【課題】生産効率が高く、製造装置の破損のおそれの少ない固相シートの製造方法およびそれに用いる固相シート成長用基体を提供する。
【解決手段】固相シート成長用基体は、主面と、主面を取り囲む側面とを有する。主面は周縁溝によって周縁溝より外側の周辺部と周縁溝より内側の内側部とに区画され、周辺部の側面には周縁溝から分離されたスリット溝が形成されている。 （もっと読む）

本発明は、半導体グレードのシリコンのインゴットを多結晶化し、シリコン窒化物から作られる坩堝、または、シリコン炭化物及びシリコン窒化物の複合体から作られる坩堝内で供給シリコン材料を溶融することも任意に備えることによって、凝固工程を用いた改善された制御及び前記インゴット内の酸素及び炭素不純物の低下したレベルを可能にする、半導体グレードの多結晶シリコンのインゴットの方向性凝固の方法であって、坩堝の下部の壁厚は、下部を横切る熱抵抗が、坩堝を支持する下にある支持体を横切る熱抵抗と少なくとも同一のオーダーのレベルまたはそれ未満まで低下されるように採寸される。
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【課題】シリコンウェーハ基板上の形成膜の平坦度を向上させるための気相成長装置及び気相成長方法、また、清浄度を向上させるための気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】原料ガスのガス導入口及びガス排出口が形成された反応容器内で、シリコン基板の主表面に沿ってシリコン単結晶薄膜形成のための原料ガスを導入しつつ、前記主表面側の反対側に、前記シリコン基板を回転支持する回転軸に沿うようにパージガスを導入し、それぞれ、前記原料ガスは前記ガス排出口から排出し、前記パージガスは、前記反対側に備えられたパージガス排出口から排出し、実質的に前記パージガス及び前記原料ガスがそれぞれ前記主表面側及びその反対側への流出が制限されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温工程によるスリップ発生を完璧に制御し、素子の活性領域には均一且つ充分なＤＺ及びＣＯＰフリー(free)領域を提供するとともに、バルク領域には高密度のＢＭＤを有するシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気でシリコンウェーハを第１温度で所定時間維持して予熱させる段階と,水素雰囲気で第１温度より高い第２温度まで第１温度上昇率で昇温させる段階と、第２温度より高い第３温度まで前記第１上昇率より小さい第２温度上昇率で昇温させる段階と、不活性ガス雰囲気で第３温度より高い第４温度まで第３温度上昇率で昇温させる段階と、第４温度で維持して高温熱処理する段階と、第１温度まで下降させ、ウェーハを所定の深さまで研磨した後測定した、０．０６５μｍ以上のサイズを有する欠陥に関するＬＰＤＮ（Light Point Defect Non-cleanable）の個数がウェーハ当たり２０個以下になるようにすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】６５ｎｍまたはそれよりも小さい線幅で素子を製造するのに適しており、平坦性およびナノトポグラフィならびに層均一性を向上させた半導体ウェハを提供する。
【解決手段】ａ）半導体ウェハ５の特性を表すパラメータを位置に依存して測定し、ウェハ５の面全体で位置に依存するパラメータ値を求める。ｂ）酸化レートおよび結果として得られる酸化層の厚さがウェハ５の平面における光強度に依存しており、酸化剤の使用とともにウェハ５の面全体を同時に照射することによる作用によって、ウェハ５の面全体を酸化させる。ｃ）酸化層を除去する。この場合、ステップｂ）において光強度を位置に依存してまえもって設定し、ステップａ）において測定された位置に依存する各パラメータ値における相違を、位置に依存する光強度の結果として生じるステップｂ）における酸化レートおよびステップｃ）におけるその後の酸化層除去によって低減する。 （もっと読む）

【課題】溶融した半導体材料を溶融ルツボの底部より吐出させ、落下管中を落下させながら冷却・凝固させ、落下管の下部に配置されたシリコーンオイル中に粒状半導体を回収する粒状半導体の製造方法において、不純物の混入がなくまた品質が均一な粒状半導体の製造方法及びその製造装置を提供する。
【解決手段】溶融半導体を落下させる落下管水平断面にガス供給ノズルユニット５を設置し、ガス導入ノズルの中心軸を、落下管の水平断面に対して成す角θが下方向へ０°を超え６０°迄の角度を成し、且つ、ノズル開口中心と同心円中心を結ぶ線分に対して成す角φが０°を超え４５°迄の角度になるように設置することにより、導入されるガスは落下管の垂直中心軸に対して螺旋状になって回収装置へ向かって進行し、シリコーンオイルの分解物及び蒸発物は、導入したガス流及び排気ポンプの引力で落下管の上部へ流れることはなく、排気口から回収装置の外へ排気される。 （もっと読む）

【目的】高温、減圧下での単結晶引上げ時に発生するルツボ内表面の泡膨張が抑えされ、この泡膨張に基づく剥離石英ガラス片に起因するシリコン単結晶の有転移がなく、高歩留まりで高品質のシリコン単結晶を引上げることができる石英ガラスルツボの製造方法を提供すること。
【課題】シリカ粉を回転モールド内に投入して、遠心力によりルツボ形状に成形したのち、加熱溶融して半透明石英ガラスルツボ基体を形成し、その形成中又は形成後の加熱雰囲気内に、０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の水素圧下、３００℃〜８００℃の温度で加熱処理して得た水素濃度が５×１０^１７〜３×１０^１９ ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｃｍ^３の水素ドープシリカ粉を供給し、半透明石英ガラスルツボ基体の内面側から少なくとも０．５ｍｍに透明石英ガラス層を形成することを特徴とするシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボの製造方法。 （もっと読む）

【課題】インゴットの全長にわたって水素添加による空孔抑制効果が得られ、高い歩留まりでＧｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥フリーのシリコン単結晶が得られる製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引上げ装置１０のチャンバ１１内に設置された石英るつぼ１２にシリコン融液１３を貯留しチャンバ１１内を水素添加の不活性ガス雰囲気に維持しながら石英るつぼ１２に貯留したシリコン融液１３からシリコン単結晶インゴット１４を引上げるシリコン単結晶の製造方法である。シリコン融液１３に溶け込んだ酸素のインゴット１４中への導入を抑制するために、引上げるインゴット１４の結晶長に応じてチャンバ１１内圧力を変化させ、チャンバ１１内圧力を上昇させるときにはチャンバ１１内雰囲気ガス中の水素濃度を低くし、チャンバ１１内圧力を低下させるときには雰囲気ガス中の水素濃度を高くする。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法で製造されるシリコン単結晶を所定の抵抗率で安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ＦＺ法で使用する高価な多結晶シリコン原料棒の代わりに高品質で安定した供給が得られる原料であるＣＺ法により製造された抵抗率が５０Ω・ｃｍ以上のＰ型またはＮ型のシリコン結晶棒１をシリコン原料棒１として、シリコン原料棒１にシリコン原料棒１と同一導電型の不純物をガスドープすることにより、シリコン原料棒１を所望の抵抗率のＰ型またはＮ型のシリコン単結晶に再結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高温工程によるスリップ発生を完璧に制御し、素子の活性領域には均一且つ充分なＤＺ及びＣＯＰフリー(free)領域を提供するとともに、バルク領域には高密度のＢＭＤを有するシリコンウェーハを提供することにある。
【解決手段】本発明に係るシリコンウェーハの代表的な構成は、本発明に係るシリコンウェーハは、前面、後面、周囲縁、及び前記前面と後面間の領域を有するシリコンウェーハにおいて、前記シリコンウェーハは１Ｅ１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３ 乃至１Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３範囲の窒素濃度を有し、前記ウェーハの前面及び後面の表面から少なくとも深さ８μｍまでの領域は、ウェーハを所定の深さまで研磨した後測定した、０．０６５μｍ以上のサイズを有する欠陥に関するＬＰＤＮ（Light Point Defect Non-cleanable）の個数がウェーハ当たり２０個以下であることを特徴とする。 （もっと読む）