原子層堆積のための溶液ベースのランタニド及び第ＩＩＩ族前駆体
一般式：（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｃｐ）３＊Ｍ（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、Ｈ、又は炭化水素ＣｎＨｍ（ｎ＝１〜１０；ｍ＝１〜２ｎ＋１）であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド系列又は第ＩＩＩ族材料からの元素である）を有する酸素を含まないシクロペンタジエニルの溶媒ベースの前駆体配合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[001]本発明は、原子層堆積のための新規で有用な溶液ベースの前駆体に関する。
【背景技術】
【０００２】
[002]本発明の溶液ベースのＡＬＤ前駆体は、本出願の発明者ら及び譲受人によって行われた他の研究に関連する。特に、米国出願１１／４００，９０４は、ＡＬＤのための溶液ベースの前駆体を用いる方法及び装置に関する。米国出願１２／３９６，８０６は、ＡＬＤのための溶液ベースの前駆体を用いる方法及び装置に関する。米国出願１２／３７３，９１３は、ＡＬＤのための溶液ベースの前駆体を用いる方法に関する。米国出願１２／３７４，０６６は、ＡＬＤのための溶液ベースの前駆体を気化及び供給するための方法及び装置に関する。米国出願１２／２６１，１６９は、ＡＬＤのための溶液ベースのランタン前駆体に関する。
【０００３】
[003]原子層堆積（ＡＬＤ）は、非常に優れた厚さ制御及びステップカバレッジを与える高度薄膜堆積を可能にする技術である。更に、ＡＬＤは、シリコンウエハプロセスにおいて、次世代の導体障壁層、高誘電率ゲート誘電層、高誘電率キャパシタンス層、キャッピング層、及び金属ゲート電極を与えることを可能にする技術である。ＡＬＤ成長させた高誘電率金属ゲート層は、物理気相成長法及び化学気相成長法を凌ぐ有利性を示す。ＡＬＤはまた、平面パネル型ディスプレー、化合物半導体、磁気及び光学記憶、太陽電池、ナノテクノロジー、及びナノ材料のような他の電子産業においても利用されている。ＡＬＤは、サイクリック堆積プロセスにおいて、金属、酸化物、窒化物などの非常に薄く高度に等角の複数の層を一度に１つの単分子層ずつ形成するのに用いられる。酸化又は窒化反応を用いるＡＬＤプロセスによって、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、及びタンタルのような多くの主族金属元素及び遷移金属元素の酸化物及び窒化物が製造されている。また、還元又は燃焼反応によるＡＬＤプロセスを用いて、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｔａなどのような純金属層を堆積させることができる。
【０００４】
[004]ＡＬＤプロセスの広い採用は、好適な前駆体の限定された選択、低いウエハ処理量、及び低い化学的利用の点で幾つかの課題に直面している。ＨＫＭＧにおいて有用な多くのＡＬＤ前駆体は、比較的低い揮発性のために固相中に存在している。これらの課題に対処するために、本発明はＦｌｅｘ−ＡＬＤと呼ばれる溶液前駆体ベースのＡＬＤ技術を発展させる。溶液ベースの前駆体技術を用いると、ＡＬＤ前駆体の選択は比較的広範になって低揮発性の固体前駆体を含むようになり、ウエハ処理量はより大きな膜成長速度のために増加し、化学的利用は希釈化学物質を用いることで向上する。更に、蒸気パルスで液体を注入することによって一貫した前駆体の投与量が与えられる。
【０００５】
[005]典型的なＡＬＤプロセスは、連続前駆体ガスパルスを用いて膜を一度に１層ずつ堆積させる。特に、第１の前駆体ガスをプロセス室中に導入し、室内において基材の表面における反応によって単分子層を形成する。次に、第２の前駆体を導入して第１の前駆体と反応させて、第１の前駆体及び第２の前駆体の両方の成分から構成される膜の単分子層を基材上に形成する。パルスのそれぞれの対（１サイクル）によって１以下の単分子層の膜が生成し、これにより実施する堆積サイクルの数に基づいて最終的な膜厚の非常に正確な制御が可能になる。
【０００６】
[006]半導体装置は継続してより密に装置が装填されるようになっているので、チャネル長さも益々小さくしなければならない。将来の電子デバイス技術のためには、ＳｉＯ２及びＳｉＯＮゲート誘電体を、１．５ｎｍ未満の有効酸化物厚さ（ＥＯＴ）を有する非常に薄い高誘電率酸化物に置き換えることが必要になる。好ましくは、高誘電率材料は、高いバンドギャップ及びバンドオフセット、高いｋ値、シリコン上での良好な安定性、最小のＳｉＯ２界面層、及び基材上の高品質界面を有していなければならない。また、アモルファス又は高結晶温度の膜も望ましい。
【０００７】
[007]ランタニド及び第ＩＩＩ族をベースとする材料は、高度シリコンＣＭＯＳ、ゲルマニウムＣＭＯＳ、及びＩＩＩ−Ｖトランジスタデバイスのための有望な高誘電率の誘電材料である。ランタニド及び第ＩＩＩ族をベースとする材料は、比較的高い誘電定数（２０〜４０）を有し、トランジスタにおいて高モビリティチャネルを有する良好な界面特性を示す。金属酸化物は、３２ｎｍＤＲＡＭ技術ノードなどにおけるメモリキャパシタンス材料として用いることができる。
【０００８】
[008]ランタニドとしては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムが挙げられ、スカンジウム及びイットリウムを更に含む第ＩＩＩ族元素の一部である。原子層堆積（ＡＬＤ）は、金属、金属酸化物、及び金属窒化物などのランタニド及び第ＩＩＩ族材料の超薄層を堆積させるための好ましい方法である。しかしながら、これらの化合物に関するＡＬＤ前駆体は容易に入手できず、存在する物は低い揮発性及び低い熱安定性のために使用するのが困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】米国出願１１／４００，９０４
【特許文献２】米国出願１２／３９６，８０６
【特許文献３】米国出願１２／３７３，９１３
【特許文献４】米国出願１２／３７４，０６６
【特許文献５】米国出願１２／２６１，１６９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
[009]当該技術において、ＡＬＤプロセスにおいて用いるためのランタニド及び第ＩＩＩ族前駆体に対する改良に関する必要性がなお存在する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
[010]本発明は、改良された溶媒ベースの前駆体配合物を提供する。特に、本発明は、一般式：
（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｃｐ）３＊Ｍ
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、Ｈ、又は炭化水素ＣｎＨｍ（ｎ＝１〜１０；ｍ＝１〜２ｎ＋１）であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド系列又は第ＩＩＩ族材料からの元素である）を有する酸素を含まないシクロペンタジエニル（Ｃｐ）前駆体を提供する。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[011]本発明は、一般式：
（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｃｐ）３＊Ｍ
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、Ｈ、又は炭化水素ＣｎＨｍ（ｎ＝１〜１０；ｍ＝１〜２ｎ＋１）であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド系列又は第ＩＩＩ族材料からの元素である）を有する溶媒ベースの酸素を含まないシクロペンタジエニル（Ｃｐ）前駆体を提供する。
【００１３】
[012]本発明の前駆体配合物のための溶媒としては、アルカン、アルケン、アルキン、アミド、アセテート、エーテル、エステル、及び他の炭化水素、又はこれらの混合物が挙げられる。酸素を含まない溶媒又は混合物が好ましい。
【００１４】
[013]本発明によれば、ｎ−オクタン又は他のアルカン溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ＥｔＣｐ）３Ｍ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族からの元素である）の出発金属前駆体、及び水蒸気の酸素前駆体から、ＭｙＯｘ（ｙ及びｘは１〜３である）ＡＬＤ薄膜を形成することができる。特に、ｎ−オクタン又は他のアルカン溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ＥｔＣｐ）３Ｇｄの出発金属前駆体及び水蒸気から、Ｇｄ２Ｏ３ＡＬＤ薄膜を形成することができる。
【００１５】
[014]更に本発明によれば、ｎ−オクタン又は他のアルカン溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ｉＰｒＣｐ）３Ｍ又は（ｎＰｒＣｐ）３Ｍ（ここで、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族からの元素である）の出発金属前駆体、及び水蒸気の酸素前駆体から、ＭｙＯｘＡＬＤ薄膜を形成することができる。特に、ｎ−オクタン又は他のアルカン溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ｉＰｒＣｐ）３Ｌａの出発金属前駆体、及び水蒸気の酸素前駆体から、Ｌａ２Ｏ３ＡＬＤ薄膜を形成することができる。
【００１６】
[015]本発明の他の例は、ｎ−オクタン又は他のアルカン溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ｔＢｕＣｐ）３Ｍ又は（ＢｕＣｐ）３Ｍ（ここで、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族からの元素である）の出発金属前駆体、及び水蒸気の酸素前駆体から形成されるＭｙＯｘＡＬＤ薄膜の形成を提供する。
【００１７】
[016]本発明の他の態様は、固体前駆体材料のための溶媒として異なるアルカンを用いる。特に、アルカン溶媒は、線状、分岐、又は環式の形態であってよく、炭素原子の数は２〜２０である。かかる溶媒は、前駆体の金属成分の溶解度、輸送特性、及び相特性に合致するように選択することができる。
【００１８】
[017]酸素前駆体は、上記したように水蒸気であってよいが、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＣＯ、ＣＯ２、ＣＨ３ＯＨ、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、他のアルコール、他の酸、及び酸化剤のような他の酸素含有反応物質であってもよい。或いは、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、アミン等のような窒素含有反応物質を用いることによって、本発明にしたがって窒化物膜を製造することができる。同様に、第２の前駆体として水素、水素原子、又は他の還元剤を用いることによって、金属ＡＬＤ膜を形成することができる。
【００１９】
[018]本発明の溶液ベースの前駆体を好適な溶媒中に溶解し、次に直接液体注入法によって現場の気化器に室温で供給する。気化器温度は５０℃〜２５０℃の間に設定する。次に、完全に気化した溶液前駆体を、ＡＬＤ成長のための理想的な矩形波の形態で堆積室中にパルスで導入する。かかる形態でパルス導入することによって、１〜１０秒のパルスに関しては金属前駆体パルスと他の反応物質のパルスとの間の重なりはない。本発明にしたがって金属と反応物質を時間的及び空間的に分離することによって、真正のＡＬＤ膜成長が得られる。
【００２０】
[019]ｎ−オクタン又は他のアルカン溶媒中に溶解している（ＥｔＣｐ）３Ｇｄの出発金属前駆体からのＧｄ２Ｏ３ＡＬＤ膜の形成に関しては、好ましい気化器温度は１４０℃〜１８０℃、最も好ましくは１５０℃〜１６０℃であり、好ましい堆積温度は１５０℃〜２００℃、最も好ましくは１５０℃である。これによって、気化器内に未反応の前駆体又は残渣を与えることなくＡＬＤ成長が得られた。膜の成長は高度に自己制御型であり、成長膜中に炭素不純物は見られなかった。前駆体は不純物に対して高度に感受性であるので、混入を避けるために注意を払わなければならない。前駆体材料として（ＥｔＣｐ）３Ｇｄを用いた幾つかの実験結果を表１に与える。
【００２１】
【表１】
【００２２】
[020]本発明は、例えばＧｄ（ＥｔＣｐ）３、Ｌａ（ｉＰｒＣｐ）３、Ｌｕ（ｉＰｒＣｐ）３、Ｓｃ（ｉＰｒＣｐ）３、Ｓｃ（ｎＰｒＣｐ）３、Ｇｄ（ｉＰｒＣｐ）３などのＡＬＤ成長のための多くのランタニド又は第ＩＩＩ族材料の金属前駆体を包含する。
【００２３】
[021]他の溶媒及び添加剤を本発明の前駆体溶液中に含ませることができる。これらの溶媒及び添加剤は、気相中又は基材表面上のいずれにおいてもＡＬＤプロセスを妨げてはならない。更に、溶媒及び添加剤はＡＬＤ処理温度においていかなる分解も起こさずに熱的に強固でなければならない。炭化水素は、必要な場合には撹拌又は超音波混合を用いてＡＬＤ前駆体を溶解するための一次溶媒として好ましい。炭化水素は化学的に不活性であり、前駆体と適合性であり、基材表面上の反応部位に関して前駆体と競合しない。溶媒の沸点は、気化プロセス中の粒子の生成を回避するために溶質の揮発度と適合するように十分に高くなければならない。
【００２４】
[022]本発明の前駆体によって、液体溶液ベースのＡＬＤプロセスのために固体前駆体を用いることができるなどの幾つかの有利性が与えられる。かかる化学物質を用いることによって、低い熱履歴の室温供給が可能であり、それによって標準的な液体前駆体に関連する熱分解の問題が解決される。本発明の前駆体によって可能になるプロセスは、溶液系中により少量の金属前駆体しか必要としないので環境に優しい。本発明は、ＡＬＤプロセス中において容易に用いることができない固体前駆体の有用性を拡張する。本発明の溶液前駆体によって、前駆体及び他の反応物質を完全に気化させることによって真正のＡＬＤ膜成長が可能になる。
【００２５】
[023]本発明の前駆体は幾つかの用途のために有用である。特に、本発明の前駆体は、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＣベースの第ＩＶ族元素半導体のための高誘電率ゲート誘電層を形成するため、或いはＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、及び他のＩＩＩ〜Ｖ高電子モビリティー半導体のための高誘電率ゲート誘電層を形成するために用いることができる。更に、本発明の前駆体は、ＤＲＡＭ、フラッシュ及び強誘電体メモリーデバイスのための高誘電率キャパシタを形成するために有用である。本発明の前駆体はまた、気体精製、有機合成、燃料電池膜、及び化学検出器のための活性表面として、並びにレーザー、光増幅、光輸送、発光、及び光検出のような光電子用途において用いることもできる。
【００２６】
[024]本発明の他の態様及び変更は、上記の記載を考慮すると当業者に容易に明らかになると思われ、かかる態様及び変更は同様に特許請求の範囲に示される発明の範囲内に含まれると意図される。
【技術分野】
【０００１】
[001]本発明は、原子層堆積のための新規で有用な溶液ベースの前駆体に関する。
【背景技術】
【０００２】
[002]本発明の溶液ベースのＡＬＤ前駆体は、本出願の発明者ら及び譲受人によって行われた他の研究に関連する。特に、米国出願１１／４００，９０４は、ＡＬＤのための溶液ベースの前駆体を用いる方法及び装置に関する。米国出願１２／３９６，８０６は、ＡＬＤのための溶液ベースの前駆体を用いる方法及び装置に関する。米国出願１２／３７３，９１３は、ＡＬＤのための溶液ベースの前駆体を用いる方法に関する。米国出願１２／３７４，０６６は、ＡＬＤのための溶液ベースの前駆体を気化及び供給するための方法及び装置に関する。米国出願１２／２６１，１６９は、ＡＬＤのための溶液ベースのランタン前駆体に関する。
【０００３】
[003]原子層堆積（ＡＬＤ）は、非常に優れた厚さ制御及びステップカバレッジを与える高度薄膜堆積を可能にする技術である。更に、ＡＬＤは、シリコンウエハプロセスにおいて、次世代の導体障壁層、高誘電率ゲート誘電層、高誘電率キャパシタンス層、キャッピング層、及び金属ゲート電極を与えることを可能にする技術である。ＡＬＤ成長させた高誘電率金属ゲート層は、物理気相成長法及び化学気相成長法を凌ぐ有利性を示す。ＡＬＤはまた、平面パネル型ディスプレー、化合物半導体、磁気及び光学記憶、太陽電池、ナノテクノロジー、及びナノ材料のような他の電子産業においても利用されている。ＡＬＤは、サイクリック堆積プロセスにおいて、金属、酸化物、窒化物などの非常に薄く高度に等角の複数の層を一度に１つの単分子層ずつ形成するのに用いられる。酸化又は窒化反応を用いるＡＬＤプロセスによって、アルミニウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、及びタンタルのような多くの主族金属元素及び遷移金属元素の酸化物及び窒化物が製造されている。また、還元又は燃焼反応によるＡＬＤプロセスを用いて、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｔａなどのような純金属層を堆積させることができる。
【０００４】
[004]ＡＬＤプロセスの広い採用は、好適な前駆体の限定された選択、低いウエハ処理量、及び低い化学的利用の点で幾つかの課題に直面している。ＨＫＭＧにおいて有用な多くのＡＬＤ前駆体は、比較的低い揮発性のために固相中に存在している。これらの課題に対処するために、本発明はＦｌｅｘ−ＡＬＤと呼ばれる溶液前駆体ベースのＡＬＤ技術を発展させる。溶液ベースの前駆体技術を用いると、ＡＬＤ前駆体の選択は比較的広範になって低揮発性の固体前駆体を含むようになり、ウエハ処理量はより大きな膜成長速度のために増加し、化学的利用は希釈化学物質を用いることで向上する。更に、蒸気パルスで液体を注入することによって一貫した前駆体の投与量が与えられる。
【０００５】
[005]典型的なＡＬＤプロセスは、連続前駆体ガスパルスを用いて膜を一度に１層ずつ堆積させる。特に、第１の前駆体ガスをプロセス室中に導入し、室内において基材の表面における反応によって単分子層を形成する。次に、第２の前駆体を導入して第１の前駆体と反応させて、第１の前駆体及び第２の前駆体の両方の成分から構成される膜の単分子層を基材上に形成する。パルスのそれぞれの対（１サイクル）によって１以下の単分子層の膜が生成し、これにより実施する堆積サイクルの数に基づいて最終的な膜厚の非常に正確な制御が可能になる。
【０００６】
[006]半導体装置は継続してより密に装置が装填されるようになっているので、チャネル長さも益々小さくしなければならない。将来の電子デバイス技術のためには、ＳｉＯ２及びＳｉＯＮゲート誘電体を、１．５ｎｍ未満の有効酸化物厚さ（ＥＯＴ）を有する非常に薄い高誘電率酸化物に置き換えることが必要になる。好ましくは、高誘電率材料は、高いバンドギャップ及びバンドオフセット、高いｋ値、シリコン上での良好な安定性、最小のＳｉＯ２界面層、及び基材上の高品質界面を有していなければならない。また、アモルファス又は高結晶温度の膜も望ましい。
【０００７】
[007]ランタニド及び第ＩＩＩ族をベースとする材料は、高度シリコンＣＭＯＳ、ゲルマニウムＣＭＯＳ、及びＩＩＩ−Ｖトランジスタデバイスのための有望な高誘電率の誘電材料である。ランタニド及び第ＩＩＩ族をベースとする材料は、比較的高い誘電定数（２０〜４０）を有し、トランジスタにおいて高モビリティチャネルを有する良好な界面特性を示す。金属酸化物は、３２ｎｍＤＲＡＭ技術ノードなどにおけるメモリキャパシタンス材料として用いることができる。
【０００８】
[008]ランタニドとしては、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムが挙げられ、スカンジウム及びイットリウムを更に含む第ＩＩＩ族元素の一部である。原子層堆積（ＡＬＤ）は、金属、金属酸化物、及び金属窒化物などのランタニド及び第ＩＩＩ族材料の超薄層を堆積させるための好ましい方法である。しかしながら、これらの化合物に関するＡＬＤ前駆体は容易に入手できず、存在する物は低い揮発性及び低い熱安定性のために使用するのが困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】米国出願１１／４００，９０４
【特許文献２】米国出願１２／３９６，８０６
【特許文献３】米国出願１２／３７３，９１３
【特許文献４】米国出願１２／３７４，０６６
【特許文献５】米国出願１２／２６１，１６９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
[009]当該技術において、ＡＬＤプロセスにおいて用いるためのランタニド及び第ＩＩＩ族前駆体に対する改良に関する必要性がなお存在する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
[010]本発明は、改良された溶媒ベースの前駆体配合物を提供する。特に、本発明は、一般式：
（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｃｐ）３＊Ｍ
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、Ｈ、又は炭化水素ＣｎＨｍ（ｎ＝１〜１０；ｍ＝１〜２ｎ＋１）であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド系列又は第ＩＩＩ族材料からの元素である）を有する酸素を含まないシクロペンタジエニル（Ｃｐ）前駆体を提供する。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[011]本発明は、一般式：
（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｃｐ）３＊Ｍ
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、Ｈ、又は炭化水素ＣｎＨｍ（ｎ＝１〜１０；ｍ＝１〜２ｎ＋１）であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド系列又は第ＩＩＩ族材料からの元素である）を有する溶媒ベースの酸素を含まないシクロペンタジエニル（Ｃｐ）前駆体を提供する。
【００１３】
[012]本発明の前駆体配合物のための溶媒としては、アルカン、アルケン、アルキン、アミド、アセテート、エーテル、エステル、及び他の炭化水素、又はこれらの混合物が挙げられる。酸素を含まない溶媒又は混合物が好ましい。
【００１４】
[013]本発明によれば、ｎ−オクタン又は他のアルカン溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ＥｔＣｐ）３Ｍ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族からの元素である）の出発金属前駆体、及び水蒸気の酸素前駆体から、ＭｙＯｘ（ｙ及びｘは１〜３である）ＡＬＤ薄膜を形成することができる。特に、ｎ−オクタン又は他のアルカン溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ＥｔＣｐ）３Ｇｄの出発金属前駆体及び水蒸気から、Ｇｄ２Ｏ３ＡＬＤ薄膜を形成することができる。
【００１５】
[014]更に本発明によれば、ｎ−オクタン又は他のアルカン溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ｉＰｒＣｐ）３Ｍ又は（ｎＰｒＣｐ）３Ｍ（ここで、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族からの元素である）の出発金属前駆体、及び水蒸気の酸素前駆体から、ＭｙＯｘＡＬＤ薄膜を形成することができる。特に、ｎ−オクタン又は他のアルカン溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ｉＰｒＣｐ）３Ｌａの出発金属前駆体、及び水蒸気の酸素前駆体から、Ｌａ２Ｏ３ＡＬＤ薄膜を形成することができる。
【００１６】
[015]本発明の他の例は、ｎ−オクタン又は他のアルカン溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ｔＢｕＣｐ）３Ｍ又は（ＢｕＣｐ）３Ｍ（ここで、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族からの元素である）の出発金属前駆体、及び水蒸気の酸素前駆体から形成されるＭｙＯｘＡＬＤ薄膜の形成を提供する。
【００１７】
[016]本発明の他の態様は、固体前駆体材料のための溶媒として異なるアルカンを用いる。特に、アルカン溶媒は、線状、分岐、又は環式の形態であってよく、炭素原子の数は２〜２０である。かかる溶媒は、前駆体の金属成分の溶解度、輸送特性、及び相特性に合致するように選択することができる。
【００１８】
[017]酸素前駆体は、上記したように水蒸気であってよいが、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＣＯ、ＣＯ２、ＣＨ３ＯＨ、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、他のアルコール、他の酸、及び酸化剤のような他の酸素含有反応物質であってもよい。或いは、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、アミン等のような窒素含有反応物質を用いることによって、本発明にしたがって窒化物膜を製造することができる。同様に、第２の前駆体として水素、水素原子、又は他の還元剤を用いることによって、金属ＡＬＤ膜を形成することができる。
【００１９】
[018]本発明の溶液ベースの前駆体を好適な溶媒中に溶解し、次に直接液体注入法によって現場の気化器に室温で供給する。気化器温度は５０℃〜２５０℃の間に設定する。次に、完全に気化した溶液前駆体を、ＡＬＤ成長のための理想的な矩形波の形態で堆積室中にパルスで導入する。かかる形態でパルス導入することによって、１〜１０秒のパルスに関しては金属前駆体パルスと他の反応物質のパルスとの間の重なりはない。本発明にしたがって金属と反応物質を時間的及び空間的に分離することによって、真正のＡＬＤ膜成長が得られる。
【００２０】
[019]ｎ−オクタン又は他のアルカン溶媒中に溶解している（ＥｔＣｐ）３Ｇｄの出発金属前駆体からのＧｄ２Ｏ３ＡＬＤ膜の形成に関しては、好ましい気化器温度は１４０℃〜１８０℃、最も好ましくは１５０℃〜１６０℃であり、好ましい堆積温度は１５０℃〜２００℃、最も好ましくは１５０℃である。これによって、気化器内に未反応の前駆体又は残渣を与えることなくＡＬＤ成長が得られた。膜の成長は高度に自己制御型であり、成長膜中に炭素不純物は見られなかった。前駆体は不純物に対して高度に感受性であるので、混入を避けるために注意を払わなければならない。前駆体材料として（ＥｔＣｐ）３Ｇｄを用いた幾つかの実験結果を表１に与える。
【００２１】
【表１】
【００２２】
[020]本発明は、例えばＧｄ（ＥｔＣｐ）３、Ｌａ（ｉＰｒＣｐ）３、Ｌｕ（ｉＰｒＣｐ）３、Ｓｃ（ｉＰｒＣｐ）３、Ｓｃ（ｎＰｒＣｐ）３、Ｇｄ（ｉＰｒＣｐ）３などのＡＬＤ成長のための多くのランタニド又は第ＩＩＩ族材料の金属前駆体を包含する。
【００２３】
[021]他の溶媒及び添加剤を本発明の前駆体溶液中に含ませることができる。これらの溶媒及び添加剤は、気相中又は基材表面上のいずれにおいてもＡＬＤプロセスを妨げてはならない。更に、溶媒及び添加剤はＡＬＤ処理温度においていかなる分解も起こさずに熱的に強固でなければならない。炭化水素は、必要な場合には撹拌又は超音波混合を用いてＡＬＤ前駆体を溶解するための一次溶媒として好ましい。炭化水素は化学的に不活性であり、前駆体と適合性であり、基材表面上の反応部位に関して前駆体と競合しない。溶媒の沸点は、気化プロセス中の粒子の生成を回避するために溶質の揮発度と適合するように十分に高くなければならない。
【００２４】
[022]本発明の前駆体によって、液体溶液ベースのＡＬＤプロセスのために固体前駆体を用いることができるなどの幾つかの有利性が与えられる。かかる化学物質を用いることによって、低い熱履歴の室温供給が可能であり、それによって標準的な液体前駆体に関連する熱分解の問題が解決される。本発明の前駆体によって可能になるプロセスは、溶液系中により少量の金属前駆体しか必要としないので環境に優しい。本発明は、ＡＬＤプロセス中において容易に用いることができない固体前駆体の有用性を拡張する。本発明の溶液前駆体によって、前駆体及び他の反応物質を完全に気化させることによって真正のＡＬＤ膜成長が可能になる。
【００２５】
[023]本発明の前駆体は幾つかの用途のために有用である。特に、本発明の前駆体は、Ｓｉ、Ｇｅ、及びＣベースの第ＩＶ族元素半導体のための高誘電率ゲート誘電層を形成するため、或いはＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、及び他のＩＩＩ〜Ｖ高電子モビリティー半導体のための高誘電率ゲート誘電層を形成するために用いることができる。更に、本発明の前駆体は、ＤＲＡＭ、フラッシュ及び強誘電体メモリーデバイスのための高誘電率キャパシタを形成するために有用である。本発明の前駆体はまた、気体精製、有機合成、燃料電池膜、及び化学検出器のための活性表面として、並びにレーザー、光増幅、光輸送、発光、及び光検出のような光電子用途において用いることもできる。
【００２６】
[024]本発明の他の態様及び変更は、上記の記載を考慮すると当業者に容易に明らかになると思われ、かかる態様及び変更は同様に特許請求の範囲に示される発明の範囲内に含まれると意図される。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式：
（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｃｐ）３＊Ｍ
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、Ｈ、又は式ＣｎＨｍ（式中、ｎ＝１〜１０であり；ｍ＝１〜２ｎ＋１である）を有する炭化水素であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素である）
を有する原子層堆積のための前駆体。
【請求項２】
溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ＥｔＣｐ）３Ｍ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素である）を含む、請求項１に記載の前駆体。
【請求項３】
溶媒が、アルカン、アルケン、アルキン、アミド、アセテート、エーテル、エステル、炭化水素、又はこれらの混合物である、請求項２に記載の前駆体。
【請求項４】
溶媒が酸素を含まない、請求項３に記載の前駆体。
【請求項５】
溶媒が、２〜２０個の炭素原子を有する線状、分岐、又は環式アルカンである、請求項３に記載の前駆体。
【請求項６】
アルカン溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ＥｔＣｐ）３Ｇｄを含む、請求項２に記載の前駆体。
【請求項７】
溶媒がｎ−オクタンである、請求項６に記載の前駆体。
【請求項８】
溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ｉＰｒＣｐ）３Ｍ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素である）を含む、請求項１に記載の前駆体。
【請求項９】
アルカン溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ｉＰｒＣｐ）３Ｌａを含む、請求項８に記載の前駆体。
【請求項１０】
溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ｔＢｕＣｐ）３Ｍ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素である）を含む、請求項１に記載の前駆体。
【請求項１１】
（ＥｔＣｐ）３Ｍ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素であり、Ｃｐはシクロペンタジエニルである）を含む前駆体を用いる原子層堆積によって堆積される、ＭｙＯｘ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素であり、ｙ及びｘは１〜３である）の膜。
【請求項１２】
ＭがＧｄであり、前駆体が（ＥｔＣｐ）３Ｇｄであり、膜がＧｄ２Ｏ３である、請求項１１に記載の膜。
【請求項１３】
（ｉＰｒＣｐ）３Ｍ又は（ｎＰｒＣｐ）３Ｍ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素であり、Ｃｐはシクロペンタジエニルである）を含む前駆体を用いる原子層堆積によって堆積される、ＭｙＯｘ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素であり、ｙ及びｘは１〜３である）の膜。
【請求項１４】
ＭがＬａであり、前駆体が（ｉＰｒＣｐ）３Ｌａであり、膜がＬａ２Ｏ３である、請求項１３に記載の膜。
【請求項１５】
（ｔＢｕＣｐ）３Ｍ又は（ＢｕＣｐ）３Ｍ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素であり、Ｃｐはシクロペンタジエニルである）を含む前駆体を用いる原子層堆積によって堆積される、ＭｙＯｘ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素であり、ｙ及びｘは１〜３である）の膜。
【請求項１６】
溶媒中に溶解している式：（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｃｐ）３＊Ｍ（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、Ｈ、又は式ＣｎＨｍ（式中、ｎ＝１〜１０であり；ｍ＝１〜２ｎ＋１である）を有する炭化水素であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素である）を有する第１の前駆体溶液を気化器に導入し；
気化器内で第１の前駆体溶液を気化させ；
気化した第１の前駆体を堆積室に供給し；
表面反応によって基材上に金属含有分子の単分子層を形成し；
堆積室をパージし；
酸素含有化合物を含む第２の前駆体を堆積室に導入し；
表面反応によって基材上に金属酸化物膜の１つの単分子層を形成し；そして
上記の工程を繰り返して、基材上に所定の厚さの金属酸化物膜を形成する；
ことを含む原子層堆積法。
【請求項１７】
気化した第１の前駆体を供給する工程が、第１の前駆体を理想的な矩形波の形態で供給することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
第２の前駆体を導入する工程が、第２の前駆体を理想的な矩形波の形態で供給することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
気化器温度が１４０℃〜１８０℃の間であり、堆積温度が１５０℃〜２００℃の間である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
気化器温度が１５０℃〜１６０℃であり、堆積温度が１５０℃である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
溶媒が、アルカン、アルケン、アルキン、アミド、アセテート、エーテル、エステル、炭化水素、又はこれらの混合物である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
溶媒が酸素を含まない、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
第２の前駆体が、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＣＯ、ＣＯ２、ＣＨ３ＯＨ、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、アルコール、酸、又は酸化剤である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２４】
金属酸化物膜がＧｄ２Ｏ３又はＬａ２Ｏ３である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２５】
溶媒中に溶解している式：（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｃｐ）３＊Ｍ（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、Ｈ、又は式ＣｎＨｍ（式中、ｎ＝１〜１０であり；ｍ＝１〜２ｎ＋１である）を有する炭化水素であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素である）を有する第１の前駆体溶液を気化器に導入し；
気化器内で第１の前駆体溶液を気化させ；
気化した第１の前駆体を堆積室に供給し；
表面反応によって基材上に金属含有分子の単分子層を形成し；
堆積室をパージし；
窒素含有化合物を含む第２の前駆体を堆積室に導入し；
表面反応によって基材上に金属窒化物膜の１つの単分子層を形成し；そして
上記の工程を繰り返して、基材上に所定の厚さの金属窒化物膜を形成する；
ことを含む原子層堆積法。
【請求項２６】
気化した第１の前駆体を供給する工程が、第１の前駆体を理想的な矩形波の形態で供給することを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
第２の前駆体を導入する工程が、第２の前駆体を理想的な矩形波の形態で供給することを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
第２の前駆体が、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、又はアミンである、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
溶媒中に溶解している式：（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｃｐ）３＊Ｍ（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、Ｈ、又は式ＣｎＨｍ（式中、ｎ＝１〜１０であり；ｍ＝１〜２ｎ＋１である）を有する炭化水素であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素である）を有する第１の前駆体溶液を気化器に導入し；
気化器内で第１の前駆体溶液を気化させ；
気化した第１の前駆体を堆積室に供給し；
表面反応によって基材上に金属含有分子の単分子層を形成し；
堆積室をパージし；
反応性還元性化合物を含む第２の前駆体を堆積室に導入し；
表面反応によって基材上に金属膜の１つの単分子層を形成し；そして
上記の工程を繰り返して、基材上に所定の厚さの金属膜を形成する；
ことを含む原子層堆積法。
【請求項３０】
気化した第１の前駆体を供給する工程が、第１の前駆体を理想的な矩形波の形態で供給することを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
第２の前駆体を導入する工程が、第２の前駆体を理想的な矩形波の形態で供給することを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
還元性化合物が水素又は水素原子である、請求項２９に記載の方法。
【請求項１】
一般式：
（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｃｐ）３＊Ｍ
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、Ｈ、又は式ＣｎＨｍ（式中、ｎ＝１〜１０であり；ｍ＝１〜２ｎ＋１である）を有する炭化水素であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素である）
を有する原子層堆積のための前駆体。
【請求項２】
溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ＥｔＣｐ）３Ｍ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素である）を含む、請求項１に記載の前駆体。
【請求項３】
溶媒が、アルカン、アルケン、アルキン、アミド、アセテート、エーテル、エステル、炭化水素、又はこれらの混合物である、請求項２に記載の前駆体。
【請求項４】
溶媒が酸素を含まない、請求項３に記載の前駆体。
【請求項５】
溶媒が、２〜２０個の炭素原子を有する線状、分岐、又は環式アルカンである、請求項３に記載の前駆体。
【請求項６】
アルカン溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ＥｔＣｐ）３Ｇｄを含む、請求項２に記載の前駆体。
【請求項７】
溶媒がｎ−オクタンである、請求項６に記載の前駆体。
【請求項８】
溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ｉＰｒＣｐ）３Ｍ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素である）を含む、請求項１に記載の前駆体。
【請求項９】
アルカン溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ｉＰｒＣｐ）３Ｌａを含む、請求項８に記載の前駆体。
【請求項１０】
溶媒中に溶解している０．０１Ｍ〜０．５Ｍの（ｔＢｕＣｐ）３Ｍ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素である）を含む、請求項１に記載の前駆体。
【請求項１１】
（ＥｔＣｐ）３Ｍ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素であり、Ｃｐはシクロペンタジエニルである）を含む前駆体を用いる原子層堆積によって堆積される、ＭｙＯｘ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素であり、ｙ及びｘは１〜３である）の膜。
【請求項１２】
ＭがＧｄであり、前駆体が（ＥｔＣｐ）３Ｇｄであり、膜がＧｄ２Ｏ３である、請求項１１に記載の膜。
【請求項１３】
（ｉＰｒＣｐ）３Ｍ又は（ｎＰｒＣｐ）３Ｍ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素であり、Ｃｐはシクロペンタジエニルである）を含む前駆体を用いる原子層堆積によって堆積される、ＭｙＯｘ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素であり、ｙ及びｘは１〜３である）の膜。
【請求項１４】
ＭがＬａであり、前駆体が（ｉＰｒＣｐ）３Ｌａであり、膜がＬａ２Ｏ３である、請求項１３に記載の膜。
【請求項１５】
（ｔＢｕＣｐ）３Ｍ又は（ＢｕＣｐ）３Ｍ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素であり、Ｃｐはシクロペンタジエニルである）を含む前駆体を用いる原子層堆積によって堆積される、ＭｙＯｘ（式中、Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素であり、ｙ及びｘは１〜３である）の膜。
【請求項１６】
溶媒中に溶解している式：（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｃｐ）３＊Ｍ（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、Ｈ、又は式ＣｎＨｍ（式中、ｎ＝１〜１０であり；ｍ＝１〜２ｎ＋１である）を有する炭化水素であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素である）を有する第１の前駆体溶液を気化器に導入し；
気化器内で第１の前駆体溶液を気化させ；
気化した第１の前駆体を堆積室に供給し；
表面反応によって基材上に金属含有分子の単分子層を形成し；
堆積室をパージし；
酸素含有化合物を含む第２の前駆体を堆積室に導入し；
表面反応によって基材上に金属酸化物膜の１つの単分子層を形成し；そして
上記の工程を繰り返して、基材上に所定の厚さの金属酸化物膜を形成する；
ことを含む原子層堆積法。
【請求項１７】
気化した第１の前駆体を供給する工程が、第１の前駆体を理想的な矩形波の形態で供給することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
第２の前駆体を導入する工程が、第２の前駆体を理想的な矩形波の形態で供給することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
気化器温度が１４０℃〜１８０℃の間であり、堆積温度が１５０℃〜２００℃の間である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
気化器温度が１５０℃〜１６０℃であり、堆積温度が１５０℃である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
溶媒が、アルカン、アルケン、アルキン、アミド、アセテート、エーテル、エステル、炭化水素、又はこれらの混合物である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
溶媒が酸素を含まない、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
第２の前駆体が、Ｏ２、Ｏ３、Ｎ２Ｏ、ＮＯ、ＣＯ、ＣＯ２、ＣＨ３ＯＨ、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、アルコール、酸、又は酸化剤である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２４】
金属酸化物膜がＧｄ２Ｏ３又はＬａ２Ｏ３である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２５】
溶媒中に溶解している式：（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｃｐ）３＊Ｍ（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、Ｈ、又は式ＣｎＨｍ（式中、ｎ＝１〜１０であり；ｍ＝１〜２ｎ＋１である）を有する炭化水素であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素である）を有する第１の前駆体溶液を気化器に導入し；
気化器内で第１の前駆体溶液を気化させ；
気化した第１の前駆体を堆積室に供給し；
表面反応によって基材上に金属含有分子の単分子層を形成し；
堆積室をパージし；
窒素含有化合物を含む第２の前駆体を堆積室に導入し；
表面反応によって基材上に金属窒化物膜の１つの単分子層を形成し；そして
上記の工程を繰り返して、基材上に所定の厚さの金属窒化物膜を形成する；
ことを含む原子層堆積法。
【請求項２６】
気化した第１の前駆体を供給する工程が、第１の前駆体を理想的な矩形波の形態で供給することを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
第２の前駆体を導入する工程が、第２の前駆体を理想的な矩形波の形態で供給することを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】
第２の前駆体が、ＮＨ３、Ｎ２Ｈ４、又はアミンである、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
溶媒中に溶解している式：（Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４Ｒ５Ｃｐ）３＊Ｍ（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５は、Ｈ、又は式ＣｎＨｍ（式中、ｎ＝１〜１０であり；ｍ＝１〜２ｎ＋１である）を有する炭化水素であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド又は第ＩＩＩ族の元素である）を有する第１の前駆体溶液を気化器に導入し；
気化器内で第１の前駆体溶液を気化させ；
気化した第１の前駆体を堆積室に供給し；
表面反応によって基材上に金属含有分子の単分子層を形成し；
堆積室をパージし；
反応性還元性化合物を含む第２の前駆体を堆積室に導入し；
表面反応によって基材上に金属膜の１つの単分子層を形成し；そして
上記の工程を繰り返して、基材上に所定の厚さの金属膜を形成する；
ことを含む原子層堆積法。
【請求項３０】
気化した第１の前駆体を供給する工程が、第１の前駆体を理想的な矩形波の形態で供給することを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
第２の前駆体を導入する工程が、第２の前駆体を理想的な矩形波の形態で供給することを含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
還元性化合物が水素又は水素原子である、請求項２９に記載の方法。
【公表番号】特表２０１２−５２６９１９（Ｐ２０１２−５２６９１９Ａ）
【公表日】平成２４年１１月１日（２０１２．１１．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５１０８２３（Ｐ２０１２−５１０８２３）
【出願日】平成２２年４月２６日（２０１０．４．２６）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０３２３８６
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／１３２１９２
【国際公開日】平成２２年１１月１８日（２０１０．１１．１８）
【出願人】（３９１００９６５９）リンデ アクチエンゲゼルシャフト (106)
【氏名又は名称原語表記】Ｌｉｎｄｅ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ
【住所又は居所原語表記】Ｋｌｏｓｔｅｒｈｏｆｓｔｒａｓｓｅ １， Ｄ−８０３３１ Ｍｕｅｎｃｈｅｎ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２４年１１月１日（２０１２．１１．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年４月２６日（２０１０．４．２６）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０３２３８６
【国際公開番号】ＷＯ２０１０／１３２１９２
【国際公開日】平成２２年１１月１８日（２０１０．１１．１８）
【出願人】（３９１００９６５９）リンデ アクチエンゲゼルシャフト (106)
【氏名又は名称原語表記】Ｌｉｎｄｅ Ａｋｔｉｅｎｇｅｓｅｌｌｓｃｈａｆｔ
【住所又は居所原語表記】Ｋｌｏｓｔｅｒｈｏｆｓｔｒａｓｓｅ １， Ｄ−８０３３１ Ｍｕｅｎｃｈｅｎ， Ｇｅｒｍａｎｙ
【Ｆターム（参考）】
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