【課題】有機チタン化合物を気化させた原料ガスと、これに反応する添加ガスとを反応容器内に供給し、化学蒸着法により、加熱した基体の表面上に窒化チタン薄膜を作製する薄膜形成方法において、基体（例えば、ＣＭＯＳ基板などの半導体基板）の温度を各種機能性材料の耐熱温度である１５０℃乃至２３０℃の低温領域にした場合において、実用的な成膜速度が得られ、被覆性も良好な化学蒸着法による薄膜形成方法に用いる薄膜形成装置を提案する。
【解決手段】基体を１５０℃乃至２３０℃の温度範囲に加熱し、添加ガスの分圧Ｐ_{added gas}を、有機チタン化合物を気化させた原料ガスの分圧Ｐ_{organometallic gas}に対し、１０≦Ｐ_{added gas}／Ｐ_{organometallic gas}の範囲に設定する薄膜形成装置とする。 （もっと読む）

【課題】第２族アルカリ土類金属含有酸化物膜などの化学気相成長（ＣＶＤ）に使用する新規な金属前駆体の揮発源の提供。
【解決手段】ジケトン化合物とアミン化合物から得られるβ−ケトエナミン化合物（例えば２，２−ジメチル−５−［（２−メトキシエチル）アミノ］ヘキサ−４−エン−３−オンなど）とストロンチウム、バリウムなどの第２族金属化合物とから調整された第２族金属含有多座配位β−ケトイミネート前駆体及び該前駆体を含む組成物。 （もっと読む）

基板上へのテルル含有膜の堆積のための方法および組成物を開示している。リアクタおよびこのリアクタ内に配置された少なくとも１つの基板を準備する。テルル含有前駆体を供給してリアクタへ導入し、少なくとも１００℃の温度に維持する。テルルを堆積プロセスにより基板上に堆積させて基板上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗で且つ高密度なルテニウム含有薄膜を提供する。
【解決手段】 化学気相蒸着法により形成したルテニウム含有薄膜を加熱処理して、膜密度が１０．５〜１２．２ｇ／ｃｍ^３で、且つ比抵抗値が８〜１００μΩｃｍであるルテニウム含有薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】金属膜中の不純物が少ない高品質な金属膜を形成する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に金属含有原料ガスを供給する原料ガス供給ライン１０と、処理室２０１内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給ライン３０と、処理室２０１内を加熱するヒータ２０６と、所定の処理温度に設定された処理室２０１内に金属含有原料ガスを供給してウエハ２００上に所定膜厚の金属膜を形成し、前記所定の処理温度と同一の処理温度に設定された処理室２０１内に水素含有ガスを供給することにより前記金属膜を熱処理し、これを１サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返すことにより目標膜厚の金属膜を形成するように、ヒータ２０６、原料ガス供給ライン１０及び水素含有ガス供給ライン３０を制御するコントローラ２８０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】安定した成膜を行うことができ、かつ高品位のルテニウム膜を得ることができる化学気相成長方法の提供。
【解決手段】テトラ（μ−トリフルオロアセタト）ジ（アセトン）ジルテニウム、テトラ（μ−ペンタフルオロプロピオナト）ジ（アセトン）ジルテニウムの如きルテニウム化合物を気化せしめ、当該気化したルテニウム化合物を反応室に供給して基体上に析出させる工程と、気化したルテニウム化合物の反応室への供給を停止して、前記反応室内に残留している気化したルテニウム化合物を除去する工程と、基体上に析出したルテニウム化合物を分解せしめルテニウム膜を形成する工程と、を含む化学気相成長方法。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法において、成膜原料として用いるシラン化合物として、反応性基として水素原子又はアルコキシ基を有すると共に、分子中には２個以上のケイ素原子を含有し、かつ２個以上のケイ素原子は飽和炭化水素基を介して結合され、かつ、アルコキシ基に含まれる炭素原子を除いた炭素原子数［Ｃ］とＳｉ原子数［Ｓｉ］の比［Ｃ］／［Ｓｉ］が３以上であり、全てのケイ素原子は２以上の炭素原子と直接の結合を有するシラン化合物を用いるプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法。
【効果】有効な成膜速度が得られると共に、膜の疎水性の確保と、ケイ素原子の求核反応に対する反応性の抑制を同時に達成することができ、膜の化学的安定性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕ膜を誘電体膜上に成膜する際に、インキュベーション時間を短縮し、高い密度で核生成を生じさせることにより、高品質のルテニウム膜の成膜を可能とする。
【解決手段】ルテニウム膜の成膜方法は、誘電体膜を担持する被処理基板表面近傍にプラズマを発生させ、前記誘電体膜表面を前記プラズマで改質する工程と、前記改質された誘電体膜表面に、ルテニウムの有機金属錯体を不活性キャリアガスとともに供給し、前記有機金属錯体を分解させることにより、前記誘電体膜上にルテニウム膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、ルテニウム微粒子を下層金属膜とした、平坦な連続金属含有薄膜及び連続銅含有薄膜及びその製造法を提供するものでもある。
【解決手段】 本発明の課題は、有機ルテニウム錯体を化学気相蒸着法によりルテニウム含有薄膜を製造させた後、次いで、そのルテニウム含有薄膜の上に、有機金属錯体を化学気相蒸着法により金属含有薄膜を形成させることにおいて、当該ルテニウム含有薄膜がルテニウム微粒子であることを特徴とするルテニウム微粒子によって解決される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の金属配線として用いられる銅層が塊状になるのを抑え、さらに拡散バリア層との密着性を向上させるため、改良された付着方法、又はメタライゼーション方法を提供する。
【解決手段】銅シード層とバリア層の間に密着促進層を被着する。コンピュータを用いたシミュレーションで銅膜の塊状化が起こる状況および銅層の密着性に関する評価を行い、密着促進層材料にクロム合金を用いることで、銅膜の密着性を著しく高める。さらにポリデンテートβ−ケトイミネートのクロム含有錯体を密着促進層材料のクロム合金を作るためのクロム含有前駆物質とする。 （もっと読む）