【課題】 種結晶が保持部材から剥離されることを抑制することが可能な種結晶保持体の製造方法、種結晶保持体、結晶育成装置および結晶育成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の種結晶保持体の製造方法は、炭素からなる保持部材２と、保持部材２の下面２Ａよりも大きい上面３Ａを持つ、炭化珪素からなる種結晶３とを準備する準備工程と、保持部材２の下面２Ａに種結晶３の上面３Ａを固定する固定工程と、種結晶３の上面３Ａのうち保持部材２からはみ出ている部分に、保持部材２の側面２Ｂと接するように珪素の粒子16を配置する配置工程と、種結晶３、保持部材２および粒子16を、珪素の融点よりも高い温度に加熱する加熱工程と、溶融した粒子16で保持部材２に種結晶３を接合する接合工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】融液からの輻射熱でシード軸、シードホルダに変形が生じても、種結晶を融液面に垂直に着液可能なシード軸とシードホルダとの連結構造を提供する。
【解決手段】シード軸にユニバーサルジョイント方式のシードホルダを連結したため、インゴット引き上げ時、炉内の輻射熱などでシード軸、シードホルダが熱膨張して変形しても、シードホルダが自重により垂直方向を向く。これにより、種結晶は融液面に垂直に着液できる。その結果、インゴット引き上げの初期段階において、急激な肩部の成長がなくなり、滑らかな肩部の単結晶インゴットを成長できる。 （もっと読む）

【課題】高重量の単結晶を引き上げる場合でも、種結晶やシードチャック自体が破壊せず、引き上げ中の単結晶落下を防止できるため、高純度の単結晶を確実に引き上げることができる単結晶引き上げ装置のシードチャックを提供することを目的とする。
【解決手段】チョクラルスキー法による単結晶引き上げ装置で単結晶を引き上げる際に種結晶を保持するシードチャックであって、シードチャックの材質の熱膨張係数が、引き上げる単結晶の熱膨張係数±２５％の範囲内のものである単結晶引き上げ装置のシードチャック。 （もっと読む）

【課題】種結晶の必要がなく、引出し棒の固着ネジに固着ネジ山を形成して結晶が成長する時の荷重による結晶の脱離を防止することができるチョクラルスキー結晶成長装置およびチョクラルスキー結晶成長法を利用して廃溶融塩から効率的に不純物を分離する方法によって、吸着媒質を使用することによる２次廃棄物の発生を防止するとともに、連続工程を可能にする塩廃棄物の精製方法を提供する。
【解決手段】制御された温度で原料塩１０を溶解させるための発熱部２０を含むるつぼ６０と、るつぼ６０の上端中央部に装着している、不純物を含む原料溶融塩１０から目的とする純粋な塩結晶３０を引出すための引出し棒５０と、回転可能に引出し棒５０の下端部に設置されて、不純物を含む原料溶融塩１０と接触する複数個の塩結晶固着ネジと、塩結晶固着ネジの外周面に形成される塩結晶固着ネジ山とを具備するチョクラルスキー結晶成長装置。 （もっと読む）

【課題】液体封止チョクラルスキー法によるＧａＡｓ等の化合物半導体単結晶の製造方法において、転位等の結晶欠陥の少ない良質な化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させる化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】容器内に原料融液Ｌと封止剤Ｍを収納し、その原料融液Ｌに種結晶Ｃを接触させ、容器あるいは種結晶Ｓを移動し、種結晶Ｓに化合物半導体の単結晶Ｃを成長させる製造方法において、少なくとも結晶成長初期に固液界面Ｆが原料融液側Ｌに凸化するように、種結晶Ｓの頭部を強制冷却手段１２により強制冷却する。 （もっと読む）

【課題】融液の温度分布を制御可能な結晶育成装置を提供する。
【解決手段】原料が充填される導電性るつぼ１６と、導電性るつぼ１６の側面を囲み、導電性るつぼ１６内の原料を加熱溶融して融液を生成可能な誘導加熱コイル２０と、融液から単結晶を引き上げるホルダー２８と、導電性るつぼ１６を支持する支持台２４と、ホルダー２８を加熱する誘導加熱コイル３０及び支持台２４を加熱する誘導加熱コイル３２と、を備えた結晶育成装置。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上げ法において、種結晶体の反りや破断などを防止するとともに、引き上げられる単結晶の変形を防止することができる種結晶体の保持方法を提供する。
【解決手段】種結晶体８が棒状部９と膨大部１０とを有し、保持具７が、膨大部１０を遊嵌状態で把持する嵌合凹部と、棒状部９を下方に突出垂下させる突出口とを有し、種結晶体８を保持具７に装着し、膨大部１０の上面全体に押さえ板２０を配置し、押さえ板２０を押圧する押圧部材１９により、クッション材２１を介在させた状態で押さえ板２０を押圧することにより、種結晶体８を押さえ板２０により押圧固定する。 （もっと読む）

【課題】単結晶を引上げる工程において、ネック部が破断することがあっても、ルツボ内への単結晶の落下を防ぐことができ、且つ、結晶が有転位化する可能性を低減することのできる単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】単結晶Ｃを引上げる引上げ手段４と、前記単結晶Ｃのクラウン部Ｃ１にくびれ部Ｃ２を形成するくびれ形成手段７ａと、爪先を開閉可能になされ、爪先を閉じた状態で前記くびれ部上側のテーパー面Ｃ３に係止可能に設けられた複数の爪部１２と、前記複数の爪部１２を昇降移動させる爪部昇降手段１３ｂと、前記複数の爪部１２及び爪部昇降手段１３ｂの動作制御を行う制御手段７ａとを備え、前記単結晶Ｃの引上げの際、前記制御手段７ａの制御により、前記複数の爪部１２は、爪先が前記くびれ部Ｃ２の周囲に位置するよう閉じられ、単結晶Ｃと接触することなく該単結晶Ｃとの間に所定の間隙を形成する。 （もっと読む）

【課題】 炉内付着物の成長結晶および原料溶液への落下を防止し、高品質の単結晶を製造する。
【解決手段】 炉５内に設置されたるつぼ１内の原料溶液８に、種子結晶７を浸して引き上げながら結晶を育成する結晶成長装置において、種子結晶７が先端に取り付けられた引き上げ軸６に、るつぼ１の開口面を覆う傘１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】引上げるシリコン単結晶の高重量化に伴う、取付金具のケーブルからのはずれを防止でき、シリコン単結晶落下の危険とそれに伴う生産性、歩留まり低下を回避できる、単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、チョクラルスキー法において所定のケーブルと、所定のシードチャックとを有し、前記ケーブルを下降することにより種結晶を原料融液に接触させた後にケーブルを引き上げて単結晶を育成する単結晶引上げ装置であって、前記ケーブルの先端部には、少なくとも前記ケーブルの中心線を回転対称軸とする回転曲面を有する取付金具が取り付けられたチャック支持部を有し、前記シードチャックは、前記取付金具の回転曲面により接触支持されかつ前記チャック支持部を収納する中空構造を有し、前記シードチャックの下端から前記チャック支持部を引き出すことが可能なものである単結晶引上げ装置。 （もっと読む）