シリコン単結晶の製造方法
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チョクラルスキー法（以下、ＣＺ法と称する）により製造された絶縁酸化膜の耐電圧特性（以下、酸化膜耐圧と称する）に代表されるデバイス特性に優れたシリコン単結晶およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＺシリコン単結晶は、結晶強度が高いなどの優れた特徴を有しているため、従来よりＬＳＩ用の材料として広く用いられている。ところが、シリコン単結晶の酸化膜耐圧は、製造方法の根本的な違いにより大きく異なることが知られており、ＣＺシリコン単結晶の酸化膜耐圧はフローティングゾーン法により製造されたシリコン単結晶やＣＺシリコンウェーハ上にシリコン薄膜をエピタキシャル成長させたウェーハのそれに比べて著しく低い。しかしながら、近年のＭＯＳデバイス集積度の増大にともない、ゲート酸化膜の信頼性向上が強く望まれるところとなり、酸化膜耐圧はその信頼性を決定する重要な材料特性の１つであるため、酸化膜耐圧特性の優れたＣＺシリコン単結晶の製造技術開発が重要視されていた。
【０００３】酸化膜耐圧の優れたＣＺシリコン単結晶の製造方法としては、特開平２−２６７１９５号にＣＺ法により直径１００ｍｍ以上のシリコン単結晶を製造する方法において、結晶成長速度を０．８ｍｍ／分以下とすることを特徴とする方法が開示されている。しかしながら、この方法では生産性が悪いため、実用的ではなかった。
【０００４】また、特許１７４２７５２号では、引き上げられつつあるシリコン単結晶の１１００℃から９００℃への温度降下を３時間以上かけてゆっくり行う温度制御法を実施し、半導体デバイス工程での酸素析出物密度を減少させる方法が示されているが、後述するように、本発明者らは酸素析出物密度を低下させる徐冷温度と酸化膜耐圧特性を改善させる徐冷温度域は異なっており、酸素析出物密度を減少させる温度域を徐冷するとむしろ酸化膜耐圧特性が劣化することを見出した。
【０００５】また、特開平５−７０２８３号では、シリコン単結晶を製造する際に、成長するシリコン単結晶の１１５０℃以上になる温度領域がシリコン融液上方に２８０ｍｍ以上となるような引上げ方法、即ち１１５０℃以上に限定された温度領域が徐冷される引上げ方法が提案されている。また同出願人から、特開平５−９０９６号において、積層欠陥の発生を抑制するとともに酸化膜耐圧特性を向上させることを目的として、結晶の冷却速度を遅くするためのある限定された温度制御機構を用いて結晶製造速度を０．８ｍｍ／分から１．１ｍｍ／分に限定する方法が提案されている。このように従来の酸化膜耐圧の改善方法は、ある限定された温度域を徐冷する、あるいはある限定された温度制御機構を用いつつある限定された製造速度で結晶製造を行う方法しか存在していなかった。
【０００６】また、文献／セミコンダクター サイエンス アンド テクノロジー(Semiconductor Science and Technology)、７巻、ページ４０６（１９９２年）では、結晶製造過程において酸素析出特性に関連する臨界温度の可変性が述べられているが、酸化膜耐圧特性などのデバイス特性に関しては一切述べていない。
【０００７】したがって、徐冷温度領域を限定せず、かつ結晶製造速度を限定しない酸化膜耐圧の優れたＣＺシリコン単結晶を製造する方法が必要とされていたが、従来そのような方法は存在していなかった。また、結晶製造過程における融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配と、酸化膜耐圧に代表されるデバイス特性の関係を記述した特許文献および技術文献はこれまでに全く見られない。
【０００８】絶縁酸化膜の耐電圧特性は、上層がアルミニウム、下層がドープされた多結晶シリコンからなる２層ゲート電極を有し、その電極面積が２０ｍｍ2 で、絶縁酸化膜厚が２５．０ｎｍであるＭＯＳダイオードを当該シリコン単結晶から切り出したシリコンウェーハ上全面に実装し、基板シリコンから多数キャリアが注入される極性の直流電圧を各ＭＯＳダイオードに印加して電圧ランピング法により評価される。酸化膜を通して流れる電流密度が１μＡ／ｃｍ2 の時の該酸化膜にかかる平均電界が８．０ＭＶ／ｃｍ以上の領域は、真性破壊領域あるいはＣモード領域と呼ばれ、結晶中に酸化膜耐圧特性を劣化させる結晶欠陥（以下、耐圧劣化因子と称する）が存在しないことを示す領域である。該酸化膜を通して流れる電流密度が１μＡ／ｃｍ2 の時の該酸化膜にかかる平均電界が１．０ＭＶ／ｃｍから８．０ＭＶ／ｃｍの場合は、Ｂモード領域と呼ばれ、結晶中に耐圧劣化因子が存在することを示す領域である。従来のＣＺシリコン結晶は、Ｃモード領域で絶縁破壊するＭＯＳダイオードの個数の総数に対する割合が、１ウェーハにつき１０から３０％程度であり、Ｂモード領域で絶縁破壊するＭＯＳダイオードの個数の総数に対する割合も多い。したがって、Ｃモード領域で絶縁破壊するＭＯＳダイオードの個数の総数に対する割合が４０％以上であり、Ｂモード領域で破壊するダイオードが少ない、あるいは、最小破壊電界値が高い（例えば、６．０ＭＶ／ｃｍ以下で破壊するダイオードが２０％未満である）ようなＣＺシリコン単結晶が酸化膜耐圧特性の優れたＣＺシリコン結晶である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明は、徐冷温度領域を限定しない、酸化膜耐圧特性に代表されるデバイス特性に優れたＣＺシリコン結晶を製造する方法および酸化膜耐圧特性に代表されるデバイス特性に優れたＣＺシリコン結晶を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明においては、ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する方法のうち、製造されつつある該シリコン単結晶をある結晶温度領域で徐冷する方法において、融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配をＧ℃／ｍｍとし、徐冷温度領域での冷却速度が極小となる温度（以下、最徐冷温度）をＴ℃した場合、Ｔが１０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇとなるように徐冷する（本発明方法（１））。さらに、酸化膜耐圧特性を向上させるために、Ｔ±１００℃の温度領域での冷却速度を１．０℃／分以下にする（本発明方法（２））。
【００１１】
【００１２】
【作用】以下、図および表を用いながら本発明について説明する。
【００１３】図１は、本発明の熱処理を施したシリコン単結晶の酸化膜耐圧を評価する際に、シリコンウェーハ上に実装したＭＯＳダイオードの断面であり、シリコンウェーハ１の上に酸化けい素膜２が形成され、その上に上層がアルミニウム３、下層がドープされた結晶シリコン４からなる直径５ｍｍの２層ゲート電極５が形成されている。
【００１４】次に、本発明の熱処理を施したシリコン単結晶における酸化膜耐圧特性に関する評価手段を表１により説明する。表１は、酸化膜耐圧を測定するために作製されるＭＯＳダイオードの製造工程を示す表である。
【００１５】
【表１】
【００１６】ＣＺシリコンインゴットをスライスし、ラッピング、ポリッシングなど、通常のシリコンウェーハを工業的に製造するために必要な諸過程を経て得られたウェーハを洗浄し（１）、ゲート酸化を行って酸化けい素膜を形成し（２）、多結晶シリコン膜を堆積させ（３）、この多結晶シリコンにイオン注入してドープする（６）。酸化前洗浄（４）および多結晶シリコンの酸化（５）はイオン注入（６）の前処理である。ついで、アニール前洗浄（７）を行い、ドライブアニールして多結晶シリコン中のドーパントを固溶化し（８）、多結晶シリコン膜をエッチング除去し（９）、アルミニウムを蒸着しアルミニウム層を形成する（１０）。つぎに、直径５ｍｍの２層ゲート電極を実装するためにリソグラフィ（１１）によりポジレジスト膜をコートして、パターニングした後、アルミニウム膜をエッチングし（１２）、多結晶シリコン膜をエッチングして（１３）、レジスト膜を除去する（１４）。そして、水素アニールによりけい素／酸化けい素膜界面を安定化した後（１５）、表面にレジスト膜を塗布してＭＯＳダイオードを保護し（１６）、プラズマエッチングにより裏面多結晶シリコン膜を除去する（１７）。表面に保護用のレジスト膜を再塗布して（１８）、裏面酸化膜をエッチングにより除去し（１９）、ｐ型の場合には金を、ｎ型の場合には金・アンチモン合金を蒸着して裏面電極を形成する（２０）。最後に、保護用レジスト膜を除去した後（２１）、電圧ランピング法により酸化膜耐圧特性を評価する（２２）。電圧ランピング法とは、図１において、基板シリコンから多数キャリアが注入される極性の直流電圧をアルミニウム層３と裏面電極との間に印加し、その電圧を時間に対してステップ状に増加させる方法である。本発明では、該電圧ランピング法の１ステップ当たりの電圧増加を電界換算で０．２５ＭＶ／ｃｍ、保持時間を２００ｍｓ／ステップとした。
【００１７】本発明者らは、様々な酸化膜耐圧特性を有する結晶の融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配および製造中の冷却条件を詳細に調査した結果、凝固界面の温度勾配、冷却条件と耐圧劣化因子の形成の間に次のような関係があることを発見した。即ち、ＣＺ法によるシリコン製造過程において、凝固界面付近で熱平衡濃度で存在していた真性点欠陥が凝固とともに結晶内に取り込まれ、結晶の冷却とともに過飽和状態となる。過飽和となった点欠陥は結晶表面への外方拡散および凝固界面への坂道拡散によってその濃度は低下するものの、結晶の冷却速度が速いため、点欠陥の過飽和度は増大する。冷却が進み、点欠陥の過飽和度がある臨界値を越えると、点欠陥同士が凝集体を形成しはじめる。その凝集体を核として酸素析出物が形成し、その酸素析出物が耐圧劣化因子となる。酸素析出物のサイズが酸化膜耐圧特性に強い影響を及ぼし、サイズが大きいほど酸化膜の絶縁破壊電界が低くなり、酸化膜耐圧特性は劣化する。逆に酸素析出物のサイズが小さい場合には、酸素析出物が高密度に存在していても酸化膜耐圧は劣化しない。一方、過飽和点欠陥は凝集を開始する直前の高温側で烈しく対消滅を起こし、濃度が低下する。この濃度の低下が点欠陥同士の凝集開始温度、即ち酸素析出物の形成開始温度を低下させ、酸素析出物の成長を抑制し、酸素析出物のサイズを低下させ、結果として酸化膜耐圧特性を向上させる。
【００１８】これらの機構により、点欠陥が凝集を開始する温度以下での徐冷を受けた結晶では、点欠陥の凝集が進み、酸素析出物の密度は著しく低下するもののサイズは大きくなり、酸化膜耐圧特性は著しく劣化する。それに対し、点欠陥凝集開始温度の直前の高温側での徐冷を受けた結晶では点欠陥の対消滅が進み、酸素析出物サイズは小さくなり、酸化膜耐圧は向上する。
【００１９】凝固界面の温度勾配が急峻な場合には、凝固界面付近での点欠陥の過飽和度の急激な増大により、結晶内に取り込まれた点欠陥の界面方面への坂道拡散が頻繁に生じて点欠陥濃度が著しく低下するため、温度勾配が穏やかな場合に比べて凝固界面から離れた位置での点欠陥の過飽和度の増大は、逆に緩やかになる。従って、凝固界面の温度勾配が急峻な場合には、点欠陥同士が凝集を開始する温度は低温側に移動する。即ち、酸素析出物の形成開始温度が低温側に移動する。点欠陥の対消滅が生じる温度（以下、酸化膜耐圧改善温度と称することもある）は酸素析出物の形成開始温度の移動に追従して移動する。従って、酸化膜耐圧改善温度は凝固界面の温度勾配に依存して可変であり、凝固界面の温度勾配の増加にともない低温側に移動する。本発明者らは、凝固界面の温度勾配をＧ℃／ｍｍとし、最徐冷温度をＴ℃とした場合、Ｔが１０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇである場合に酸化膜耐圧が改善することを発見した。さらに、Ｔ±１００℃の温度領域での冷却速度を１．０℃／分以下にした場合に、酸化膜耐圧がより改善することが分かった。
【００２０】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げて説明するが、本発明がこれらの実施例の記載によって制限されるものでないことは言うまでもない。
【００２１】実施例１本発明に用いられるシリコン単結晶製造装置は、通常ＣＺ法によるシリコン単結晶製造に用いられるものであれば特に限定されるものではなく、本実施例では図２に示すような製造装置を用いた。
【００２２】このＣＺシリコン単結晶製造装置は、シリコン融液Ｍを収容する石英ルツボ２６ａとこれを保護する黒鉛ルツボ２６ｂとから構成されたルツボ２６と育成されたシリコン単結晶インゴットＳを収容する結晶引上炉２１である。ルツボ２６の側面部には加熱ヒーター２４と加熱ヒーター２４からの熱が結晶引上炉外部に逃げるのを防止するため断熱部材２３が取り囲むように設置されており、このルツボ２６は図示されていない駆動装置と回転治具２５によって接続され、この駆動装置によって所定の速度で回転されるとともに、ルツボ２６内のシリコン融液の減少にともないシリコン融液面が低下するのを補うためにルツボ２６を昇降させるようになっている。引上炉２１内には、垂下された引上げワイア２７が設置され、このワイア２７の下端には種結晶２８を保持するチャック２９が設けられている。この引上げワイア２７の上端側は、ワイヤ巻上機２２に巻き取られて、シリコン単結晶インゴットを引き上げるようになった引上げ装置が設けられている。そして、引上炉２１内には、引上炉２１に形成されたガス導入口３０からＡｒガスが導入され、引上炉２１内を流通してガス流出口３１から排出される。このようにＡｒガスを流通させるのは、シリコンの溶融にともなって引上炉２１内に発生するＳｉＯをシリコン融液内に混入させないようにするためである。温度制御装置４０は引上炉２１内で結晶を徐冷するために設置している。温度制御装置４０の位置を上下方向に移動することにより徐冷温度域の変更が行なわれる。温度制御装置４０としては、製造されるシリコン単結晶を取り囲むように設置された黒鉛などの断熱保温材や加熱ヒーター等が有効である。温度勾配制御装置５０は引上炉２１内で凝固界面の結晶軸方向の温度勾配を制御するために設置している。温度勾配制御装置５０としては、製造されるシリコン単結晶を取り囲むように設置された黒鉛板や金属板などが冷却には有効で、また黒鉛板や金属板をガスや液体などを用いて強制冷却してもよい。一方、シリコン単結晶を取り囲むように設置された黒鉛などの断熱保温材や加熱ヒーター等が徐冷には有効である。
【００２３】この装置を使用して、以下の条件で複数のシリコン単結晶を製造した。融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配をＧ℃／ｍｍ、最徐冷温度をＴ℃とした場合、図３に示すようにこれらの結晶はいずれも、１０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇの関係にあり、かついずれの結晶もＴ±１００℃の温度領域の冷却速度は常には１．０℃／分以下ではない。
【００２４】この条件で育成された複数のシリコン単結晶インゴットの製造条件等を表２に示した。
【００２５】
【表２】
【００２６】このインゴットから切りだしたウェーハの酸化膜耐圧を測定し、図４に示した。これらのシリコンウェーハの酸化膜を通して流れる電流密度が１μＡ／ｃｍ2の時に該酸化膜にかかる平均電界が８．０ＭＶ／ｃｍ以上を示すＭＯＳダイオードの個数の総数に占める割合（Ｃモード比率）はいずれも４０％以上であり、同時に６．０ＭＶ／ｃｍ以下の電界で破壊するＭＯＳダイオードの個数の総数に対する割合は１ウェーハにつき２０％未満であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウェーハは、良好な酸化膜耐圧特性を有していることを示している。
【００２７】実施例２実施例１の装置を用いて、以下の条件で複数のシリコン単結晶を製造した。融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配をＧ℃／ｍｍ、最徐冷温度をＴ℃とした場合、図５に示すようにこれらの結晶はいずれも、１０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇの関係にあり、かついずれの結晶もＴ±１００℃の温度領域の冷却速度は常に１．０℃／分以下である。
【００２８】この条件で育成された複数のシリコン単結晶インゴットの製造条件等を表３に示した。
【００２９】
【表３】
【００３０】このインゴットから切りだしたウェーハの酸化膜耐圧を測定し、図６に示した。これらのシリコンウェーハの酸化膜を通して流れる電流密度が１μＡ／ｃｍ2の時に該酸化膜にかかる平均電界が８．０ＭＶ／ｃｍ以上を示すＭＯＳダイオードの個数の総数に占める割合（Ｃモード比率）はいずれも４０％以上であり、同時に６．０ＭＶ／ｃｍ以下の電界で破壊するＭＯＳダイオードの個数の総数に対する割合は１ウェーハにつき２０％未満であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウェーハは、良好な酸化膜耐圧特性を有していることを示している。
【００３１】比較例１本比較例では、実施例１の装置を用いて、以下の条件で複数のシリコン単結晶を製造した。融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配をＧ℃／ｍｍ、最徐冷温度をＴ℃とした場合、図７に示すようにこれらの結晶はいずれも、１０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇの条件を充たしておらず、かついずれの結晶もＴ±１００℃の温度領域の冷却速度は常には１．０℃／分以下ではない。
【００３２】この条件で育成された複数のシリコン単結晶インゴットの製造条件等を表４に示した。
【００３３】
【表４】
【００３４】このインゴットから切りだしたウェーハの酸化膜耐圧を測定し、図８に示した。これらのシリコンウェーハの酸化膜を通して流れる電流密度が１μＡ／ｃｍ2の時に該酸化膜にかかる平均電界が８．０ＭＶ／ｃｍ以上を示すＭＯＳダイオードの個数の総数に占める割合（Ｃモード比率）はいずれも４０％未満であり、同時に６．０ＭＶ／ｃｍ以下の電界で破壊するＭＯＳダイオードの個数の総数に対する割合は１ウェーハにつき２０％以上であり、酸化膜耐圧特性が良好でないことを示している。
【００３５】比較例２本比較例では、実施例１の装置を用いて、以下の条件で複数のシリコン単結晶を製造した。融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配をＧ℃／ｍｍ、最徐冷温度をＴ℃とした場合、図９に示すようにこれらの結晶はいずれも、１０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇの条件を充たしておらず、かついずれの結晶もＴ±１００℃の温度領域の冷却速度は常に１．０℃／分以下である。
【００３６】この条件で育成された複数のシリコン単結晶インゴットの製造条件等を表５に示した。
【００３７】
【表５】
【００３８】このインゴットから切りだしたウェーハの酸化膜耐圧を測定し、図１０に示した。これらのシリコンウェーハの酸化膜を通して流れる電流密度が１μＡ／ｃｍ2 の時に該酸化膜にかかる平均電界が８．０ＭＶ／ｃｍ以上を示すＭＯＳダイオードの個数の総数に占める割合（Ｃモード比率）はいずれも４０％未満であり、同時に６．０ＭＶ／ｃｍ以下の電界で破壊するＭＯＳダイオードの個数の総数に対する割合は１ウェーハにつき２０％以上であり、酸化膜耐圧特性が良好でないことを示している。
【００３９】
【発明の効果】本発明のシリコン単結晶あるいは本発明の製造方法によるシリコン単結晶は、酸化膜耐圧特性に代表されるデバイス特性に優れているため、ＭＯＳデバイス用ウェーハはもとより各種構造を有するデバイスに適する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の方法でシリコン単結晶の絶縁酸化膜の耐電圧特性を評価するために実装したＭＯＳダイオードの一部断面図である。
【図２】 本発明の実施例に用いたＣＺ法シリコン単結晶製造装置の概略図である。
【図３】 本発明の実施例１の複数の結晶の融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配Ｇ℃／ｍｍと最徐冷温度Ｔ℃の関係を示す図である。
【図４】 本発明の実施例１の複数の結晶の酸化膜耐圧特性を示す図である。
【図５】 本発明の実施例２の複数の結晶の融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配Ｇ℃／ｍｍと最徐冷温度Ｔ℃の関係を示す図である。
【図６】 本発明の実施例２の複数の結晶の酸化膜耐圧特性を示す図である。
【図７】 比較例１の複数の結晶の融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配Ｇ℃／ｍｍと最徐冷温度Ｔ℃の関係を示す図である。
【図８】 比較例１の複数の結晶の酸化膜耐圧特性を示す図である。
【図９】 比較例２の複数の結晶の融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配Ｇ℃／ｍｍと最徐冷温度Ｔ℃の関係を示す図である。
【図１０】 比較例２の複数の結晶の酸化膜耐圧特性を示す図である。
【符号の説明】
１…シリコンウェーハ、 ２…酸化けい素膜（絶縁酸化膜）、３…アルミニウム膜、 ４…多結晶シリコン、５…２層ゲート電極、２１…結晶引上炉（ＣＺ法シリコン単結晶製造装置）、２２…ワイア巻上機、 ２３…断熱部材、２４…加熱ヒーター、 ２５…回転治具、２６…ルツボ、２６ａ…石英ルツボ、 ２６ｂ…黒鉛ルツボ、２７…引上げワイア、 ２８…種結晶、２９…チャック、 ３０…ガス導入口、３１…カス排出口、 ４０…温度制御装置（結晶徐冷装置）、５０…温度勾配制御装置、Ｍ…シリコン融液、 Ｓ…シリコン単結晶インゴット。
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チョクラルスキー法（以下、ＣＺ法と称する）により製造された絶縁酸化膜の耐電圧特性（以下、酸化膜耐圧と称する）に代表されるデバイス特性に優れたシリコン単結晶およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＺシリコン単結晶は、結晶強度が高いなどの優れた特徴を有しているため、従来よりＬＳＩ用の材料として広く用いられている。ところが、シリコン単結晶の酸化膜耐圧は、製造方法の根本的な違いにより大きく異なることが知られており、ＣＺシリコン単結晶の酸化膜耐圧はフローティングゾーン法により製造されたシリコン単結晶やＣＺシリコンウェーハ上にシリコン薄膜をエピタキシャル成長させたウェーハのそれに比べて著しく低い。しかしながら、近年のＭＯＳデバイス集積度の増大にともない、ゲート酸化膜の信頼性向上が強く望まれるところとなり、酸化膜耐圧はその信頼性を決定する重要な材料特性の１つであるため、酸化膜耐圧特性の優れたＣＺシリコン単結晶の製造技術開発が重要視されていた。
【０００３】酸化膜耐圧の優れたＣＺシリコン単結晶の製造方法としては、特開平２−２６７１９５号にＣＺ法により直径１００ｍｍ以上のシリコン単結晶を製造する方法において、結晶成長速度を０．８ｍｍ／分以下とすることを特徴とする方法が開示されている。しかしながら、この方法では生産性が悪いため、実用的ではなかった。
【０００４】また、特許１７４２７５２号では、引き上げられつつあるシリコン単結晶の１１００℃から９００℃への温度降下を３時間以上かけてゆっくり行う温度制御法を実施し、半導体デバイス工程での酸素析出物密度を減少させる方法が示されているが、後述するように、本発明者らは酸素析出物密度を低下させる徐冷温度と酸化膜耐圧特性を改善させる徐冷温度域は異なっており、酸素析出物密度を減少させる温度域を徐冷するとむしろ酸化膜耐圧特性が劣化することを見出した。
【０００５】また、特開平５−７０２８３号では、シリコン単結晶を製造する際に、成長するシリコン単結晶の１１５０℃以上になる温度領域がシリコン融液上方に２８０ｍｍ以上となるような引上げ方法、即ち１１５０℃以上に限定された温度領域が徐冷される引上げ方法が提案されている。また同出願人から、特開平５−９０９６号において、積層欠陥の発生を抑制するとともに酸化膜耐圧特性を向上させることを目的として、結晶の冷却速度を遅くするためのある限定された温度制御機構を用いて結晶製造速度を０．８ｍｍ／分から１．１ｍｍ／分に限定する方法が提案されている。このように従来の酸化膜耐圧の改善方法は、ある限定された温度域を徐冷する、あるいはある限定された温度制御機構を用いつつある限定された製造速度で結晶製造を行う方法しか存在していなかった。
【０００６】また、文献／セミコンダクター サイエンス アンド テクノロジー(Semiconductor Science and Technology)、７巻、ページ４０６（１９９２年）では、結晶製造過程において酸素析出特性に関連する臨界温度の可変性が述べられているが、酸化膜耐圧特性などのデバイス特性に関しては一切述べていない。
【０００７】したがって、徐冷温度領域を限定せず、かつ結晶製造速度を限定しない酸化膜耐圧の優れたＣＺシリコン単結晶を製造する方法が必要とされていたが、従来そのような方法は存在していなかった。また、結晶製造過程における融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配と、酸化膜耐圧に代表されるデバイス特性の関係を記述した特許文献および技術文献はこれまでに全く見られない。
【０００８】絶縁酸化膜の耐電圧特性は、上層がアルミニウム、下層がドープされた多結晶シリコンからなる２層ゲート電極を有し、その電極面積が２０ｍｍ2 で、絶縁酸化膜厚が２５．０ｎｍであるＭＯＳダイオードを当該シリコン単結晶から切り出したシリコンウェーハ上全面に実装し、基板シリコンから多数キャリアが注入される極性の直流電圧を各ＭＯＳダイオードに印加して電圧ランピング法により評価される。酸化膜を通して流れる電流密度が１μＡ／ｃｍ2 の時の該酸化膜にかかる平均電界が８．０ＭＶ／ｃｍ以上の領域は、真性破壊領域あるいはＣモード領域と呼ばれ、結晶中に酸化膜耐圧特性を劣化させる結晶欠陥（以下、耐圧劣化因子と称する）が存在しないことを示す領域である。該酸化膜を通して流れる電流密度が１μＡ／ｃｍ2 の時の該酸化膜にかかる平均電界が１．０ＭＶ／ｃｍから８．０ＭＶ／ｃｍの場合は、Ｂモード領域と呼ばれ、結晶中に耐圧劣化因子が存在することを示す領域である。従来のＣＺシリコン結晶は、Ｃモード領域で絶縁破壊するＭＯＳダイオードの個数の総数に対する割合が、１ウェーハにつき１０から３０％程度であり、Ｂモード領域で絶縁破壊するＭＯＳダイオードの個数の総数に対する割合も多い。したがって、Ｃモード領域で絶縁破壊するＭＯＳダイオードの個数の総数に対する割合が４０％以上であり、Ｂモード領域で破壊するダイオードが少ない、あるいは、最小破壊電界値が高い（例えば、６．０ＭＶ／ｃｍ以下で破壊するダイオードが２０％未満である）ようなＣＺシリコン単結晶が酸化膜耐圧特性の優れたＣＺシリコン結晶である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明は、徐冷温度領域を限定しない、酸化膜耐圧特性に代表されるデバイス特性に優れたＣＺシリコン結晶を製造する方法および酸化膜耐圧特性に代表されるデバイス特性に優れたＣＺシリコン結晶を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明においては、ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する方法のうち、製造されつつある該シリコン単結晶をある結晶温度領域で徐冷する方法において、融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配をＧ℃／ｍｍとし、徐冷温度領域での冷却速度が極小となる温度（以下、最徐冷温度）をＴ℃した場合、Ｔが１０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇとなるように徐冷する（本発明方法（１））。さらに、酸化膜耐圧特性を向上させるために、Ｔ±１００℃の温度領域での冷却速度を１．０℃／分以下にする（本発明方法（２））。
【００１１】
【００１２】
【作用】以下、図および表を用いながら本発明について説明する。
【００１３】図１は、本発明の熱処理を施したシリコン単結晶の酸化膜耐圧を評価する際に、シリコンウェーハ上に実装したＭＯＳダイオードの断面であり、シリコンウェーハ１の上に酸化けい素膜２が形成され、その上に上層がアルミニウム３、下層がドープされた結晶シリコン４からなる直径５ｍｍの２層ゲート電極５が形成されている。
【００１４】次に、本発明の熱処理を施したシリコン単結晶における酸化膜耐圧特性に関する評価手段を表１により説明する。表１は、酸化膜耐圧を測定するために作製されるＭＯＳダイオードの製造工程を示す表である。
【００１５】
【表１】
【００１６】ＣＺシリコンインゴットをスライスし、ラッピング、ポリッシングなど、通常のシリコンウェーハを工業的に製造するために必要な諸過程を経て得られたウェーハを洗浄し（１）、ゲート酸化を行って酸化けい素膜を形成し（２）、多結晶シリコン膜を堆積させ（３）、この多結晶シリコンにイオン注入してドープする（６）。酸化前洗浄（４）および多結晶シリコンの酸化（５）はイオン注入（６）の前処理である。ついで、アニール前洗浄（７）を行い、ドライブアニールして多結晶シリコン中のドーパントを固溶化し（８）、多結晶シリコン膜をエッチング除去し（９）、アルミニウムを蒸着しアルミニウム層を形成する（１０）。つぎに、直径５ｍｍの２層ゲート電極を実装するためにリソグラフィ（１１）によりポジレジスト膜をコートして、パターニングした後、アルミニウム膜をエッチングし（１２）、多結晶シリコン膜をエッチングして（１３）、レジスト膜を除去する（１４）。そして、水素アニールによりけい素／酸化けい素膜界面を安定化した後（１５）、表面にレジスト膜を塗布してＭＯＳダイオードを保護し（１６）、プラズマエッチングにより裏面多結晶シリコン膜を除去する（１７）。表面に保護用のレジスト膜を再塗布して（１８）、裏面酸化膜をエッチングにより除去し（１９）、ｐ型の場合には金を、ｎ型の場合には金・アンチモン合金を蒸着して裏面電極を形成する（２０）。最後に、保護用レジスト膜を除去した後（２１）、電圧ランピング法により酸化膜耐圧特性を評価する（２２）。電圧ランピング法とは、図１において、基板シリコンから多数キャリアが注入される極性の直流電圧をアルミニウム層３と裏面電極との間に印加し、その電圧を時間に対してステップ状に増加させる方法である。本発明では、該電圧ランピング法の１ステップ当たりの電圧増加を電界換算で０．２５ＭＶ／ｃｍ、保持時間を２００ｍｓ／ステップとした。
【００１７】本発明者らは、様々な酸化膜耐圧特性を有する結晶の融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配および製造中の冷却条件を詳細に調査した結果、凝固界面の温度勾配、冷却条件と耐圧劣化因子の形成の間に次のような関係があることを発見した。即ち、ＣＺ法によるシリコン製造過程において、凝固界面付近で熱平衡濃度で存在していた真性点欠陥が凝固とともに結晶内に取り込まれ、結晶の冷却とともに過飽和状態となる。過飽和となった点欠陥は結晶表面への外方拡散および凝固界面への坂道拡散によってその濃度は低下するものの、結晶の冷却速度が速いため、点欠陥の過飽和度は増大する。冷却が進み、点欠陥の過飽和度がある臨界値を越えると、点欠陥同士が凝集体を形成しはじめる。その凝集体を核として酸素析出物が形成し、その酸素析出物が耐圧劣化因子となる。酸素析出物のサイズが酸化膜耐圧特性に強い影響を及ぼし、サイズが大きいほど酸化膜の絶縁破壊電界が低くなり、酸化膜耐圧特性は劣化する。逆に酸素析出物のサイズが小さい場合には、酸素析出物が高密度に存在していても酸化膜耐圧は劣化しない。一方、過飽和点欠陥は凝集を開始する直前の高温側で烈しく対消滅を起こし、濃度が低下する。この濃度の低下が点欠陥同士の凝集開始温度、即ち酸素析出物の形成開始温度を低下させ、酸素析出物の成長を抑制し、酸素析出物のサイズを低下させ、結果として酸化膜耐圧特性を向上させる。
【００１８】これらの機構により、点欠陥が凝集を開始する温度以下での徐冷を受けた結晶では、点欠陥の凝集が進み、酸素析出物の密度は著しく低下するもののサイズは大きくなり、酸化膜耐圧特性は著しく劣化する。それに対し、点欠陥凝集開始温度の直前の高温側での徐冷を受けた結晶では点欠陥の対消滅が進み、酸素析出物サイズは小さくなり、酸化膜耐圧は向上する。
【００１９】凝固界面の温度勾配が急峻な場合には、凝固界面付近での点欠陥の過飽和度の急激な増大により、結晶内に取り込まれた点欠陥の界面方面への坂道拡散が頻繁に生じて点欠陥濃度が著しく低下するため、温度勾配が穏やかな場合に比べて凝固界面から離れた位置での点欠陥の過飽和度の増大は、逆に緩やかになる。従って、凝固界面の温度勾配が急峻な場合には、点欠陥同士が凝集を開始する温度は低温側に移動する。即ち、酸素析出物の形成開始温度が低温側に移動する。点欠陥の対消滅が生じる温度（以下、酸化膜耐圧改善温度と称することもある）は酸素析出物の形成開始温度の移動に追従して移動する。従って、酸化膜耐圧改善温度は凝固界面の温度勾配に依存して可変であり、凝固界面の温度勾配の増加にともない低温側に移動する。本発明者らは、凝固界面の温度勾配をＧ℃／ｍｍとし、最徐冷温度をＴ℃とした場合、Ｔが１０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇである場合に酸化膜耐圧が改善することを発見した。さらに、Ｔ±１００℃の温度領域での冷却速度を１．０℃／分以下にした場合に、酸化膜耐圧がより改善することが分かった。
【００２０】
【実施例】以下に本発明の実施例を挙げて説明するが、本発明がこれらの実施例の記載によって制限されるものでないことは言うまでもない。
【００２１】実施例１本発明に用いられるシリコン単結晶製造装置は、通常ＣＺ法によるシリコン単結晶製造に用いられるものであれば特に限定されるものではなく、本実施例では図２に示すような製造装置を用いた。
【００２２】このＣＺシリコン単結晶製造装置は、シリコン融液Ｍを収容する石英ルツボ２６ａとこれを保護する黒鉛ルツボ２６ｂとから構成されたルツボ２６と育成されたシリコン単結晶インゴットＳを収容する結晶引上炉２１である。ルツボ２６の側面部には加熱ヒーター２４と加熱ヒーター２４からの熱が結晶引上炉外部に逃げるのを防止するため断熱部材２３が取り囲むように設置されており、このルツボ２６は図示されていない駆動装置と回転治具２５によって接続され、この駆動装置によって所定の速度で回転されるとともに、ルツボ２６内のシリコン融液の減少にともないシリコン融液面が低下するのを補うためにルツボ２６を昇降させるようになっている。引上炉２１内には、垂下された引上げワイア２７が設置され、このワイア２７の下端には種結晶２８を保持するチャック２９が設けられている。この引上げワイア２７の上端側は、ワイヤ巻上機２２に巻き取られて、シリコン単結晶インゴットを引き上げるようになった引上げ装置が設けられている。そして、引上炉２１内には、引上炉２１に形成されたガス導入口３０からＡｒガスが導入され、引上炉２１内を流通してガス流出口３１から排出される。このようにＡｒガスを流通させるのは、シリコンの溶融にともなって引上炉２１内に発生するＳｉＯをシリコン融液内に混入させないようにするためである。温度制御装置４０は引上炉２１内で結晶を徐冷するために設置している。温度制御装置４０の位置を上下方向に移動することにより徐冷温度域の変更が行なわれる。温度制御装置４０としては、製造されるシリコン単結晶を取り囲むように設置された黒鉛などの断熱保温材や加熱ヒーター等が有効である。温度勾配制御装置５０は引上炉２１内で凝固界面の結晶軸方向の温度勾配を制御するために設置している。温度勾配制御装置５０としては、製造されるシリコン単結晶を取り囲むように設置された黒鉛板や金属板などが冷却には有効で、また黒鉛板や金属板をガスや液体などを用いて強制冷却してもよい。一方、シリコン単結晶を取り囲むように設置された黒鉛などの断熱保温材や加熱ヒーター等が徐冷には有効である。
【００２３】この装置を使用して、以下の条件で複数のシリコン単結晶を製造した。融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配をＧ℃／ｍｍ、最徐冷温度をＴ℃とした場合、図３に示すようにこれらの結晶はいずれも、１０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇの関係にあり、かついずれの結晶もＴ±１００℃の温度領域の冷却速度は常には１．０℃／分以下ではない。
【００２４】この条件で育成された複数のシリコン単結晶インゴットの製造条件等を表２に示した。
【００２５】
【表２】
【００２６】このインゴットから切りだしたウェーハの酸化膜耐圧を測定し、図４に示した。これらのシリコンウェーハの酸化膜を通して流れる電流密度が１μＡ／ｃｍ2の時に該酸化膜にかかる平均電界が８．０ＭＶ／ｃｍ以上を示すＭＯＳダイオードの個数の総数に占める割合（Ｃモード比率）はいずれも４０％以上であり、同時に６．０ＭＶ／ｃｍ以下の電界で破壊するＭＯＳダイオードの個数の総数に対する割合は１ウェーハにつき２０％未満であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウェーハは、良好な酸化膜耐圧特性を有していることを示している。
【００２７】実施例２実施例１の装置を用いて、以下の条件で複数のシリコン単結晶を製造した。融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配をＧ℃／ｍｍ、最徐冷温度をＴ℃とした場合、図５に示すようにこれらの結晶はいずれも、１０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇの関係にあり、かついずれの結晶もＴ±１００℃の温度領域の冷却速度は常に１．０℃／分以下である。
【００２８】この条件で育成された複数のシリコン単結晶インゴットの製造条件等を表３に示した。
【００２９】
【表３】
【００３０】このインゴットから切りだしたウェーハの酸化膜耐圧を測定し、図６に示した。これらのシリコンウェーハの酸化膜を通して流れる電流密度が１μＡ／ｃｍ2の時に該酸化膜にかかる平均電界が８．０ＭＶ／ｃｍ以上を示すＭＯＳダイオードの個数の総数に占める割合（Ｃモード比率）はいずれも４０％以上であり、同時に６．０ＭＶ／ｃｍ以下の電界で破壊するＭＯＳダイオードの個数の総数に対する割合は１ウェーハにつき２０％未満であり、本発明の方法で製造されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたウェーハは、良好な酸化膜耐圧特性を有していることを示している。
【００３１】比較例１本比較例では、実施例１の装置を用いて、以下の条件で複数のシリコン単結晶を製造した。融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配をＧ℃／ｍｍ、最徐冷温度をＴ℃とした場合、図７に示すようにこれらの結晶はいずれも、１０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇの条件を充たしておらず、かついずれの結晶もＴ±１００℃の温度領域の冷却速度は常には１．０℃／分以下ではない。
【００３２】この条件で育成された複数のシリコン単結晶インゴットの製造条件等を表４に示した。
【００３３】
【表４】
【００３４】このインゴットから切りだしたウェーハの酸化膜耐圧を測定し、図８に示した。これらのシリコンウェーハの酸化膜を通して流れる電流密度が１μＡ／ｃｍ2の時に該酸化膜にかかる平均電界が８．０ＭＶ／ｃｍ以上を示すＭＯＳダイオードの個数の総数に占める割合（Ｃモード比率）はいずれも４０％未満であり、同時に６．０ＭＶ／ｃｍ以下の電界で破壊するＭＯＳダイオードの個数の総数に対する割合は１ウェーハにつき２０％以上であり、酸化膜耐圧特性が良好でないことを示している。
【００３５】比較例２本比較例では、実施例１の装置を用いて、以下の条件で複数のシリコン単結晶を製造した。融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配をＧ℃／ｍｍ、最徐冷温度をＴ℃とした場合、図９に示すようにこれらの結晶はいずれも、１０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇの条件を充たしておらず、かついずれの結晶もＴ±１００℃の温度領域の冷却速度は常に１．０℃／分以下である。
【００３６】この条件で育成された複数のシリコン単結晶インゴットの製造条件等を表５に示した。
【００３７】
【表５】
【００３８】このインゴットから切りだしたウェーハの酸化膜耐圧を測定し、図１０に示した。これらのシリコンウェーハの酸化膜を通して流れる電流密度が１μＡ／ｃｍ2 の時に該酸化膜にかかる平均電界が８．０ＭＶ／ｃｍ以上を示すＭＯＳダイオードの個数の総数に占める割合（Ｃモード比率）はいずれも４０％未満であり、同時に６．０ＭＶ／ｃｍ以下の電界で破壊するＭＯＳダイオードの個数の総数に対する割合は１ウェーハにつき２０％以上であり、酸化膜耐圧特性が良好でないことを示している。
【００３９】
【発明の効果】本発明のシリコン単結晶あるいは本発明の製造方法によるシリコン単結晶は、酸化膜耐圧特性に代表されるデバイス特性に優れているため、ＭＯＳデバイス用ウェーハはもとより各種構造を有するデバイスに適する。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の方法でシリコン単結晶の絶縁酸化膜の耐電圧特性を評価するために実装したＭＯＳダイオードの一部断面図である。
【図２】 本発明の実施例に用いたＣＺ法シリコン単結晶製造装置の概略図である。
【図３】 本発明の実施例１の複数の結晶の融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配Ｇ℃／ｍｍと最徐冷温度Ｔ℃の関係を示す図である。
【図４】 本発明の実施例１の複数の結晶の酸化膜耐圧特性を示す図である。
【図５】 本発明の実施例２の複数の結晶の融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配Ｇ℃／ｍｍと最徐冷温度Ｔ℃の関係を示す図である。
【図６】 本発明の実施例２の複数の結晶の酸化膜耐圧特性を示す図である。
【図７】 比較例１の複数の結晶の融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配Ｇ℃／ｍｍと最徐冷温度Ｔ℃の関係を示す図である。
【図８】 比較例１の複数の結晶の酸化膜耐圧特性を示す図である。
【図９】 比較例２の複数の結晶の融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配Ｇ℃／ｍｍと最徐冷温度Ｔ℃の関係を示す図である。
【図１０】 比較例２の複数の結晶の酸化膜耐圧特性を示す図である。
【符号の説明】
１…シリコンウェーハ、 ２…酸化けい素膜（絶縁酸化膜）、３…アルミニウム膜、 ４…多結晶シリコン、５…２層ゲート電極、２１…結晶引上炉（ＣＺ法シリコン単結晶製造装置）、２２…ワイア巻上機、 ２３…断熱部材、２４…加熱ヒーター、 ２５…回転治具、２６…ルツボ、２６ａ…石英ルツボ、 ２６ｂ…黒鉛ルツボ、２７…引上げワイア、 ２８…種結晶、２９…チャック、 ３０…ガス導入口、３１…カス排出口、 ４０…温度制御装置（結晶徐冷装置）、５０…温度勾配制御装置、Ｍ…シリコン融液、 Ｓ…シリコン単結晶インゴット。
【特許請求の範囲】
【請求項１】 チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造するに際して、製造されつつある該シリコン単結晶をある結晶温度領域で徐冷する方法において、融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配をＧ℃／ｍｍとし、徐冷温度領域での冷却速度が極小となる温度をＴ℃とした場合、Ｇの変更にともなってＴが以下の関係式１０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇを充たすように徐冷温度領域を変更することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【請求項２】 請求項１に記載のシリコン単結晶の製造方法において、徐冷温度領域での冷却速度が極小となる温度をＴ℃とした場合、Ｔ±１００℃の温度領域での冷却速度が１．０℃／分以下であることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【請求項１】 チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造するに際して、製造されつつある該シリコン単結晶をある結晶温度領域で徐冷する方法において、融液と結晶の凝固界面の結晶軸方向の温度勾配をＧ℃／ｍｍとし、徐冷温度領域での冷却速度が極小となる温度をＴ℃とした場合、Ｇの変更にともなってＴが以下の関係式１０２５−５４．５×Ｇ＜Ｔ＜１３７５−５４．５×Ｇを充たすように徐冷温度領域を変更することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【請求項２】 請求項１に記載のシリコン単結晶の製造方法において、徐冷温度領域での冷却速度が極小となる温度をＴ℃とした場合、Ｔ±１００℃の温度領域での冷却速度が１．０℃／分以下であることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【特許番号】特許第３３６６７６６号（Ｐ３３６６７６６）
【登録日】平成１４年１１月１日（２００２．１１．１）
【発行日】平成１５年１月１４日（２００３．１．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願平７−１００６５
【出願日】平成７年１月２５日（１９９５．１．２５）
【公開番号】特開平８−２０８３７７
【公開日】平成８年８月１３日（１９９６．８．１３）
【審査請求日】平成１１年９月１０日（１９９９．９．１０）
【前置審査】 前置審査
【出願人】（０００１１１０９６）ワッカー・エヌエスシーイー株式会社 (23)
【参考文献】
【文献】特開 平６−３４０４９０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平２−２６７１９５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平８−１２４９３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平７−２２３８９３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平５−７０２８３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平５−９０９６（ＪＰ，Ａ）
【登録日】平成１４年１１月１日（２００２．１１．１）
【発行日】平成１５年１月１４日（２００３．１．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成７年１月２５日（１９９５．１．２５）
【公開番号】特開平８−２０８３７７
【公開日】平成８年８月１３日（１９９６．８．１３）
【審査請求日】平成１１年９月１０日（１９９９．９．１０）
【前置審査】 前置審査
【出願人】（０００１１１０９６）ワッカー・エヌエスシーイー株式会社 (23)
【参考文献】
【文献】特開 平６−３４０４９０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平２−２６７１９５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平８−１２４９３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平７−２２３８９３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平５−７０２８３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平５−９０９６（ＪＰ，Ａ）
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