【課題】大口径化しても、スリップの発生を抑制できるＧａＡｓウェハ及びその製造方法
を提供する。
【解決手段】ＬＥＣ法によりＧａＡｓ単結晶を成長する成長工程と、成長工程で得られた
ＧａＡｓ単結晶をスライスしてＧａＡｓウェハを作製するウェハ作製工程とを有するＧａ
Ａｓウェハの製造方法において、成長工程では、成長工程で得られるＧａＡｓ単結晶中の
硫黄原子濃度が一様に２×１０^１４ｃｍ^−３以上となるように、原料中に硫黄を添加する
。 （もっと読む）

【課題】ウエハ径７０ｍｍ以上の大口径で、厚さ２４０μｍ以下まで薄板化した場合でも、反り量が４０μｍ以下となるＧａＰ単結晶ウエハを収率よく提供する。
【解決手段】加工して得られるＧａＰ単結晶ウエハのウエハ径Ｌ_Ｗに対する、結晶育成に用いるルツボの内径Ｌ_cの比Ｌ_c／Ｌ_wを、１．７以上１．９以下とし、引き上げ方向の結晶長１ｍｍあたりにおける、育成中のＧａＰ単結晶と融液の間の固液界面形状の凸度の変化量を±１．３ｍｍ以内に規制することにより、反り量が４０μｍ以下であるＧａＰ単結晶ウエハを９０％以上の収率で得ることを可能とする。 （もっと読む）

【課題】種結晶からのＡｓの脱離を可能な限り抑制し、Ａｓの脱離に基いて生じる凝集Ｇａが固液界面へ到達することで引き起こされる成長結晶の多結晶化を防止することができるＬＥＣ法による化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 本実施例のＬＥＣ法によるＧａＡｓ単結晶（化合物半導体単結晶）の製造方法では、種結晶４が液体封止材１０の表面１４の上方１００ｍｍから表面１４に到達するまでの時間を１０分以内となるように引下げる。若しくは、引上げ軸３の引上げ開始の位置から１０ｍｍ引上げするまでの引上速度ｖを３ｍｍ／ｈｒ≦ｖ≦１０ｍｍ／ｈｒとする。また、ルツボ５は、地面２０から上部ヒータ１１の発熱中心１１Ａまでの高さｈ１と地面２０から液体封止材１０の表面１４までの高さｈ２との差ｈ２−ｈ１が１０ｍｍ≦ｈ２−ｈ１≦２５ｍｍとなるように昇降移動させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＧａＡｓ単結晶ウエハを用いたデバイス製造プロセス中の熱処理に対して、そのウエハ自身の反りや、熱処理時のウエハ面内温度均一性といった影響を低減し、転位の導入による残留応力の緩和を必要としないスリップ不良の発生が無いＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、半径方向歪をＳｒ、円柱接線方向歪をＳｔとするとき、半絶縁性ＧａＡｓウエハ平面内の残留応力｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が、前記平面内の中心部で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５未満であり、その外周部で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５以上である領域及び前記外周部の[０ｌｌ]方向で｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が１.０×１０^−５未満である領域が存在することを特徴とするＧａＡｓ単結晶ウエハ及びその製造方法にある。 （もっと読む）

【課題】種結晶表面へのガリウムの析出を防止し、それを原因とする多結晶部の発生を抑止した化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料及び液体封止剤を入れたるつぼを加熱して原料及び液体封止剤を融解し、融解した原料融液に接触させた種結晶を引き上げることにより、化合物半導体単結晶を成長させる液体封止チョクラルスキー法を用いた化合物半導体単結晶の製造方法において、表面に金属保護膜を形成した種結晶を用いるものである。 （もっと読む）

【課題】安定した半導体結晶を歩留まり良く得ることができる半導体結晶の製造方法を実現する。
【解決手段】ルツボ３内に収容した原料７及び液体封止材８を加熱、溶融し、ルツボ内に生成した原料融液に種結晶４を接触させつつ該種結晶を引上げて成長結晶１１を得る半導体結晶の製造方法において、引上げる半導体結晶の頭部１１ａにガス吹き付け装置１２によって窒素又はアルゴン又は二酸化炭素又は一酸化炭素のガスを吹き付けて前記半導体結晶内の軸方向の温度勾配を８〜１５℃／ｍｍに制御することにより、安定した単結晶を歩留まり良く製造する。 （もっと読む）

【課題】大口径化しても、スリップ不良の発生を抑制できるＧａＡｓウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＣ法によりＧａＡｓ単結晶を成長する成長工程と、成長工程で得られたＧａＡｓ単結晶をスライスしてＧａＡｓウェハを作製するウェハ作製工程とを有するＧａＡｓウェハの製造方法において、成長工程では、ＧａＡｓ単結晶と原料融液との固液界面の形状が原料融液側に凸状となっており、原料融液と前記液体封止剤との界面から原料融液中のＧａＡｓ単結晶の先端部までの長さＴ１と、ＧａＡｓ単結晶の外径Ｔ２との比Ｔ１／Ｔ２が、０.２５≦Ｔ１／Ｔ２≦０.４５であり、ウェハ作製工程で得られたＧａＡｓウェハは、ユニバーサル硬度がウェハ面内で一様に４０００Ｎ／ｍｍ^２以上４８５０Ｎ／ｍｍ^２以下である。 （もっと読む）

【課題】多結晶の発生を抑制することのできるＧａＡｓ単結晶の製造方法及びＧａＡｓ単結晶を提供する。
【解決手段】窒素を含む雰囲気ガスで充填される反応容器２内に設置され、ＧａＡｓの原料９を収容しているルツボ５を加熱し、原料を融解させて原料融液にする原料融解工程と、ＧａＡｓの種結晶４を原料融液に接触させ、種結晶４の先端からＧａＡｓ単結晶８を成長させると共に、ＧａＡｓ単結晶８の表面に窒化物薄膜を形成する単結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＣ法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法）により結晶径φ２００ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶を製造するに際し、成長する結晶の固液界面を最適な形状として、多結晶化を防止し得る化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＣ法により結晶径が２００ｍｍ以上の大口径の化合物半導体単結晶８を製造する際に、単結晶製造中の結晶回転数を３〜８（ｒｐｍ）の範囲に定めるものである。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＴｅ等の化合物半導体単結晶の製造において、歩留まりの向上及びウェハとしたときの面内均一性の向上を図ることができるヒータ、結晶成長装置及び化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗加熱により発熱する円筒状の発熱部１０１と、この発熱部１０１の外周面下部の対向する２箇所から突出形成された脚部１０２とを備えたヒータ１０において、電極棒が接続される端子部１０２ａと、この端子部１０２ａと発熱部を接続する接続部１０２ｂとで脚部１０２を構成し、接続部１０２ｂの厚さを１０ｍｍ以下、幅を２０ｍｍ以下とする。 （もっと読む）