【課題】合成対象とする結晶材料或いは当該材料原料の融点以下の温度で、従来では得られない大きさの単結晶を得る。
【解決手段】所定の温度勾配を形成でき、所定期間、所望の温度にて保持できる加熱装置１と、この加熱装置１の加熱源によって加熱される筒状容器２とを用い、多結晶材料或いは当該材料原料の出発原料３（ＴｌＦｅ₂Ｓｅ₂）を円筒状のペレットに成形して筒状容器２の載置部２１に載置し、重力場などの原子がマクロに移動可能な駆動力場下で、その出発原料３の融点以下の温度である７００℃にて塑性変形を生じさせるとともに、この塑性変形が終了する十分な時間である７００℃で保持することで大型の単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】特定元素の硫化物又は複合硫化物の微粉末を含む微粒子コンポジットを得ることを目的とする。
【解決手段】モリブデン（Ｍｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）から選択される元素を含む化合物の１種以上と、硫黄（Ｓ）を含む化合物とから、混合液を作製する工程と、該混合液を水熱反応又はソルボサーマル反応させる工程とを含む、モリブデン（Ｍｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）から選択される１種以上の元素の硫化物又は複合硫化物の微粉末を含む微粒子コンポジットの製造方法、及び得られた、モリブデン（Ｍｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）から選択される１種以上の元素の硫化物又は複合硫化物の微粉末を含む微粒子コンポジット。 （もっと読む）

【課題】磁性元素を含む半導体中で、磁性元素を高濃度に含むナノ結晶の自律的形成を人為的に制御し、結晶中の磁性元素の平均の組成が２０％以下の小さい範囲でも、室温以上で強磁性あるいは超常磁性状態となって磁化過程に履歴現象が生じるような薄膜結晶を実現する。
【解決手段】磁性元素を含む半導体において、ｎ型またはｐ型のドーパントを添加するか、あるいは化合物半導体の場合は結晶成長時の原料供給量の調節により化合物における構成元素の組成割合における化学量論比からのずれを調整することにより、磁性元素イオンの結晶中での価数を変化させてイオン間の引力相互作用を調整することで、磁性元素を高濃度に含むナノ結晶の自律的な形成を人為的に制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】IIa・III₂・VI₄組成の化合物のバルク単結晶の確実で安全な作製方法、及び、そのための好適な作製装置を提供する。
【解決手段】（a）VI族元素の蒸気存在下で、III₂VI_３化合物とIIa金属元素とを融解して一般式IIa・III_２・VI₄の組成を有する化合物を合成する段階、(b)IIa・III_２・VI₄化合物を過冷却点以下まで冷却して該IIa・III_２・VI₄化合物を凝固する段階、(c)凝固した該IIa・III_２・VI₄化合物を再加熱した後徐冷することにより種結晶を作製する段階、（ｄ）該種結晶を用いて、IIa−III-VI族間のIIa・III_２・VI₄の組成を有する化合物のバルク単結晶を作製する段階、を含む。 （もっと読む）

アルカリ土類・カルコゲン化合物、アルカリ・カルコゲン化合物、I-VII族化合物、II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI₂族化合物、IV-IV族化合物、II-VII₂族化合物の群から選ばれる化合物であって、B、C、N、O、F、Si、Geなどの最外殻に不完全なp電子殻を持つ少なくとも１種の元素を固溶していることで、強磁性転移温度が室温以上であることを特徴とする光を透過しながら高い強磁性特性を有する単結晶の透明強磁性化合物。これらの最外殻に不完全なp電子殻を持つ元素の濃度の調整、アクセプターおよびドナーの添加などにより価電子制御を行いその強磁性特性を調整する。 （もっと読む）