【課題】ＶＧＦ法およびＶＢ法により、結晶成長方向の炭素濃度が一定な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造する方法を提供する。
【解決手段】石英アンプル内に、ＧａＡｓ原料５およびＢ₂Ｏ₃６を入れたるつぼ３と、蒸気圧制御用のＡｓ７と、Ｇａ₂Ｏ₃、Ａｓ₂Ｏ₃よりなる群から選ばれた１または２以上の化合物、あるいは、一酸化炭素、二酸化炭素よりなる群から選ばれた１または２以上の化合物よりなる酸素供給源８を封入し、石英アンプル中のＣＯガス濃度を制御しながら結晶成長を行なう。 （もっと読む）

【課題】ドーパントがドーピングされる半導体単結晶の製造方法、特に、製造される半導体単結晶と同一の半導体材料の種結晶を使用し、坩堝内で半導体溶融体を凝固させて製造する製造方法を提供する。
【解決手段】半導体単結晶１１における所望の導電率を調整するために使用されるドーパント７は、種結晶５上に形成される半導体単結晶１１の成長が開始した後、又は坩堝１の一部又は完全に坩堝の円錐な部分３又は先細部において半導体単結晶１１の凝固が終了した後、半導体溶融体９に添加される。又は、ドーパント７の一部が、事前に坩堝１に添加され、その後残りが適宜半導体溶融体９に添加される。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れるとともに結晶中の転位が少なく均質な単結晶を低コストで得ることができる化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長容器１内に投入した化合物半導体原料６の表面と結晶成長容器１の内面との間に液体封止剤２を介在させた状態で、結晶成長容器１を、化合物半導体原料６の融点を含む範囲で温度勾配を設けた加熱炉７内で徐々に移動させて、加熱炉７における化合物半導体原料６の融点以上の温度部分で化合物半導体原料６を溶融させた後、融点以下の温度部分で化合物半導体単結晶５を成長させ、化合物半導体単結晶５の成長終了後、液体封止剤２及び化合物半導体単結晶５を２００℃から化合物半導体単結晶５の融点までの温度で加熱処理する。 （もっと読む）

【目的】 化合物半導体単結晶を融液より育成させた後、坩堝内の当該化合物半導体単結晶を該坩堝から取出すことを容易にする。
【構成】 化合物半導体単結晶の育成が終了した後、種結晶を坩堝に対し相対的に上部に移動させ、当該単結晶を坩堝および残留液体封止剤から分離させることを特徴とする。 （もっと読む）