【課題】特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】加熱基板を、一種以上の揮発性金属（Ｉ）、（ＩＩ）あるいは（ＩＩＩ）アミジナート化合物又はそのオリゴマーの蒸気に、次いで、還元性ガス、窒素含有ガス又は酸素含有ガスあるいはそれらの蒸気に交互に暴露して、当該基板表面に金属皮膜、金属窒化物皮膜又は金属酸化物皮膜を形成させることを含んでなる、金属を含む薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】卑金属不純物を最小に保持しながら、上記Ｍ（ＲＰＤ）₂錯体を高収率で製造すること。
【解決手段】式（Ｉ）：Ｍ（ＲＰＤ）₂ （Ｉ）［式中、Ｍ＝鉄、ルテニウム、又はオスミウム；Ｒ＝Ｈ又は約１〜４個の炭素原子を有するアルキル基；ＰＤ＝サンドウィッチ型錯体を形成する環状又は開鎖のジエニル系］の有機金属錯体の製造方法において、式（Ｉ）で示される前記錯体は少なくとも約９９．９９％の金属純度を有し；前記方法は、三塩化Ｍ（ＩＩＩ）水和物及びＨＲＰＤ化合物を、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｈ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｐｂ、Ｎｉ、Ｃａ、及びＣｕからなるグループから選択される少なくとも１つの還元性金属とアルコール溶剤中で反応させることを有する、有機金属錯体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法、ＡＬＤ法のプレカーサに適した性質を有し、特に、融点、耐熱性、有機溶剤への溶解性において、良好な金属錯体を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表わされるβ−ケトイミン化合物の金属錯体、好ましくは下記一般式（１）で表わされる金属錯体における金属原子が２族の金属元素、特にストロンチウムであり、金属原子の価数が２である金属錯体。


（式中、Ｒ¹及びＲ²は、メチル基又はエチル基を表す。） （もっと読む）

【課題】本発明は、高い反応性をもつガス（ラジカル）を利用できるようにラジカル発生装置を用いて、いかなる元素の薄膜の成長をも容易に行うことができる方法を提供する。
【解決手段】複数のサイクルを含むシーケンシャル気相成長法による、基板上へのＡｌ_２Ｏ_３薄膜の成長方法において、それぞれのサイクルは、ガス状のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）にパーツを接触させること、ガス状のＴＭＡの供給を停止すること、チャンバからガス状のＴＭＡを除去すること、及び原子状酸素にパーツを接触させることを含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ（化学蒸着）前駆体として使用するための超純粋有機金属化合物を製造する新たな方法を見いだす。
【解決手段】金属ハロゲン化物溶液とリチウムアミジナート溶液との反応における合成のためにマイクロチャネルデバイスを使用して、化学蒸着のようなプロセスのための超純粋アルキル金属化合物を製造することを含む、超純粋金属アミジナート化合物を製造する方法や、不純物を含む有機金属化合物をマイクロチャネルデバイスにおいて精製して、０．８＜ａ＜１．５の相対揮発度（ａ）を有する不純物の量を電子材料用途において有用な量まで低減させることを含む、超高純度の金属アルキル化合物を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いて良質なルテニウム薄膜を形成させるためには、低温で薄膜を形成させることが必要であり、熱に対して高い反応性を有するルテニウム化合物が望まれていた。
【解決手段】（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム及び（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムに対して０．１〜１００重量％のビス（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムを含有するルテニウム錯体混合物を原料として用い、ＣＶＤ法等によりルテニウム含有膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】溝や穴の開口部と深さとの比（開口部／深さ）が１／５〜１／７のような条件を要求されても、又、厚さが１０ｎｍ以下であっても成膜が可能で、かつ、銅の拡散防止（バリア性）に優れ、更には電気抵抗が小さく、銅膜との密着性にも優れた導電性バリア膜形成材料を提供する。
【解決手段】ケミカルベーパーデポジションにより銅膜の下地膜として導電性Ｔａ−Ｚｒ系バリア膜を形成する為の材料であって、Ｔａを持つ金属有機化合物と、Ｚｒを持つ金属有機化合物とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料、および、前記Ｔａ有機化合物、前記Ｚｒ有機化合物の一方または双方を溶解する溶媒とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料。 （もっと読む）

【課題】カルボニル含有配位子を含む特定の有機金属化合物を使用する金属含有膜を蒸着する方法を提供する。
【解決手段】蒸着反応器内に基体を提供し；式［Ｒ２Ｒ１Ｎ（ＣＯ）］ｎＭ＋ｍＬ１（ｍ−ｎ）／ｐＬ２ｑ（式中、Ｒ１およびＲ２は独立して選択され、；Ｘ＝ＮまたはＰ；Ｍ＝第７族〜第１０族金属；Ｌ１＝負の電荷ｐを有するアニオン性配位子；Ｌ２＝中性配位子；ｍ＝Ｍの価数；ｎ＝１〜６；ｐ＝１〜２；ｑ＝０〜４；並びにｍ≧ｎである）の有機金属化合物を気相で反応器に運び；並びに、有機金属化合物を分解させて、基体上に金属含有膜を堆積させる；ことを含む、金属含有膜を堆積させる方法。 （もっと読む）

【課題】熱安定性を向上させた（１，５−シクロオクタジエン）（η⁶−アレーン）ルテニウム化合物を含有してなる化学気相成長用原料を提供すること。また、室温域で液体の（１，５−シクロオクタジエン）（η⁶−アレーン）ルテニウム化合物を含有してなる化学気相成長用原料を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表される（１，５−シクロオクタジエン）（η⁶−アレーン）ルテニウム化合物を化学気相成長用原料として用いる。


（式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表し、Ｒ²は、Ｒ¹が水素原子の場合は、メチル基又はエチル基を表し、Ｒ¹がメチル基の場合は、メチル基を表す。） （もっと読む）

Ｓｂ，Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｓｂ及びＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ薄膜のようなＶＡ族元素を含有する薄膜を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）方法は、関連する組成物及び構造と共に提供される。式Ｓｂ（ＳｉＲ^１Ｒ^２Ｒ^３）_３のＳｂ前駆体が好ましくは用いられ、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、アルキル基である。Ａｓ，Ｂｉ及びＰ前駆体もまた記載される。これらのＳｂ前駆体を合成する方法もまた提供される。相変化メモリ装置においてＳｂ薄膜を用いる方法もまた提供される。 （もっと読む）