本発明は、次の各段階；シード（６）が、第１の物質の基体（２）上に炭素を分解させるように適合させた触媒を生成させる段階；カーボンナノチューブ（８）を該シード（６）から成長させる段階；そしてシード（６）から方位付けされる少なくとも１つの単結晶領域（１２）を含む第２の物質の層を生成させる段階：を含む結晶性物質の合成方法を提供する。本発明は、該方法によって得られる物質をも提供する。本発明はまた、ガラス基体上にポリ結晶シリコンを適用する。
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【課題】原料の落下による坩堝の破損を防止することが可能な原料供給装置を提供する。
【解決手段】原料供給装置２０は円筒状のフィーダ２１を備え、チャンバ２の開口部３ａにフィーダ２１を挿通する。フィーダ２１は、チャンバ２の上部からワイヤ２３により吊下げられており、上下方向に昇降可能である。そのため、ピース２５を供給する際に、フィーダ２１の先端は坩堝５の近くまで移動することが可能である。また、フィーダ２１は、ピース２５の汚染を防ぐとともに、高熱に耐えることができるように石英で構成されている。フィーダ２１の内部には、そのフィーダ２１の内径より若干小さい径の円板状のピース２５が複数積層された状態で装填されている。フィーダ２１には投入機構が配設されており、その投入機構によりピース２５を１つずつ坩堝５内の融液に投入する。 （もっと読む）

【課題】 アニール処理を不要としたカットロッドの加工方法を提供する。
【解決手段】 多結晶シリコンロッドの外周部分または外周部分の一部を取り除き、残した中央部分に加工を施すことを特徴とする加工方法であって、好ましくは、直径の１０〜６０％に相当する外周部分を研削して取り除いた後に溝加工などを施す加工方法およびこの加工を施した多結晶シリコンロッド。 （もっと読む）

【課題】 容易に所望の組成の結晶を得ることが可能な結晶成長方法を提供する。
【解決手段】 結晶の溶液４より結晶１３を成長させる方法であって、成長させる結晶１３の少なくとも１つの構成元素からなる成分溶液６を超音波によって該結晶溶液４へ供給しながら、該結晶溶液４より結晶１３を成長させることを特徴とする方法。超音波振動の出力を変えることで結晶溶液に供給される成分溶液の量を変えることができ、組成を変えることができる。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、いわゆる種絞り（ネッキング）を行うことなく、シリコン単結晶を製造する方法において、その単結晶化の成功率を向上させることができる、シリコン種結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法でシリコン単結晶棒を製造する際に用いるシリコン種結晶において、シリコン融液に接触させる先端部の形状が、尖った形状または尖った先端を切り取った形状であり、その最大頂角が３度以上２８度以下であるシリコン種結晶。この場合、先端部をエッチングしたものとするか、チョクラルスキー法によって形成した丸め部を利用しても良い。そしてこのような種結晶を用いて、ネッキングを行うことなく、所望径のシリコン単結晶棒を育成させる。 （もっと読む）

【目的】 ＣＺ法による半導体単結晶の製造において、特に大径の半導体単結晶引き上げのためのリチャージまたは追チャージに当たり、安価で、生産性のよい供給素材を提供する。
【構成】 リチャージ法、追チャージ法において一般的に使用されている通常の太さの多結晶シリコンロッド（以下ロッド材という）１，２の端部にそれぞれ環状の溝１ａ，２ａを設ける。連結部材３は断面がコの字状で、シリコンからなる。ロッド材１，２の端部を当接し、前記溝１ａ，２ａに跨がって複数個の連結部材３の凸部を嵌着することにより、前記ロッド材１，２を長手方向に連結する。ロッド材１，２のそれぞれの長さは任意でよいが、連結された供給素材の重量、すなわち複数のロッド材と連結部材との合計重量が溶解すべき多結晶シリコンの重量と釣支部分の重量との和以上になるように、供給素材の全長を調整する。 （もっと読む）

【目的】 種絞り部分の直径を太くして無転位の単結晶を得ることができ、引上げ中に単結晶棒が落下する事故を防止することができるシリコン単結晶の種結晶を得る。
【構成】 チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の引上げにおいて使用する種結晶の先端部の形状を楔状にする。この場合の先端部の角度は２０°から６０°の間が望ましい。 （もっと読む）