【課題】結晶成長過程における組成変化を抑制し、均一性の高い単結晶を製造することができる結晶成長方法を提供する
【解決手段】成長結晶１９の組成と同一組成の原料棒２１を、炉内に設置されたるつぼ１１内の原料溶融体１８の表面に接触させ、原料棒２１と原料溶融体１８との熱接触状態を維持する。単位時間あたりの成長結晶１９の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料棒２１から補充原料を原料溶融体１８に供給する。原料棒２１は、粒径を調整した結晶粒の集合体であり、原料棒２１から成長結晶１９への原料溶融体内の対流により、結晶粒が成長結晶１９に到達するまでに溶融するように、結晶粒の粒径が決定されている。 （もっと読む）

【課題】半導体の凝固方法を提供する。
【解決手段】ドーパントを含む第一の半導体チャージ１２０から溶融半導体１０３のバスを形成する段階と、溶融半導体１０３の凝固段階とを含み、更に、ドーパントを含む補充半導体チャージ１２０を溶融半導体１０３のバスに添加する一つ以上の段階を、凝固中に実施することを含む。補充半導体チャージ１２０は固体状または液体状である。また、電子アクセプタードーパントはホウ素原子であり、電子ドナードーパントはリン原子である。 （もっと読む）

【課題】公知の溶液成長法に比べて炭化珪素単結晶の成長速度の大きい炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ内で加熱されたＳｉを融解した融液に炭化珪素単結晶を接触させて基板上に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、融液内にＣｒおよびＸ（ＸはＳｎ、Ｉｎ、Ｇａのうち少なくともいずれか１種以上の元素である）の元素を全組成中の各々の元素の割合としてＣｒが３０〜７０ａｔ．％、Ｘが１〜２５ａｔ．％となる範囲として添加した融液より炭化珪素結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】溶液法によるＳｉ−Ｃｒ−Ｃ溶液からのＳｉＣ単結晶中のマクロ的な欠陥を低減することが可能である炭化珪素単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ内で加熱されたＳｉを融解した融液に炭化珪素単結晶を接触させ基板上に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、融液内にＣｒおよびＸ（ＸはＣｅ、Ｎｄのうち少なくともいずれか１種である）の元素を全組成中の各々の元素の割合としてＣｒが３０〜７０ａｔ．％、Ｘが１〜２５ａｔ．％となる範囲として添加した融液より炭化珪素単結晶を析出成長させる。 （もっと読む）

【課題】ドーパントがドーピングされる半導体単結晶の製造方法、特に、製造される半導体単結晶と同一の半導体材料の種結晶を使用し、坩堝内で半導体溶融体を凝固させて製造する製造方法を提供する。
【解決手段】半導体単結晶１１における所望の導電率を調整するために使用されるドーパント７は、種結晶５上に形成される半導体単結晶１１の成長が開始した後、又は坩堝１の一部又は完全に坩堝の円錐な部分３又は先細部において半導体単結晶１１の凝固が終了した後、半導体溶融体９に添加される。又は、ドーパント７の一部が、事前に坩堝１に添加され、その後残りが適宜半導体溶融体９に添加される。 （もっと読む）

【課題】縦型温度傾斜法（ＶＧＦ法）や縦型ブリッジマン法（ＶＢ法）等の縦型ボート法を用いてＳｉドープ型ＧａＡｓ単結晶を製造する際に、ＳｉがＧａＡｓ単結晶中に再現性良くドープされ、かつＳｉ濃度が均一であり、高い歩留りで生産できるＳｉドープｎ型単結晶を提供する。
【解決手段】るつぼ収納容器３内に設けたるつぼ４に種結晶５とＧａＡｓ原料を装入し、その上にＳｉ酸化物を予めドープした封止材（Ｂ₂Ｏ₃）８を置き、ヒーター１７で加熱して原料を溶融し、温度制御により原料融液７からＧａＡｓ結晶６を晶出育成させる際、上記封止剤よりもＳｉ濃度が低い第２の封止剤９を結晶成長時の適正な時期にるつぼ内に流入させ、上部ロッド１２を攪拌板１０で攪拌することにより、結晶中のキャリア濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】 成長初期から高品質のIII族窒化物結晶を成長させることが可能であり、さらには、従来よりも大型かつ高品質のIII族窒化物結晶を成長させることの可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。
【解決手段】 少なくともアルカリ金属とIII族金属原料と窒素とが溶解した融液２５からIII族窒化物結晶を成長させるときに、窒素原料を融液２５外から融液２５中に溶解してIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物の結晶成長方法であって、融液２５中に溶解している窒素濃度を飽和濃度以上にする工程を行った後に、III族窒化物２６の結晶成長を開始させる。 （もっと読む）

【課題】 フラックス法でＩＩＩ族窒化物結晶の結晶サイズをより一層大きく作製することの可能なＩＩＩ族窒化物結晶成長方法を提供する。
【解決手段】 反応容器内で、フラックスと少なくともＩＩＩ族金属を含む物質とが混合融液１０３を形成し、該混合融液１０３と少なくとも窒素を含む物質とから、ＩＩＩ族金属と窒素とから構成されるＩＩＩ族窒化物を結晶成長させるＩＩＩ族窒化物結晶成長方法において、混合融液１０３中にＩＩＩ族窒化物の結晶核が生じる基体１０２があり、該基体１０２に結晶核が多数発生する多核成長で、ＩＩＩ族窒化物１１０の複数の結晶核を合体させながらＩＩＩ族窒化物１１０の結晶成長を進行させる。 （もっと読む）

【課題】フラックス法により、高品質で且つ放熱特性に優れ、低コスト化を図れる高熱伝導率のIII族窒化物自立基板、III族窒化物半導体デバイス、半導体モジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】フラックスと少なくともIII族金属を含む混合融液と窒素とから、前記III族金属と前記窒素とを反応させて構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法において、前記III族窒化物を結晶成長させる界面に、III族金属またはフラックスの少なくとも１方の融液を充填する。 （もっと読む）

【課題】 III族窒化物が成長する領域からのフラックスの漏れを抑制し、高品質で大型のIII族窒化物結晶を実現する。
【解決手段】 反応容器１０４内で、フラックスと少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液１０８を形成し、該混合融液１０８と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法において、反応容器１０４内には窒素を含む物質が気体として存在している空間１０９があり、III族窒化物１１６の結晶成長の進行とともに、反応容器内の窒素を含む物質が存在している空間１０９の体積を制御しながら結晶成長を進行させる。 （もっと読む）