定性に富んでおり、原料の安定供給が行え、高品質なハフニウム系薄膜を安定して形成できる技術を提供する。
【解決手段】下記の一般式[I]で表される化合物であるハフニウム系薄膜形成材料。
一般式[I]
LHf(NR1R2)3
(但し、Lは置換シクロペンタジエニル基、R1,R2はアルキル基であり、R1とR2とは互いに異なっていても同じであってもよい。)
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