【課題】従来技術では得られなかったｃ面配向した板状ＨＡｐ単結晶を工業的規模で製造するための技術の提供。
【解決手段】Ｃａ^２＋イオン、ＰＯ_４^３−イオン、尿素及びウレアーゼを含む酸性水溶液を容器に入れ、該酸性水溶液と外気とが気液接触した状態で保持し、ウレアーゼによる尿素の加水分解による水溶液のｐＨ上昇にしたがって、ヒドロキシアパタイトの結晶核を生成させ、さらに該結晶核をａ軸及びｂ軸方向に成長させ、次いで前記水溶液に浮上している析出物を水溶液から分離採取し、次いで前記析出物に水熱処理を施して板状ヒドロキシアパタイト単結晶を得ることを特徴とする板状ヒドロキシアパタイト単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属酸化物単結晶基板について、ストレートステップ構造の基板を得ることができる新しい技術を提供する。
【解決手段】 ＬａＡｌＯ_３，ＭｇＯ等の金属酸化物単結晶基板表面上にＢｉ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物を堆積し、高温真空下において液状化してフラックスとし、この材料を使用して単結晶基板を高温真空アニールしてフラックスを凝集させ、その後フラックスを除去し、場合により常圧下でポストアニールを行うと、従来の方法では作製することが難しかったＳｒＴｉＯ_３以外の金属酸化物単結晶基板においても、原子レベルで平坦な基板を作製することができる。 （もっと読む）

【目的】 分極のシングルドメイン化が可能で、非線形光学材料としてＳＨＧの効率が高く高品質なＫＴＰ単結晶の作製が可能な製造方法を提供する。
【構成】 先ず、ＴＳＳＧ法によりＫＴＰのキュリー点以上の温度でＫＴＰ単結晶を析出，育成する。次いで、キュリー点以上の温度を保ったまま育成したＫＴＰ単結晶が融液と接触した状態で、種結晶と融液間に構成される電気回路よりＫＴＰ単結晶に直流電圧を印加し、キュリー点以下の温度まで冷却する。この際、印加電流をＩｐ、ｃ軸育成する際のａ軸，ｂ軸の結晶の大きさをａ，ｂとした時に、Ｄ＝Ｉｐ／（ａ×ｂ）なる式で規定される電流密度Ｄの値が０．０１≦Ｄ≦１．０（ｍＡ／ｃｍ² ）となるように直流電圧を印加する。 （もっと読む）