【課題】 使用者の不注意による、携帯機器、火器等の落下又は異常な取り扱いによって引き起こされる機器の破壊、データの消失、火器の落下、衝撃により引き起こされる暴発等を予防すること。
【解決手段】 本体が落下する時に、落下を検知する落下検知手段を有し、該手段からの落下検知信号により、機器の状態を安全な状態に変更するよう制御する。前記落下検知手段は、加速度センサーと、該センサーからの出力に基づいて加速度を計算する手段と、無重力状態を予め定めた所定値と比較し、これより大きい時に落下と判断し信号を出力する落下判断手段とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの測定用コンデンサ（Ｃｍ）と、測定段階において作動電圧（Ｖａ）を測定用コンデンサの少なくとも１つのプレートに印加するための手段（Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３）とを備える容量性測定用コンデンサに関するものである。

（もっと読む）

【課題】小型化を図れ且つ耐衝撃性に優れた半導体多軸加速度センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】センサ本体１は、矩形枠状のフレーム部１１の内側に重り部１２が配置されている。重り部１２は、４つの撓み部１３を介してフレーム部１１に支持された直方体状のコア部１２ａと、コア部１２ａと一体に形成されコア部１２ａとフレーム部１１とフレーム部１１の周方向において隣り合う各一対の撓み部１３の間の空間にそれぞれ配置された４つの付随部１２ｂとを有している。各撓み部１３は、両側縁から側方へ突出した突出片１３ｂ，１３ｂが一体に形成されており、各付随部１２ｂは、重り部１２が表面側に変位したときに突出片１３ｃの裏面に当たって重り部１２の変位を制限するストッパ部１２ｃを突出片１３ｂの表裏方向において重なるように突設してある。 （もっと読む）

【課題】 小型のセンサを量産する。
【解決手段】 シリコンからなる下層部１１０Ａと、ＳｉＯ_２からなる中層部１２０と、シリコンからなる上層部１３０との三層構造からなる第１の基板１００を用意する。下層部１１０Ａには、不純物がドープされており導電性を有する。下層部１１０の下面をエッチングして、ダイヤフラム部１１２と台座部１１１とを形成し、その下に、ガラスからなる第２の基板２００を接合する。第２の基板２００上の電極Ｅと、ダイヤフラム部１１２とにより容量素子が形成される。上層部１３０の上面側からダイシングブレードにより溝Ｇ１１〜Ｇ１７を切削した後、溝の底部を、下層部１１０Ａの上面が露出するまでエッチングにより掘り下げる。単位領域Ｕ１，Ｕ２を切り離すと、ダイヤフラム部１１２の中央に重錘体１３１が位置し、周囲に台座１３２が形成された構造が得られる。容量素子に代えてピエゾ抵抗素子を用いてもよい。 （もっと読む）

【目的】 外来雑音の影響を受け難く、良好な温度補償を行い、かつ歩留りがよく、小形、安価に構成できる。
【構成】 単結晶シリコンでおもり１３、支持部１５、おもりを支持部に支持するはり１４が形成され、はり１４にピエゾ抵抗素子１６が取付けられ、支持部１５の両面にストッパ２２，２３が取付けられ、おもり１３の所定値以上の変位が防止される。ストッパ２２が単結晶シリコン基板で構成され、ストッパ２２に、抵抗素子１６からなるブリッジに対する電圧を印加する駆動回路１８、前記ブリッジの出力を増幅する検出回路１９、これらに対する温度補償回路２１がＩＣとして構成されている。 （もっと読む）