【課題】荷電変換用膜の課題であるダイヤモンド薄膜の脆弱性及びＣＮＴＳの低電子密度という問題を解決し、新規な機能をもつ、荷電変換用部材を提供する。
【解決手段】不織布カーボンナノチューブシート上にダイヤモンド薄膜が堆積されてなることを特徴とする荷電変換用デバイスであって、ダイヤモンド薄膜は、積層体の基板であるＣＮＴＳ自身をダイヤモンド薄膜合成の炭素源として用いたマイクロ波プラズマＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）

【課題】炭素製の荷電変換薄膜の作成および取り扱いを容易にすること。
【解決手段】陽子ビームが周回する周回軌道（１１）が内部に形成された加速器本体（２）と、前記加速器（１）に荷電粒子としての負極性水素イオンビームを、前記加速器本体（２）内に入射する入射部（３）と、前記入射部（３）から入射された前記負極性水素イオンビームの入射軌道（１１ｂ）上に配置され、前記負極性水素イオンビームから電子を剥離して陽子ビームに変換するカーボンナノチューブ薄膜により構成された荷電変換薄膜（１６）と、を備えた粒子加速器（１）。 （もっと読む）

【課題】シンクロトロンから、動いている３次元の複雑な腫瘍ターゲットに正確に、ビーム強度とエネルギーを可変の状態にして取り出すこと。
【解決手段】特殊な電子ビーム冷却装置による強い強度の“冷たいイオンビーム”をもつ低ビームエミッタンスをビーム強度、エネルギー可変で安定にシンクロトロンの外に取り出す方法であり、電子ビーム冷却装置によるイオンの荷電再結合現象を使うかまたはギャップの小さい１０ｋＨｚ超高速キッカーを用いる。 （もっと読む）

【課題】被処理物に均一な密度の中性粒子ビームを照射することができる中性粒子ビーム処理装置を提供する。
【解決手段】中性粒子ビーム処理装置は、複数の孔４０が形成された構造体４２と複数の中性粒子ビーム生成機構５０とを有する中性粒子ビーム源を備えている。各中性粒子ビーム生成機構５０は、孔４０の内部のプラズマ領域Ｐにマイクロプラズマを発生させるマイクロプラズマ生成部５１と、マイクロプラズマ中のイオン１０２を中性化領域Ｎに引き出すイオン引出部５２と、引き出されたイオン１０２を中性化して中性粒子ビーム１０４を生成する中性化部５３とを有している。マイクロプラズマ生成部５１とイオン引出部５２と中性化部５３とは構造体４２に一体に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 高密度の中性粒子ビームを被処理物に照射することができ、被処理物の加工速度を向上させることができる中性粒子ビーム処理装置を提供する。
【解決手段】 中性粒子ビーム処理装置１０は、イオン生成室１４の内部にイオンを生成するイオン生成手段と、イオン生成室１４の内部のイオンを中性化室１６に引き出す引出手段と、引き出されたイオンを中性化して中性粒子ビームを生成する中性化手段とを備える。中性粒子ビーム処理装置１０は、中性粒子ビーム中に残留する荷電粒子を除去する荷電粒子除去手段と、中性粒子ビームが照射される被処理物１８を保持する保持台４８とを備えている。荷電粒子除去手段は、ビームの進行方向に垂直な方向に磁界を形成して荷電粒子の軌道を曲げる磁界形成手段と、軌道が曲げられた荷電粒子を捕捉する捕捉板６６とを有している。 （もっと読む）