一般式：（Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４Ｒ_５Ｃｐ）_３＊Ｍ（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、及びＲ_５は、Ｈ、又は炭化水素Ｃ_ｎＨ_ｍ（ｎ＝１〜１０；ｍ＝１〜２ｎ＋１）であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド系列又は第ＩＩＩ族材料からの元素である）を有する酸素を含まないシクロペンタジエニルの溶媒ベースの前駆体配合物。 （もっと読む）

ゲルマニウム及びテルルを有する相変化材料を形成する方法で、かかる方法は、基板上にゲルマニウム含有材料を堆積することを含む。かかる材料は、元素形態のゲルマニウムを含む。気体テルル含有前駆体が、ゲルマニウム含有材料に流れ込み、テルルが気体前駆体から除去されて、前記ゲルマニウム含有材料内で元素形態のゲルマニウムと反応して、前記基板上に相変化材料のゲルマニウム・テルル含有化合物を形成する。その他の実施態様も開示される。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物の提供。
【解決手段】ＩＶ族金属含有フィルムの蒸着前駆体として使用するために有用な有機金属化合物が提供される。ある種の有機金属前駆体を用いてＩＶ族金属含有フィルムを堆積させる方法も提供される。前記のＩＶ族金属含有フィルムは電子デバイスの製造において特に有用である。 （もっと読む）

【課題】基板のトポグラフィカルフィーチャの測定において有用な方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いてガスが活性化される基板のコーティング方法が開示される。コーティングされた基板は次に、レジストフィーチャを断面方向で明らかにするために、イオンビームを用いてスライスされる。レジストのそれらのフィーチャは、走査電子顕微鏡を用いて測定され、基板のスライスを取って新たな断面を明らかにするために、焦点合わせされたイオンビームが用いられる。この新たな断面は次に、走査電子顕微鏡を用いて測定され、このようにしてフィーチャの３次元マップが作られ得る。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法による金属薄膜形成に適したコバルト錯体及びそれを用いたコバルト含有薄膜の製造。
【解決手段】一般式（I）


（式中、Ｘは、一般式（ＩＩ）


で示されるβ-ジケトナト基を配位子として有するコバルト錯体。） （もっと読む）

【課題】被着体に対して、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる接合膜を備えた接着シート、かかる接着シートと被着体とを、低温下で効率よく接合し得る接合方法、および、接着シートと被着体とが高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接着シートは、機能性基板２と、接合膜３とを有しており、被着体４に接着して用いられるものである。この接着シートが備える接合膜３は、その少なくとも一部の領域にエネルギーを付与することにより、表面３５付近に存在する脱離基が脱離し、これにより接合膜３の表面３５に、被着体４との接着性が発現し得るものである。 （もっと読む）

半導体処理用のデバイス、方法、及びシステムがここで述べられている。半導体処理の幾つかの方法の実施形態は、構造体上にシリコン層を形成することと、シリコン層を通って構造体内に開口部を形成することと、抵抗可変材料がシリコン層上に形成されないように抵抗可変材料を開口部内に選択的に形成することとを含むことができる。 （もっと読む）

【課題】融点の高い（シクロペンタジエニル）（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムまたはビス（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムを用いたルテニウム含有膜の製造方法を提供する。
【解決手段】（シクロペンタジエニル）（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムまたはビス（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムの有機溶媒溶液を原料として用いて、ルテニウム含有膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】平滑で高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を下地に対して高い密着性をもって成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１内にＣＶＤ−Ｒｕ膜を有するウエハＷを収容し、チャンバー１内に、成膜中に発生する副生成物であるＣｕ（ｈｆａｃ）_２の蒸気圧がその蒸気圧よりも低いＣｕ錯体であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳからなる成膜原料を気相状態で導入して、Ｒｕ膜上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜するにあたり、チャンバー１の壁部の温度を、副生成物であるＣｕ（ｈｆａｃ）_２の蒸気圧が成膜処理時のチャンバー１内の圧力と等しくなる温度以上で成膜原料であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳの分解温度未満に制御する。 （もっと読む）

【課題】表面性状が良好なＣＶＤ−Ｃｕ膜を高い成膜速度で成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】Ｃｕ膜を成膜するＣｕ膜の成膜方法は、相対的に高い第１の温度に保持された、成膜下地膜としてのＲｕ膜を有するウエハに、Ｃｕ錯体からなる成膜原料を供給してウエハ上にＣｕの初期核を生成する工程と、相対的に低い第２の温度に保持されたウエハに、Ｃｕ錯体からなる成膜原料を供給してＣｕの初期核が生成したウエハ上にＣｕを堆積させる工程とを有する。 （もっと読む）