【構成】本発明は、一次巻線から形成される少なくとも一つのインダクタ（２）を有する発振器（１）と、電気誘導によりゲージ（１１）と接続され且つ発振器（１）のインダクタ（２）と変成器結合状態で配置される二次巻線（３０）を有する少なくとも一つのゲージ（１１）とを備えた力の測定用トランスデューサに係わる。ある力が該ゲージ（１１）に作用した場合、該ゲージ（１１）のインピーダンス及び誘導結合された二次巻線（３０）のインピーダンスが変化する。該ゲージに作用する力に比例して該発振器（１）において生じる周波数変化は、判別回路（１４）によって測定する。 （もっと読む）

２つの圧電振動子（Ｓａ，Ｓｂ）は、加速度等の力学量によって加わる応力が互いに逆となるように設ける。電流電圧変換−信号加算回路（１１）は、２つの圧電振動子（Ｓａ，Ｓｂ）に流れる電流信号を電圧信号に変換する。電圧増幅−振幅制限回路（１２）は、その２つの電圧信号の加算信号を増幅し、振幅を制限する。位相差電圧変換回路（１５）は加算信号と加速度検出素子（１０）へ与える帰還電圧信号（Ｖｏｓｃ）との位相差を検出する。位相シフト回路（１６）は、帰還電圧信号が所定の位相となるように位相制御する。フィルタ回路（１７）は発振周波数より高域の不要周波数帯の周波数成分を抑圧する。 抵抗（ＲＬａ，ＲＬｂ）の抵抗値を大きくしてダンピング比を大きくすることによって温度安定性を高め、フィルタ回路（１７）により異常発振を防止し、位相制御回路（２０）により特性のばらつきを抑える。 （もっと読む）

【目的】 温度補償なしに高精度な検出が可能であり、しかも製造プロセスが容易な力、加速度、磁気のセンサを提供する。
【構成】 可撓性をもった円盤状の基板１０の周囲部分はセンサ筐体に固定され、中心部分には作用体５０が接合される。基板１０内の原点Ｏについて、ＸＹＺ三次元座標系を定義し、Ｘ軸に沿って、４組の検出子Ｄ１〜Ｄ４が配置される。各検出子は圧電素子２１，２３を上部電極３１〜３４と下部電極４１〜４４とで挟んだサンドイッチ構造をしている。加速度の作用により、作用体５０にＸ軸方向の力Ｆｘが作用すると、基板１０が撓み、各電極に正または負の電荷が発生する。電荷の発生態様は、作用した力の方向に依存し、電荷の発生量は、作用した力の大きさに依存する。よって、この電荷発生パターンに基づいて、作用した力の各軸方向成分を検出できる。 （もっと読む）