国際特許分類[C23C16/505]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般 (47,648) | 金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般 (43,865) | ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着 (14,497) | 被覆の方法に特徴のあるもの (8,485) | 放電を用いるもの (2,254) | 高周波放電によるもの (1,143)
国際特許分類[C23C16/505]の下位に属する分類
外部電極,例.トンネル型のリアクトル,を用いるもの (128)
内部電極を用いるもの (561)
国際特許分類[C23C16/505]に分類される特許
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プラズマ生成装置及び方法並びに可変デューティサイクルの高周波駆動回路
ここに開示するリアクティブ回路は、高密度のプラズマを生成する方法及びシステムにおいて、動的整合用回路網を使用することを必要とせずに、インピーダンスが動的に変化するプラズマを直接的に駆動できるようにするものである。このリアクティブ回路網は、プラズマインピーダンスのリアクタンス成分であるプラズマリアクタンスの値が第1の値であるときに小さな合計リアクタンスを提供し、且つ、プラズマリアクタンスの値が第2の値であるときに所定リアクタンス限界値を超えないリアクタンスを示すようにしたものである。プラズマリアクタンスの前記第1の値及び前記第2の値は、動的に変化するプラズマリアクタンスの値の予期される値域の大部分に及ぶ値である。プラズマリアクタンスの前記第1の値及び前記第2の値を、例えば、このプラズマリアクタンスの予期される上限値及び下限値に夫々対応した値としてもよく、或いはまた、プラズマリアクタンスの前記第1の値を、プラズマリアクタンスの予期される平均値に対応した値としてもよい。
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プラズマ生成装置
【課題】空間的に均一な密度のプラズマを生成することができるプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】真空容器11内に複数個の高周波アンテナ16を配置し、各高周波アンテナ16にインピーダンス素子17を接続する。高周波電源20に、銅板18を介して複数の高周波アンテナ16を並列に接続する。各インピーダンス素子17をそれぞれ適切な値に調節することにより、高周波電源20から各高周波アンテナ16に供給される高周波電力を制御する。これにより、真空容器11内のプラズマ密度の均一性を高くすることができる。
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プラズマプロセス用装置
【技術課題】 基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。
【解決手段】 容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第1及び第2電極102,104と、プラズマに対して安定な材料から成り第1電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第2電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第1電極102に接続される第1の高周波電源111と、第2電極104に接続される第2の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第1の高周波電源の周波数が前記第2の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。
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プラズマ処理システム
【課題】プラズマ処理チャンバ内に、外周部がチャンバの側壁よりも小さいプラズマを生成する。
【解決手段】少なくとも一部の境界が絶縁シールド18及び側壁によって構成された内部空間を有するプラズマ処理チャンバ12と、チャンバ12の内部空間において基板Wを支持する基板支持体13と、RFエネルギを絶縁シールド18を通してチャンバ12の内部空間に伝え、チャンバ12内の絶縁シールド18の下に領域が制限された略均一な磁界を生成する電気伝導コイル20を有するRFエネルギ源とを備える。この磁界は、コイル20の下の領域である中央部よりもチャンバの内部空間の周辺領域で実質的に弱く、該磁界により処理ガスが略均一なプラズマに励起される。
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