【課題】３次元構造に対して、段差被覆性よく金属イリジウム及び／又はイリジウム酸化物薄膜を形成することができる方法を提供する。
【解決手段】イリジウム錯体（例えば（１，３−シクロヘキサジエン）（エチルシクロペンタジエニル）イリジウムなど）のアルコール溶液（例えばメタノール、エタノール、プロパノール等の溶液）を、イリジウム錯体の分解温度以上に加熱したガラスやシリコンなどの基板に噴霧し、当該基板上に金属イリジウム及び／又はイリジウム酸化物薄膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】ルテニウム含有膜を含む配線構造の低抵抗化を可能にさせた薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、ＲｕチャンバＦ１で形成するＲｕ膜を酸化チャンバＦ２に搬送し、酸化性ガスの雰囲気にＲｕ膜を曝して、Ｒｕ膜に対し酸化処理を施す（ステップＳ１４）。また、薄膜形成装置は、酸化処理の施されたＲｕ膜を還元チャンバＦ３に搬送し、還元性ガスの雰囲気にＲｕ膜を曝して、Ｒｕ膜に対し還元処理を施す（ステップＳ１５）。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法によるＲｕ膜の成膜の際のインキュベーション時間を短縮し、膜質を向上させる。
【解決手段】Ｒｕ膜の成膜方法は、（Ａ）前記被処理基板表面にＲｕの有機金属錯体を不活性キャリアガスとともに供給し、プラズマを励起して前記Ｒｕの有機金属錯体を分解させることにより、前記被処理基板表面にＲｕ膜を堆積する工程と、（Ｂ）前記被処理基板表面から前記Ｒｕの有機金属錯体をパージする工程と、（Ｃ）前記Ｒｕ膜を、窒素あるいは水素を含む雰囲気により改質する工程と、（Ｄ）前記被処理基板表面から、前記窒素あるいは水素を含む雰囲気をパージする工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法であって、シリルアンチモン前駆体が該合金膜のためのアンチモン源として用いられる方法が提供される。新規のシリルアンチモン化合物もまた開示される。 （もっと読む）

【課題】基板上の凹部が形成された層間絶縁膜の露出面にバリア膜を成膜し、凹部内に下層側の金属配線と電気的に接続される銅配線を形成するにあたり、段差被覆性の良好なバリア膜を形成することができ、しかも配線抵抗の上昇を抑えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜に形成された凹部２１の底面に露出した下層側の銅配線１３の表面の酸化膜を還元あるいはエッチングして、当該銅配線１３の表面の酸素を除去した後、マンガンを含み、酸素を含まない有機金属化合物を供給することによって、凹部２１の側壁及び層間絶縁膜の表面などの酸素を含む部位に自己形成バリア膜である酸化マンガン２５を選択的に生成させる一方、銅配線１３の表面にはこの酸化マンガン２５を生成させないようにして、その後この凹部に銅を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】２つの基材同士を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる接合体の形成方法、および、２つの基材同士が高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接合体の形成方法は、第１の基板（基材）２１および第２の基板（基材）２２上に、それぞれ、化学的気相成膜法を用いて、主として銅で構成される接合膜３１、３２を形成する工程と、接合膜３１、３２同士が対向するようにして、第１の基板２１および第２の基板２２同士を接触させた状態で、第１の基板２１および第２の基板２２間に圧縮力を付与して、接合膜３１、３２同士を結着させることにより接合体を得る工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】２つの基材同士を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができるとともに、使用後にはこれら基材同士を効率よく剥離することができる接合体の形成方法、および、２つの基材同士が高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接合体の形成方法は、第１の基板（基材）２１および第２の基板（基材）２２上に、それぞれ、化学的気相成膜法を用いて、銅と有機成分とで構成され、前記銅の含有率が９０ａｔ．％以上でかつ９９ａｔ．％未満である接合膜３１、３２を形成する工程と、接合膜３１、３２同士が対向するようにして、第１の基板２１および第２の基板２２同士を接触させた状態で、第１の基板２１および第２の基板２２間に圧縮力を付与して、接合膜３１、３２同士を結着させることにより接合体を得る工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着又は原子層蒸着の前駆体として使用される三座β-ケトイミネートの金属錯体の提供。
【解決手段】三座βケトイミネートの金属含有錯体、例えばビス(2,2-ジメチル-5-(1-ジエチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ストロンチウム、ビス(2,2-ジメチル-5-(1-メチルエチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト-N,O,N’)ニッケル、Ti(O-iPr)3(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト、ビス(4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノナト)コバルト、トリス(4-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-2-ペンタノナト)ランタン、トリス(2,2-ジメチル-5-(1-ジメチルアミノ-2-プロピルイミノ)-3-ヘキサノナト)イットリウムなどの化合物が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制すると共に、クリーニング処理の負担を軽減した薄膜作製装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１の内部にガスノズル１４からガス１３を供給すると共に、高周波アンテナ７に給電して当該ガス１３をプラズマ化して、基板６に薄膜１５を成膜する薄膜作製装置において、薄膜成分が真空チャンバ１の内壁面に付着しないように石英ガラス製の内筒２０を設け、更に内筒２０をヒータ２１により加熱する。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法又はＣＶＤ法において、金属銅の成長速度を大きくすることができる銅前駆体並びにその製造及び使用方法を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表されるケイ素化合物の銅錯体を前駆体として使用し、基材上に銅膜及び銅合金を堆積させることができる。


（式中、Ｘは酸素及びＮＲ5を、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ5は水素又はアルキル基等を、Ｒ4はＯＣＨＭｅＣＨ2基等を、Ｌはビニルジメチルシリル基等を表す） （もっと読む）