【課題】モリブデンルツボ内のサファイア融液への難溶解物の混入を防止する。
【解決手段】サファイア融液２１を保持するモリブデンルツボ１４と、サファイア融液２１に浸漬した種結晶を引き上げる引き上げ機構１９と、モリブデンルツボ１４を囲繞し、軸方向に分割された上部ヒーター１５ａ及び下部ヒーター１５ｂからなる抵抗加熱ヒーター１５と、上部ヒーター１５ａ及び下部ヒーター１５ｂの出力をそれぞれ制御するコントローラ２３とを備える。本発明によれば、モリブデンルツボ１４にかかる熱負荷を微調整することができるため、難溶解物の発生を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】モリブデンルツボ内のサファイア融液への難溶解物の混入を防止する。
【解決手段】
ＣＺ法によるサファイア単結晶の製造方法であって、サファイア原料を減圧の不活性雰囲気で熱処理することによって脱ガス処理する脱ガス工程と、サファイア原料をモリブデンルツボ１４内で融解することによってサファイア融液２１を得る融解工程と、サファイア融液２１に浸漬した種結晶を引き上げることによってサファイア単結晶２０を得る引き上げ工程とを備える。脱ガス工程では、サファイア原料の表面が５００℃以上１０００℃以下となるように加熱し、且つ、チャンバー１１より排出される排気ガス中の酸素濃度が０．１ｐｐｍ以下になるまで脱ガス処理を続ける。 （もっと読む）

【課題】熱処理時におけるスリップ転位の発生を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもＣＯＰやＢＭＤ等の欠陥を低減させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりＶ／Ｇ値制御してＶ−リッチ領域からなる酸素濃度が０．８×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ｏｌｄ−ＡＳＴＭ）以下であるシリコン単結晶インゴットを育成し、前記育成されたシリコン単結晶インゴットを切断したＶ−リッチ領域からなる円板状のシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、１１５０℃以上１２００℃以下の最高到達温度で５分以上２時間以下保持する第１の熱処理を行い、続いて、非酸化性ガス雰囲気中、１１００℃以上１２００℃以下の最高到達温度で３０分以上２時間以下保持する第２の熱処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ用の基板として用いられるＳｉ添加ＧａＰ単結晶をＬＥＣ法により製造するに際して、得られる単結晶の結晶成長軸方向におけるキャリア濃度の変化を低減させる。
【解決手段】Ｓｉ添加ＧａＰ単結晶を製造する方法において、Ｓｉ添加ＧａＰ単結晶の引き上げ速度を、Ｓｉ添加ＧａＰ単結晶の固化率が０．１５〜０．３の範囲で切り換えると共に、切換前の平均引き上げ速度が、５ｍｍ／ｈｒ〜１２ｍｍ／ｈｒの範囲となり、かつ、切換後の平均引き上げ速度が、前記切換前の平均引き上げ速度に対して０．２〜０．９の範囲となるように、前記引き上げ速度を制御する。好ましくは、Ｂ₂Ｏ₃の水分量を２００ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶の引上速度を向上して結晶欠陥の発生を抑制し、且つ、結晶の有転位化を抑制できる単結晶引上装置の輻射シールドを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶Ｃを包囲するようにルツボ上方に配置される輻射シールド６であって、円筒状の直胴部６ｂと、前記直胴部の下端から内側に湾曲し、下端部開口６ａを形成する下肩部６ｃとを有し、前記下端部開口の周縁部において、周方向の所定位置に、所定幅をもって径方向に突出すると共に、高さ方向に所定の厚さ寸法を有する熱遮蔽部材１０を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、インナーシールドを保持しながら熱ロスを低減することができる単結晶育成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 原料融液を収容するルツボと、該ルツボを取り囲むように配置されたヒーターと、該ヒーターを取り囲むように配置されたシールドとを格納するメインチャンバーを有するチョクラルスキー法による単結晶育成装置であって、前記シールドは、炭素繊維断熱材からなるヒートシールドと、少なくとも該ヒートシールドの前記ヒーター側に炭素材又は炭素繊維複合材からなるインナーシールドとを有するものであり、前記インナーシールドは、下端部で炭素繊維断熱材からなる支持部材によって直接支えられたものであることを特徴とする単結晶育成装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、インナーシールドを保持しながら熱ロスを低減することができる単結晶育成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 原料融液を収容するルツボと、該ルツボを取り囲むように配置されたヒーターと、該ヒーターを取り囲むように配置されたシールドとを格納するメインチャンバーを有するチョクラルスキー法による単結晶育成装置であって、
前記シールドは、炭素繊維断熱材からなるヒートシールドと、少なくとも該ヒートシールドの前記ヒーター側に炭素材又は炭素繊維複合材からなるインナーシールドとを有するものであり、
前記インナーシールドは、支持部材によって前記メインチャンバーの天井から吊るされたものであることを特徴とする単結晶育成装置。 （もっと読む）

【課題】インナーシールドを保持しながら熱ロスを低減することができる単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】原料融液を収容するルツボ４と、該ルツボ４を取り囲むように配置されたヒーター６と、該ヒーター６を取り囲むように配置されたシールド１６とを格納するメインチャンバー２を有するチョクラルスキー法による単結晶育成装置１であって、前記シールド１６は、炭素繊維断熱材からなるヒートシールド８と、少なくとも該ヒートシールド８の前記ヒーター６側に炭素材又は炭素繊維複合材からなるインナーシールド７とを有するものであり、前記インナーシールド７は、複数本の足を有する支持部材１４によって前記メインチャンバー２の底部から支えられたものであることを特徴とする単結晶育成装置１。 （もっと読む）

【課題】種晶の入れ替えにかかる時間を顕著に短縮し、生産性を向上し、更に繰り返し的な冷却及び再加熱による変形及び寿命減少を防止すること。
【解決手段】本発明のサファイア単結晶成長装置は、アルミナを収納しアルミナが溶融される第１チャンバーであって上面に挿入口が形成されている第１チャンバーと、第１チャンバーの挿入口と連通するように第１チャンバーの上部に設けられた第２チャンバーと、第２チャンバーを通過して第１チャンバー内に下降するか、または第１チャンバーから上昇する種晶ロッドであって終端に種晶が設けられた種晶ロッドと、第２チャンバーの下端に設けられ挿入口を開閉するチャンバー遮断部とを含み、種晶の入れ替えのために種晶ロッドの終端が上昇し第２チャンバーの内部に収納されれば、チャンバー遮断部は、挿入口を閉鎖することを特徴とする。 （もっと読む）