【課題】低コストで微小サイズまで小型化することができると共に、自己発熱をなくして高性能化を図ること。
【解決手段】一方向に延びるように形成され、該方向に直交する他方向に振動する振動片１０と、該振動片を支持するベース部１１とを有する半導体材料からなる振動子２と、ベース部が固定されるベース基板３と、振動片に対して所定距離を空けた状態で振動片を間に挟むようにベース基板上に設けられ、静電引力を発生させて振動片を振動させる駆動電極部５と、振動片との間の静電容量の変化に基づいて振動片の共振周波数を検出する検出電極部６とからなる一対の電極部４と、検出電極部で検出された共振周波数から温度を算出する算出回路７と、を備え、振動片には、振動片とは温度特性の異なる膜体１３が振動片の周囲を覆うように所定の膜厚で形成されている温度センサ１を提供する。 （もっと読む）

本発明は、一般に、計測及び表示技術の分野にあり、時間−温度インジケータならびにその製造及び使用の方法に関する。より具体的には、時間−温度インジケータは、少なくとも一つの金属層又は金属含有層及び金属層又は金属含有層に直接接触した少なくとも一つのドーピングされたポリマー層を含み、ドーパントが酸、塩基もしくは塩又は光潜伏性酸もしくは光潜伏性塩基であり、ドーパントがポリマー及び／又は少なくとも一つのポリマー層に加えられ、ポリマーが酸性もしくは潜伏酸性又は塩基性もしくは潜伏塩基性基で官能化されている時間−温度インジケータ、又は金属粒子及び光潜伏性酸もしくは光潜伏性塩基を含有する少なくとも一つのポリマー層又はポリマーが潜伏酸性又は潜伏塩基性基で官能化されている、金属粒子を含有する少なくとも一つのポリマー層を含む時間−温度インジケータを含む。
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【課題】 不揮発メモリを必要とせず、簡便に設定温度を選択することができる低コストかつ不可逆的な温度履歴センサを提供する。
【解決手段】 少なくともコンデンサと、コイルと、からなる共振回路を有する温度履歴センサであって、
前記温度履歴センサが、予め定められた前記温度履歴センサの設定温度を表示する表示部を有しており、
前記コンデンサが前記コンデンサの電極間に少なくとも熱溶融材料を有し、前記熱溶融材料の融点が前記設定温度付近にあることを特徴とする温度履歴センサ。 （もっと読む）

【課題】１０Ｋ以下の極低温環境下において高制度の音素測定を可能にするキャパシタンス温度センサを提供する。
【解決手段】Ｓｒ原子に対するＢａ原子の置換範囲がｘ＝０．０１から０．０５である多結晶Ｓｒ_１−ｘＢａ_ｘＴｉＯ_３からなる誘電体を有するコンデンサのキャパシタンスを検出することによって温度測定を行うことを特徴とするキャパシタンス温度センサ。
【効果】低温で量子強誘電特性を出現させ、かつ高い温度感度Ｓ＝ΔＣ／ΔＴ、高い絶対感度Ｓｄ＝（Ｔ／Ｃ）ΔＣ／ΔＴを有する、温度分解能の優れたキャパシタンス温度センサを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】小型化や製造コストを低減することができる、熱感知器を提供すること。
【解決手段】監視領域の温度を監視するための熱感知システム１であって、監視領域に配置された複数の熱感知スピーカと、これら複数の熱感知スピーカの誘電率に基づいて、監視領域の温度を算定する温度算定部２１と、熱感知スピーカを振動させることにより、当該熱感知スピーカを音響源として駆動する音響部２２と、複数の熱感知スピーカを、温度算定部２１又は音響部２２とのいずれか一方に対して選択的に接続する切替えスイッチ２３と、監視領域の監視状態のモードである所定の第１のモードと第２のモードとのうち、第１のモードにおいて切替えスイッチ２３を制御して熱感知スピーカを音響部２２に接続し、第２のモードにおいて切替えスイッチ２３を制御して熱感知スピーカを温度算定部２１に接続する切替え制御部２７とを備える。 （もっと読む）

【課題】環境の変化を表す情報の改ざんを防ぎ、この情報を取得すること。
【解決手段】センサ１００は、外部から送信された信号を受信するアンテナ５０と、誘電体として蝋の塊４３を備えたコンデンサ４と、信号を受信した場合にコンデンサ４のインピーダンスを測定するインピーダンス測定部７７とを有する。アンテナ５０は、インピーダンス測定部７７による測定結果を表すデータを外部に送信する。センサ１００の周囲の温度が蝋の融点に達すると、蝋の塊４３が融解してコンデンサ４のインピーダンスが変化する。 （もっと読む）

本発明は半導体基板の温度を測定する方法と装置を提供する。半導体基板上に共振回路（１１０）が設けられ、その共振回路は接合キャパシタ（１１）とインダクタ（１２）を具える。前記基板はホルダーに設置され、共振回路（１１０）に照射装置（２００）によって発された電磁場（５）の電磁エネルギーが照射される。共振回路（１１０）の照射された電磁場（５）への影響を検出することによって共振回路（１１０）が共振周波数は測定され、半導体基板の温度は共振周波数の関数として測定される。本発明による方法と装置は接合キャパシタ（１１）の温度に対する感度の増加によって、半導体基板の温度をより正確に測定することを可能にする。
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誘電体材料が充填された共鳴構造の共鳴周波数の変化をモニタすることにより高温度環境における温度を算出する温度測定技術である。典型的には、ケーブルを介して共鳴構造に接続されたネットワークアナライザを使用することによって、共鳴構造に対応する反射率Ｓ１１のための応答曲線が生成される。応答曲線に対する最小ポイントが特定されて、共鳴構造に対する共鳴周波数が検出される。共鳴構造の共鳴周波数に対応する温度を特定するべく最小ポイントに較正マップが適用される。共鳴構造の共鳴周波数に対応する温度は、高温度環境の温度を表す。
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アクティブマトリクス液晶デバイスは、アクティブマトリクス基板（１）と液晶材料の層によって分離された対向する電極基板とを備える。温度検知用のキャパシタ（１１）は、そのキャパシタの誘電体を形成する液晶層によって分離された基板上の電極を有する。ほぼ同じ静電容量を持つ、リファレンス用のキャパシタＣ_ＲＥＦとキャリブレーション用のキャパシタＣ_ＣＡＬとは、サンプルホールド回路１２内のブランチ（２５、２６、３０）の一部を形成している。キャリブレーションサイクル間においては、サンプルホールド回路１２は、キャパシタＣ_ＣＡＬとキャパシタＣ_ＲＥＦとの間の静電容量の差に依存する信号を提供し、この信号は、リファレンス電圧を生成するアナログ／デジタル変換器（２０、２１、２２、３１、３２）に供給される。測定サイクルのその後の期間においては、変換器は、リファレンス電圧を利用しつつサンプルホールド回路１２の出力を変換する。
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アクティブマトリクス液晶デバイス（ＡＭＬＣＤ）は、アクティブマトリクス領域（２）を有するアクティブマトリクス基板（１）と、コモン電極を有するカウンタ電極基板とを備える。これら基板間には液晶材料の層が配置され、アクティブマトリクス基板（１）には温度測定装置（１０）が設けられている。温度測定装置（１０）は、温度検知用の液晶キャパシタ（１１）を有する。液晶キャパシタ（１１）は、アクティブマトリクス領域（２）の画像生成領域の外側にある第１の電極を含み、第１の基板は、キャパシタの誘電体を形成する液晶層によって、キャパシタの第２の電極を形成するコモン電極と分離されている。測定回路（１２、１３、１５）は、アクティブマトリクスの動作中に、キャパシタ（１１）を、ほぼ一定および安定した既知の大きさの第１のプリチャージ電圧にプリチャージする工程と、静電容量を示す信号を形成する工程とを、繰り返し行う。
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