【課題】常温で液体であり、そして安定性に富んでおり、原料の安定供給が行え、高品質なハフニウム系薄膜を安定して形成できる技術を提供する。
【解決手段】下記の一般式［Ｉ］で表される化合物であるハフニウム系薄膜形成材料。
一般式［Ｉ］
ＬＨｆ（ＮＲ^１Ｒ^２）_３
（但し、Ｌは置換シクロペンタジエニル基、Ｒ^１，Ｒ^２はアルキル基であり、Ｒ^１とＲ^２とは互いに異なっていても同じであってもよい。） （もっと読む）

【課題】測温抵抗体を用いて液面を検出する方法において、測温抵抗体の劣化を防止するとともに消費電力も抑えることを可能すること。
【解決手段】一対の測温抵抗体２ａ、２ｂを具備した液面レベルセンサーＢと、装置本体Ａを具備し、装置本体Ａは、測温抵抗体の一方２ａに比較的大きな定電圧を加える第１の定電圧回路３ａと、測温抵抗体の他方２ｂに微小な定電圧を加える第２の定電圧回路３ｂと、測温抵抗体の一方と第１の定電圧回路間及び測温抵抗体の他方と第２の定電圧回路間に介在される抵抗４と、測温抵抗体の一方の抵抗値を測定する第１の抵抗値測定回路７ａと、測温抵抗体の他方の抵抗値を測定する第２の抵抗値測定回路７ｂと、第１の抵抗値測定回路の出力と第２の抵抗値測定回路の出力を入力して比較する比較手段８と、装置全体の作動を制御する制御手段９を具備した。 （もっと読む）

【課題】コストを上げること無く、保護管を長くしても、振動による保護管の損傷を防止可能な液面レベルセンサーを得ること。
【解決手段】それぞれに測温抵抗体５を封入した複数本の保護管２と、保護管２の基端部が連結された、保護管２を容器に取り付けるための取付部７と、保護管２が固定された補強部材９を具備して、保護管２はそれぞれ、取付部７に基端部が連結された保護管本体３と、保護管本体３の先端部に連設された、保護管本体３よりも小径にするとともに先端部分を球状に形成し、内部に測温抵抗体５を配設した検出部４を具備し、補強部材９は無端のベルト状とし、補強部材９の内壁と保護管２の外周部分が当接する配置で、保護管２を補強部材９の内周側に配設し、保護管２の外周部分を補強部材９の内壁に溶接により固着した、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トリフルオロホスフィン−ルテニウム化合物を低温及び低圧の条件で合成する方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表わされる化合物およびトリフルオロホスフィンを反応させて、または、下記一般式（１）で表わされる化合物、トリフルオロホスフィン、および水素もしくはハロゲンを反応させて、下記一般式（２）で表わされる化合物を得る工程を含む、ルテニウム化合物の製造方法。
ＲｕＬ^０_２ （１）
Ｒｕ（ＰＦ_３）_ｌ（Ｌ^１）_ｍ（Ｌ^２）_ｎ （２）
（上記一般式（１）、（２）中、Ｌ^０、Ｌ^２は、少なくとも二つの二重結合を有する炭素数４〜１０の不飽和炭化水素化合物であり、Ｌ^１は、水素原子またはハロゲン原子である。ｌは１〜５の整数であり、ｍは０〜４の整数であり、ｎは０〜２の整数である。ただし、ｌ＋ｍ＋２ｎ＝５または６である。） （もっと読む）

【課題】微細配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第１のＣｕ配線１０２と、第１のＣｕ配線１０２の上に設けられ、第１のＣｕ配線１０２からＣｕの拡散を防ぐ第１のバリア絶縁膜１０３とを備える。また、第１のバリア絶縁膜１０３の上には、第２のＣｕ配線１０５と、第１のＣｕ配線１０５の上に設けられ、第２のＣｕ配線１０５からＣｕの拡散を防ぐ第２のバリア絶縁膜１０６と、を備える。第１、第２のバリア絶縁膜１０３、１０６は、分枝アルキル基、及び、炭素−炭素二重結合を有するシリコン系絶縁膜からなる。 （もっと読む）

【課題】加水分解や酸化に対する耐性が高く、かつ、低誘電率な炭窒化珪素（ＳｉＣＮ）膜を提供する。
【解決手段】珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子からなる第１のガスと、窒素を含有する第２のガスとからなる原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法によって成膜された炭窒化珪素膜であって、前記炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、前記炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上であることを特徴とする炭窒化珪素膜。 （もっと読む）

【課題】比誘電率を低く維持したままで、リーク電流特性および面内均一性が良好な銅拡散バリア性を有する層間絶縁膜を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜の成膜方法であって、基板上に珪素とＣＨ_３を含む公知化合物である絶縁膜材料と、窒素を含有するガスとを用いてプラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜を成膜することを特徴とする層間絶縁膜の成膜方法を提供する。また、層間絶縁膜の成膜方法であって、基板上に珪素とＣＨ_３を含む公知化合物である絶縁膜材料を用いてプラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜を成膜した後、加熱雰囲気において窒素を含有するガスを基板に供給することを特徴とする層間絶縁膜の成膜方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率化と、絶縁膜破壊、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションの抑制という性能を備える低誘電率層間絶縁膜および低誘電率層間絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ法によって形成された低誘電率層間絶縁膜であって、珪素に対する炭素の比率が２．５以上であり、かつ比誘電率が３．８以下であることを特徴とする低誘電率層間絶縁膜を採用する。また、プラズマＣＶＤ法によって、珪素に対する炭素の比率が２．５以上であり、かつ比誘電率が３．８以下である低誘電率層間絶縁膜の成膜方法であって、前記プラズマＣＶＤ法によって成膜する際に、絶縁膜材料として炭化水素を用いないことを特徴とする低誘電率層間絶縁膜の成膜方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】溝や穴の開口部と深さとの比（開口部／深さ）が１／５〜１／７のような条件を要求されても、又、厚さが１０ｎｍ以下であっても成膜が可能で、かつ、銅の拡散防止（バリア性）に優れ、更には電気抵抗が小さく、銅膜との密着性にも優れた導電性バリア膜形成材料を提供する。
【解決手段】ケミカルベーパーデポジションにより銅膜の下地膜として導電性Ｔａ−Ｚｒ系バリア膜を形成する為の材料であって、Ｔａを持つ金属有機化合物と、Ｚｒを持つ金属有機化合物とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料、および、前記Ｔａ有機化合物、前記Ｚｒ有機化合物の一方または双方を溶解する溶媒とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料。 （もっと読む）

【課題】高い機械的強度、高い空気雰囲気中での安定性、高い熱的安定性を有しかつ低い比誘電率を有した絶縁膜を得る。
【解決手段】ジシクロペンチルジメトキシシラン、ジシクロヘキシルジメトキシシランなどのシリコン化合物からなるプラズマＣＶＤ用絶縁膜材料を用い、プラズマＣＶＤ法により絶縁膜を成膜する際、酸素などの酸化剤を同伴させるとともに、成膜温度を２００℃〜３００℃とし、ついで絶縁膜に２００ｎｍ以上の波長の紫外線を照射して絶縁膜とする。 （もっと読む）